Equivalente grote signaalcapaciteit Rekenmachine

✖Eindspanning verwijst naar het spanningsniveau dat wordt bereikt of gemeten aan het einde van een bepaald proces of een bepaalde gebeurtenis.ⓘ Eindspanning [V₂]			+10% -10%
✖Initiële spanning verwijst naar de spanning die aanwezig is op een specifiek punt in een circuit aan het begin van een bepaalde bewerking of onder specifieke omstandigheden.ⓘ Initiële spanning [V₁]			+10% -10%
✖Verbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die voortkomt uit het uitputtingsgebied tussen de source/drain-terminals en het substraat.ⓘ Verbindingscapaciteit [C_j]			+10% -10%

✖Equivalent Large Signal Capacitance is een vereenvoudigd model dat wordt gebruikt om het gecombineerde effect van de junctiecapaciteiten bij lage frequenties weer te geven (groot signaalregime).ⓘ Equivalente grote signaalcapaciteit [C_eq]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Equivalente grote signaalcapaciteit

Formule

`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`

Voorbeeld

`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Equivalente grote signaalcapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Equivalente grote signaalcapaciteit = (1/(Eindspanning-Initiële spanning))*int(Verbindingscapaciteit*x,x,Initiële spanning,Eindspanning)
C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

int - De definitieve integraal kan worden gebruikt om het netto ondertekende gebied te berekenen, dat wil zeggen het gebied boven de x-as minus het gebied onder de x-as., int(expr, arg, from, to)

Variabelen gebruikt

Equivalente grote signaalcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Equivalent Large Signal Capacitance is een vereenvoudigd model dat wordt gebruikt om het gecombineerde effect van de junctiecapaciteiten bij lage frequenties weer te geven (groot signaalregime).
Eindspanning - (Gemeten in Volt) - Eindspanning verwijst naar het spanningsniveau dat wordt bereikt of gemeten aan het einde van een bepaald proces of een bepaalde gebeurtenis.
Initiële spanning - (Gemeten in Volt) - Initiële spanning verwijst naar de spanning die aanwezig is op een specifiek punt in een circuit aan het begin van een bepaalde bewerking of onder specifieke omstandigheden.
Verbindingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Verbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die voortkomt uit het uitputtingsgebied tussen de source/drain-terminals en het substraat.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Eindspanning: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Bekijk de conversie hier)
Initiële spanning: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Bekijk de conversie hier)
Verbindingscapaciteit: 95009 Farad --> 95009 Farad Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂) --> (1/(6.135E-09-5.42E-09))*int(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)

Evalueren ... ...

C_eq = 0.0005489144975

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0005489144975 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0005489144975 ≈ 0.000549 Farad <-- Equivalente grote signaalcapaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Equivalente grote signaalcapaciteit

Credits

Gemaakt door Vignesh Naidu

Vellore Instituut voor Technologie (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 21 MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Trek de stroom in het lineaire gebied naar beneden

Gaan Lineaire regio pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(2*(Poortbronspanning-Drempelspanning)*Uitgangsspanning-Uitgangsspanning^2))

Knooppuntspanning bij gegeven instantie

Gaan Knooppuntspanning bij gegeven instantie = (Transconductantiefactor/Knooppuntcapaciteit)*int(exp(-(1/(Knooppunt weerstand*Knooppuntcapaciteit))*(Tijdsperiode-x))*Stroom stroomt naar knooppunt*x,x,0,Tijdsperiode)

Trek de stroom in het verzadigingsgebied naar beneden

Gaan Verzadigingsregio Pull-downstroom = sum(x,0,Aantal parallelle drivertransistors,(Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit/2)*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2)

Verzadigingstijd

Gaan Verzadigingstijd = -2*Belastingscapaciteit/(Transconductantieprocesparameter*(Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)^2)*int(1,x,Hoge uitgangsspanning,Hoge uitgangsspanning-Drempelspanning)

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Gaan Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel)))

Tijdvertraging wanneer NMOS in een lineair gebied werkt

Gaan Lineair gebied in tijdvertraging = -2*Verbindingscapaciteit*int(1/(Transconductantieprocesparameter*(2*(Ingangsspanning-Drempelspanning)*x-x^2)),x,Initiële spanning,Eindspanning)

Afvoerstroom die door de MOS-transistor vloeit

Gaan Afvoerstroom = (Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*int((Poortbronspanning-x-Drempelspanning),x,0,Afvoerbronspanning)

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met afvoer

Gaan De diepte van het uitputtingsgebied van de drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Ingebouwd verbindingspotentieel+Afvoerbronspanning))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Fermi-potentieel voor N-type

Gaan Fermi-potentieel voor N-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Concentratie van donordoteringsmiddelen/Intrinsieke dragerconcentratie)

Afvoerstroom in verzadigingsgebied in MOS-transistor

Gaan Verzadigingsgebied Afvoerstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*int(Aanval*Korte kanaalparameter,x,0,Effectieve kanaallengte)

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Maximale uitputtingsdiepte

Gaan Maximale uitputtingsdiepte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Equivalente grote signaalcapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalcapaciteit = (1/(Eindspanning-Initiële spanning))*int(Verbindingscapaciteit*x,x,Initiële spanning,Eindspanning)

Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio

Gaan Ingebouwde spanning = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(-2*Bulk Fermi-potentieel)))

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Gaan Bron's diepte van de uitputtingsregio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor))

Substraat bias-coëfficiënt

Gaan Substraat bias-coëfficiënt = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit

Gemiddeld vermogen dat in de loop van de tijd wordt gedissipeerd

Gaan Gemiddeld vermogen = (1/Totale tijd besteed)*int(Spanning*Huidig,x,0,Totale tijd genomen)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Werkfunctie in MOSFET

Gaan Werk functie = Vacuümniveau+(Energieniveau van de geleidingsband-Fermi-niveau)

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Equivalente grote signaalcapaciteit Formule

Equivalente grote signaalcapaciteit = (1/(Eindspanning-Initiële spanning))*int(Verbindingscapaciteit*x,x,Initiële spanning,Eindspanning)
C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!