Эквивалентная большая сигнальная емкость Калькулятор

✖Конечное напряжение относится к уровню напряжения, достигнутому или измеренному по завершении определенного процесса или события.ⓘ Конечное напряжение [V₂]			+10% -10%
✖Начальное напряжение относится к напряжению, присутствующему в определенной точке цепи в начале определенной операции или при определенных условиях.ⓘ Начальное напряжение [V₁]			+10% -10%
✖Емкость перехода относится к емкости, возникающей в области обеднения между клеммами истока/стока и подложкой.ⓘ Емкость перехода [C_j]			+10% -10%

✖Эквивалентная емкость большого сигнала — это упрощенная модель, используемая для представления совокупного эффекта емкостей перехода на низких частотах (режим большого сигнала).ⓘ Эквивалентная большая сигнальная емкость [C_eq]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эквивалентная большая сигнальная емкость

Формула

`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`

Пример

`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Эквивалентная большая сигнальная емкость Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Эквивалентная большая сигнальная емкость = (1/(Конечное напряжение-Начальное напряжение))*int(Емкость перехода*x,x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)
C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂)
В этой формуле используются 1 Функции, 4 Переменные

Используемые функции

int - Определенный интеграл можно использовать для расчета чистой площади со знаком, которая представляет собой площадь над осью x минус площадь под осью x., int(expr, arg, from, to)

Используемые переменные

Эквивалентная большая сигнальная емкость - (Измеряется в фарада) - Эквивалентная емкость большого сигнала — это упрощенная модель, используемая для представления совокупного эффекта емкостей перехода на низких частотах (режим большого сигнала).
Конечное напряжение - (Измеряется в вольт) - Конечное напряжение относится к уровню напряжения, достигнутому или измеренному по завершении определенного процесса или события.
Начальное напряжение - (Измеряется в вольт) - Начальное напряжение относится к напряжению, присутствующему в определенной точке цепи в начале определенной операции или при определенных условиях.
Емкость перехода - (Измеряется в фарада) - Емкость перехода относится к емкости, возникающей в области обеднения между клеммами истока/стока и подложкой.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Конечное напряжение: 6.135 Нановольт --> 6.135E-09 вольт (Проверьте преобразование здесь)
Начальное напряжение: 5.42 Нановольт --> 5.42E-09 вольт (Проверьте преобразование здесь)
Емкость перехода: 95009 фарада --> 95009 фарада Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂) --> (1/(6.135E-09-5.42E-09))*int(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)

Оценка ... ...

C_eq = 0.0005489144975

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0005489144975 фарада --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0005489144975 ≈ 0.000549 фарада <-- Эквивалентная большая сигнальная емкость

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Эквивалентная большая сигнальная емкость

Кредиты

Сделано Винеш Найду

Технологический институт Веллора (ВИТ), Веллор, Тамил Наду

Винеш Найду создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 21 МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Понизьте ток в линейной области

Идти Линейный регион Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Выходное напряжение-Выходное напряжение^2))

Уменьшите ток в области насыщения

Идти Область насыщения Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)^2)

Напряжение узла в данном случае

Идти Напряжение узла в данном случае = (Фактор крутизны/Емкость узла)*int(exp(-(1/(Сопротивление узла*Емкость узла))*(Временной период-x))*Ток, текущий в узел*x,x,0,Временной период)

Время насыщения

Идти Время насыщения = -2*Емкость нагрузки/(Параметр процесса крутизны*(Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)^2)*int(1,x,Высокое выходное напряжение,Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)

Ток стока, протекающий через МОП-транзистор

Идти Ток стока = (ширина канала/Длина канала)*Электронная подвижность*Оксидная емкость*int((Напряжение источника затвора-x-Пороговое напряжение),x,0,Напряжение источника стока)

Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области

Идти Линейная область во временной задержке = -2*Емкость перехода*int(1/(Параметр процесса крутизны*(2*(Входное напряжение-Пороговое напряжение)*x-x^2)),x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)

Плотность заряда области истощения

Идти Плотность заряда слоя истощения = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(Поверхностный потенциал-Объемный потенциал Ферми)))

Глубина истощения региона, связанного с дренажом

Идти Область истощения стока = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Встроенный потенциал соединения+Напряжение источника стока))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Потенциал Ферми для N-типа

Идти Потенциал Ферми для N-типа = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Концентрация донорской легирующей примеси/Собственная концентрация носителей)

Эквивалентная большая сигнальная емкость

Идти Эквивалентная большая сигнальная емкость = (1/(Конечное напряжение-Начальное напряжение))*int(Емкость перехода*x,x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)

Максимальная глубина истощения

Идти Максимальная глубина истощения = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Объемный потенциал Ферми))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Ток стока в области насыщения МОП-транзистора

Идти Ток стока области насыщения = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*int(Обвинение*Параметр короткого канала,x,0,Эффективная длина канала)

Потенциал Ферми для типа P

Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Заложенный потенциал в регионе истощения

Идти Встроенное напряжение = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(-2*Объемный потенциал Ферми)))

Глубина истощения Регион, связанный с источником

Идти Регион глубины истощения источника = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Встроенный потенциал соединения)/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Коэффициент смещения подложки

Идти Коэффициент смещения подложки = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора)/Оксидная емкость

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Средняя мощность, рассеиваемая за период времени

Идти Средняя мощность = (1/Общее затраченное время)*int(Напряжение*Текущий,x,0,Общее затраченное время)

Рабочая функция в MOSFET

Идти Рабочая функция = Уровень вакуума+(Уровень энергии зоны проводимости-Уровень Ферми)

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины