Grande capacité de signal équivalente Calculatrice

✖La tension finale fait référence au niveau de tension atteint ou mesuré à la fin d'un processus ou d'un événement particulier.ⓘ Tension finale [V₂]			+10% -10%
✖La tension initiale fait référence à la tension présente à un point spécifique d'un circuit au début d'une certaine opération ou dans des conditions spécifiques.ⓘ Tension initiale [V₁]			+10% -10%
✖La capacité de jonction fait référence à la capacité résultant de la région d'appauvrissement entre les bornes source/drain et le substrat.ⓘ Capacité de jonction [C_j]			+10% -10%

✖La capacité équivalente de grand signal est un modèle simplifié utilisé pour représenter l'effet combiné des capacités de jonction aux basses fréquences (régime de grand signal).ⓘ Grande capacité de signal équivalente [C_eq]

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Formule

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Grande capacité de signal équivalente

Formule

`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`

Exemple

`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`

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Grande capacité de signal équivalente Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Grande capacité de signal équivalente = (1/(Tension finale-Tension initiale))*int(Capacité de jonction*x,x,Tension initiale,Tension finale)
C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 4 Variables

Fonctions utilisées

int - L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer la zone nette signée, qui est la zone au-dessus de l'axe des x moins la zone en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)

Variables utilisées

Grande capacité de signal équivalente - (Mesuré en Farad) - La capacité équivalente de grand signal est un modèle simplifié utilisé pour représenter l'effet combiné des capacités de jonction aux basses fréquences (régime de grand signal).
Tension finale - (Mesuré en Volt) - La tension finale fait référence au niveau de tension atteint ou mesuré à la fin d'un processus ou d'un événement particulier.
Tension initiale - (Mesuré en Volt) - La tension initiale fait référence à la tension présente à un point spécifique d'un circuit au début d'une certaine opération ou dans des conditions spécifiques.
Capacité de jonction - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction fait référence à la capacité résultant de la région d'appauvrissement entre les bornes source/drain et le substrat.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension finale: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Vérifiez la conversion ici)
Tension initiale: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de jonction: 95009 Farad --> 95009 Farad Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂) --> (1/(6.135E-09-5.42E-09))*int(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)

Évaluer ... ...

C_eq = 0.0005489144975

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0005489144975 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.0005489144975 ≈ 0.000549 Farad <-- Grande capacité de signal équivalente

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Vignesh Naidu

Institut de technologie de Vellore (VIT), Vellore,Tamil Nadu

Vignesh Naidu a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 21 Transistors MOS Calculatrices

Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))

Réduisez le courant dans la région linéaire

Aller Courant de réduction de la région linéaire = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(2*(Tension de source de porte-Tension de seuil)*Tension de sortie-Tension de sortie^2))

Tension du nœud à une instance donnée

Aller Tension du nœud à une instance donnée = (Facteur de transconductance/Capacité du nœud)*int(exp(-(1/(Résistance des nœuds*Capacité du nœud))*(Période de temps-x))*Courant circulant dans le nœud*x,x,0,Période de temps)

Réduisez le courant dans la région de saturation

Aller Courant de réduction de la région de saturation = sum(x,0,Nombre de transistors à pilote parallèle,(Mobilité électronique*Capacité d'oxyde/2)*(Largeur de canal/Longueur du canal)*(Tension de source de porte-Tension de seuil)^2)

Temps de saturation

Aller Temps de saturation = -2*Capacité de charge/(Paramètre de processus de transconductance*(Tension de sortie élevée-Tension de seuil)^2)*int(1,x,Tension de sortie élevée,Tension de sortie élevée-Tension de seuil)

Courant de drain circulant à travers le transistor MOS

Aller Courant de vidange = (Largeur de canal/Longueur du canal)*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*int((Tension de source de porte-x-Tension de seuil),x,0,Tension de source de drain)

Délai lorsque le NMOS fonctionne dans une région linéaire

Aller Région linéaire en temporisation = -2*Capacité de jonction*int(1/(Paramètre de processus de transconductance*(2*(Tension d'entrée-Tension de seuil)*x-x^2)),x,Tension initiale,Tension finale)

Densité de charge dans la région d'épuisement

Aller Densité de charge de couche d'épuisement = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(Potentiel des surfaces-Potentiel Fermi en vrac)))

Profondeur de la région d'épuisement associée au drain

Aller Profondeur de la région d'épuisement du drain = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potentiel de jonction intégré+Tension de source de drain))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS

Aller Courant de drainage de la région de saturation = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*int(Charge*Paramètre de canal court,x,0,Longueur effective du canal)

Potentiel de Fermi pour le type P

Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)

Potentiel de Fermi pour le type N

Aller Potentiel de Fermi pour le type N = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration de dopant du donneur/Concentration intrinsèque de porteurs)

Profondeur d'épuisement maximale

Aller Profondeur d'épuisement maximale = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potentiel Fermi en vrac))/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Potentiel intégré dans la région d’épuisement

Aller Tension intégrée = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(-2*Potentiel Fermi en vrac)))

Grande capacité de signal équivalente

Aller Grande capacité de signal équivalente = (1/(Tension finale-Tension initiale))*int(Capacité de jonction*x,x,Tension initiale,Tension finale)

Profondeur de la région d'épuisement associée à la source

Aller Profondeur de la région d'épuisement de la source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potentiel de jonction intégré)/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))

Coefficient de biais du substrat

Aller Coefficient de biais du substrat = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur)/Capacité d'oxyde

Capacité équivalente à grande jonction de signal

Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Puissance moyenne dissipée sur une période de temps

Aller Puissance moyenne = (1/Temps total pris)*int(Tension*Actuel,x,0,Temps total pris)

Fonction de travail dans MOSFET

Aller Fonction de travail = Niveau de vide+(Niveau d'énergie de la bande de conduction-Niveau de Fermi)

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

Grande capacité de signal équivalente Formule

Grande capacité de signal équivalente = (1/(Tension finale-Tension initiale))*int(Capacité de jonction*x,x,Tension initiale,Tension finale)
C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂)

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