Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Równoważna duża pojemność sygnału Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Elektronika analogowa
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Układy scalone (IC)
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Tranzystor MOS
Aktualny
Analiza małych sygnałów
Charakterystyka MOSFET-u
Napięcie
Opór
Stronniczy
Transkonduktancja
Ulepszenie kanału N
Ulepszenie kanału P
Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości
Współczynnik odrzucenia sygnału wspólnego (CMRR)
Współczynnik wzmocnienia/wzmocnienie
✖
Napięcie końcowe odnosi się do poziomu napięcia osiągniętego lub zmierzonego na zakończenie określonego procesu lub zdarzenia.
ⓘ
Napięcie końcowe [V
2
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Napięcie początkowe odnosi się do napięcia występującego w określonym punkcie obwodu na początku określonej operacji lub w określonych warunkach.
ⓘ
Napięcie początkowe [V
1
]
Abwolt
Attowolta
Centywolt
decywolt
Dekawolta
EMU potencjału elektrycznego
ESU potencjału elektrycznego
Femtovolt
Gigawolt
hektowolt
Kilowolt
Megawolt
Mikrowolt
Miliwolt
Nanowolt
Petawolt
Picowolt
Planck napięcia
Statwolt
Terawolt
Wolt
Wat/Amper
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Pojemność złącza odnosi się do pojemności wynikającej z obszaru wyczerpania pomiędzy końcówkami źródła/drenu a podłożem.
ⓘ
Pojemność złącza [C
j
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Kulomb/Wolt
Dekafarad
Decyfarad
EMU od pojemności
ESU o pojemności
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
Równoważna pojemność dużego sygnału to uproszczony model używany do przedstawienia połączonego efektu pojemności złączy przy niskich częstotliwościach (reżim dużego sygnału).
ⓘ
Równoważna duża pojemność sygnału [C
eq
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Kulomb/Wolt
Dekafarad
Decyfarad
EMU od pojemności
ESU o pojemności
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Równoważna duża pojemność sygnału
Formuła
`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`
Przykład
`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać MOSFET Formułę PDF
Równoważna duża pojemność sygnału Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Równoważna duża pojemność sygnału
= (1/(
Napięcie końcowe
-
Napięcie początkowe
))*
int
(
Pojemność złącza
*x,x,
Napięcie początkowe
,
Napięcie końcowe
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
Ta formuła używa
1
Funkcje
,
4
Zmienne
Używane funkcje
int
- Całkę oznaczoną można wykorzystać do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, czyli obszaru nad osią x minus pole pod osią x., int(expr, arg, from, to)
Używane zmienne
Równoważna duża pojemność sygnału
-
(Mierzone w Farad)
- Równoważna pojemność dużego sygnału to uproszczony model używany do przedstawienia połączonego efektu pojemności złączy przy niskich częstotliwościach (reżim dużego sygnału).
Napięcie końcowe
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie końcowe odnosi się do poziomu napięcia osiągniętego lub zmierzonego na zakończenie określonego procesu lub zdarzenia.
Napięcie początkowe
-
(Mierzone w Wolt)
- Napięcie początkowe odnosi się do napięcia występującego w określonym punkcie obwodu na początku określonej operacji lub w określonych warunkach.
Pojemność złącza
-
(Mierzone w Farad)
- Pojemność złącza odnosi się do pojemności wynikającej z obszaru wyczerpania pomiędzy końcówkami źródła/drenu a podłożem.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie końcowe:
6.135 Nanowolt --> 6.135E-09 Wolt
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Napięcie początkowe:
5.42 Nanowolt --> 5.42E-09 Wolt
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Pojemność złącza:
95009 Farad --> 95009 Farad Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
C
eq
= (1/(V
2
-V
1
))*int(C
j
*x,x,V
1
,V
2
) -->
(1/(6.135E-09-5.42E-09))*
int
(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)
Ocenianie ... ...
C
eq
= 0.0005489144975
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.0005489144975 Farad --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.0005489144975
≈
0.000549 Farad
<--
Równoważna duża pojemność sygnału
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
MOSFET
»
Elektronika analogowa
»
Tranzystor MOS
»
Równoważna duża pojemność sygnału
Kredyty
Stworzone przez
Vignesha Naidu
Instytut Technologii Vellore
(WIT)
,
Vellore, Tamil Nadu
Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Dipanjona Mallick
Instytut Dziedzictwa Technologicznego
(UDERZENIE)
,
Kalkuta
Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
21 Tranzystor MOS Kalkulatory
Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
Iść
Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
= -(2*
sqrt
(
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych
)/(
Napięcie końcowe
-
Napięcie początkowe
)*(
sqrt
(
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych
-
Napięcie końcowe
)-
sqrt
(
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych
-
Napięcie początkowe
)))
Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym
Iść
Region liniowy Prądu ściągającego
=
sum
(x,0,
Liczba równoległych tranzystorów sterujących
,(
Mobilność elektronów
*
Pojemność tlenkowa
/2)*(
Szerokość kanału
/
Długość kanału
)*(2*(
Napięcie źródła bramki
-
Próg napięcia
)*
Napięcie wyjściowe
-
Napięcie wyjściowe
^2))
Napięcie węzła w danym przypadku
Iść
Napięcie węzła w danym przypadku
= (
Współczynnik transkonduktancji
/
Pojemność węzła
)*
int
(
exp
(-(1/(
Opór węzła
*
Pojemność węzła
))*(
Okres czasu
-x))*
Prąd wpływający do węzła
*x,x,0,
Okres czasu
)
Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia
Iść
Prąd ściągania obszaru nasycenia
=
sum
(x,0,
Liczba równoległych tranzystorów sterujących
,(
Mobilność elektronów
*
Pojemność tlenkowa
/2)*(
Szerokość kanału
/
Długość kanału
)*(
Napięcie źródła bramki
-
Próg napięcia
)^2)
Czas nasycenia
Iść
Czas nasycenia
= -2*
Pojemność obciążenia
/(
Parametr procesu transkonduktancji
*(
Wysokie napięcie wyjściowe
-
Próg napięcia
)^2)*
int
(1,x,
Wysokie napięcie wyjściowe
,
Wysokie napięcie wyjściowe
-
Próg napięcia
)
Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS
Iść
Prąd spustowy
= (
Szerokość kanału
/
Długość kanału
)*
Mobilność elektronów
*
Pojemność tlenkowa
*
int
((
Napięcie źródła bramki
-x-
Próg napięcia
),x,0,
Napięcie źródła drenu
)
Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym
Iść
Region liniowy w opóźnieniu czasowym
= -2*
Pojemność złącza
*
int
(1/(
Parametr procesu transkonduktancji
*(2*(
Napięcie wejściowe
-
Próg napięcia
)*x-x^2)),x,
Napięcie początkowe
,
Napięcie końcowe
)
Gęstość ładunku w regionie wyczerpania
Iść
Gęstość ładunku warstwy zubożonej
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingujące stężenie akceptora
*
modulus
(
Potencjał powierzchni
-
Masowy potencjał Fermiego
)))
Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem
Iść
Region głębokości wyczerpania drenażu
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Wbudowany potencjał połączenia
+
Napięcie źródła drenu
))/(
[Charge-e]
*
Dopingujące stężenie akceptora
))
Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS
Iść
Prąd drenu obszaru nasycenia
=
Szerokość kanału
*
Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu
*
int
(
Opłata
*
Parametr krótkiego kanału
,x,0,
Efektywna długość kanału
)
Maksymalna głębokość wyczerpania
Iść
Maksymalna głębokość wyczerpania
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Masowy potencjał Fermiego
))/(
[Charge-e]
*
Dopingujące stężenie akceptora
))
Równoważna duża pojemność sygnału
Iść
Równoważna duża pojemność sygnału
= (1/(
Napięcie końcowe
-
Napięcie początkowe
))*
int
(
Pojemność złącza
*x,x,
Napięcie początkowe
,
Napięcie końcowe
)
Potencjał Fermiego dla typu P
Iść
Potencjał Fermiego dla typu P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Wewnętrzne stężenie nośnika
/
Dopingujące stężenie akceptora
)
Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania
Iść
Wbudowane napięcie
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingujące stężenie akceptora
*
modulus
(-2*
Masowy potencjał Fermiego
)))
Potencjał Fermiego dla typu N
Iść
Potencjał Fermiego dla typu N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absolutna
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Stężenie domieszki dawcy
/
Wewnętrzne stężenie nośnika
)
Region głębokości wyczerpania powiązany ze źródłem
Iść
Region głębokości wyczerpania źródła
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Wbudowany potencjał połączenia
)/(
[Charge-e]
*
Dopingujące stężenie akceptora
))
Współczynnik odchylenia podłoża
Iść
Współczynnik odchylenia podłoża
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingujące stężenie akceptora
)/
Pojemność tlenkowa
Równoważna pojemność złącza dużego sygnału
Iść
Równoważna pojemność złącza dużego sygnału
=
Obwód ściany bocznej
*
Pojemność złącza ściany bocznej
*
Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej
Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu
Iść
Średnia moc
= (1/
Całkowity czas
)*
int
(
Napięcie
*
Aktualny
,x,0,
Całkowity zajęty czas
)
Funkcja pracy w MOSFET-ie
Iść
Funkcja pracy
=
Poziom próżni
+(
Poziom energii pasma przewodnictwa
-
Poziom Fermiego
)
Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości
Iść
Pojemność złącza ściany bocznej
=
Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej
*
Głębokość ściany bocznej
Równoważna duża pojemność sygnału Formułę
Równoważna duża pojemność sygnału
= (1/(
Napięcie końcowe
-
Napięcie początkowe
))*
int
(
Pojemność złącza
*x,x,
Napięcie początkowe
,
Napięcie końcowe
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!