Calculadora A a Z
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Resistência
Taxa de rejeição de modo comum (CMRR)
Tendência
Tensão
Transcondutância
✖
Tensão Final refere-se ao nível de tensão alcançado ou medido na conclusão de um processo ou evento específico.
ⓘ
Tensão Final [V
2
]
Abvolt
Attovolt
Centivot
Decivolt
Decavolt
EMU de potencial elétrico
ESU de potencial elétrico
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Tensão Inicial refere-se à tensão presente em um ponto específico de um circuito no início de uma determinada operação ou sob condições específicas.
ⓘ
Tensão Inicial [V
1
]
Abvolt
Attovolt
Centivot
Decivolt
Decavolt
EMU de potencial elétrico
ESU de potencial elétrico
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Capacitância de junção refere-se à capacitância resultante da região de depleção entre os terminais fonte/dreno e o substrato.
ⓘ
Capacitância de Junção [C
j
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb/Volt
Decafarad
Decifarad
EMU de Capacitância
ESU de Capacitância
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarad
Quilofarad
Megafarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
+10%
-10%
✖
A capacitância equivalente de sinal grande é um modelo simplificado usado para representar o efeito combinado das capacitâncias de junção em baixas frequências (regime de sinal grande).
ⓘ
Capacitância equivalente de sinal grande [C
eq
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb/Volt
Decafarad
Decifarad
EMU de Capacitância
ESU de Capacitância
Exafarad
Farad
FemtoFarad
Gigafarad
Hectofarad
Quilofarad
Megafarad
Microfarad
Milifarad
Nanofarad
Petafarad
Picofarad
Statfarad
Terafarad
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Fórmula
✖
Capacitância equivalente de sinal grande
Fórmula
`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`
Exemplo
`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`
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Capacitância equivalente de sinal grande Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância equivalente de sinal grande
= (1/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
))*
int
(
Capacitância de Junção
*x,x,
Tensão Inicial
,
Tensão Final
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
Esta fórmula usa
1
Funções
,
4
Variáveis
Funções usadas
int
- A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida sinalizada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x., int(expr, arg, from, to)
Variáveis Usadas
Capacitância equivalente de sinal grande
-
(Medido em Farad)
- A capacitância equivalente de sinal grande é um modelo simplificado usado para representar o efeito combinado das capacitâncias de junção em baixas frequências (regime de sinal grande).
Tensão Final
-
(Medido em Volt)
- Tensão Final refere-se ao nível de tensão alcançado ou medido na conclusão de um processo ou evento específico.
Tensão Inicial
-
(Medido em Volt)
- Tensão Inicial refere-se à tensão presente em um ponto específico de um circuito no início de uma determinada operação ou sob condições específicas.
Capacitância de Junção
-
(Medido em Farad)
- Capacitância de junção refere-se à capacitância resultante da região de depleção entre os terminais fonte/dreno e o substrato.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Final:
6.135 Nanovalt --> 6.135E-09 Volt
(Verifique a conversão
aqui
)
Tensão Inicial:
5.42 Nanovalt --> 5.42E-09 Volt
(Verifique a conversão
aqui
)
Capacitância de Junção:
95009 Farad --> 95009 Farad Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
C
eq
= (1/(V
2
-V
1
))*int(C
j
*x,x,V
1
,V
2
) -->
(1/(6.135E-09-5.42E-09))*
int
(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)
Avaliando ... ...
C
eq
= 0.0005489144975
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.0005489144975 Farad --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.0005489144975
≈
0.000549 Farad
<--
Capacitância equivalente de sinal grande
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)
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Capacitância equivalente de sinal grande
Créditos
Criado por
Vignesh Naidu
Instituto Vellore de Tecnologia
(VITA)
,
Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia
(HITK)
,
Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
21 Transistor MOS Calculadoras
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Vai
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
= -(2*
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
)/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
)*(
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Final
)-
sqrt
(
Potencial integrado de junções de paredes laterais
-
Tensão Inicial
)))
Puxar para baixo a corrente na região linear
Vai
Corrente de redução da região linear
=
sum
(x,0,
Número de transistores de driver paralelo
,(
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
/2)*(
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*(2*(
Tensão da Fonte da Porta
-
Tensão de limiar
)*
Voltagem de saída
-
Voltagem de saída
^2))
Tensão do nó em determinada instância
Vai
Tensão do nó em determinada instância
= (
Fator de Transcondutância
/
Capacitância do nó
)*
int
(
exp
(-(1/(
Resistência do nó
*
Capacitância do nó
))*(
Período de tempo
-x))*
Corrente fluindo para o nó
*x,x,0,
Período de tempo
)
Puxe para baixo a corrente na região de saturação
Vai
Corrente de redução da região de saturação
=
sum
(x,0,
Número de transistores de driver paralelo
,(
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
/2)*(
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*(
Tensão da Fonte da Porta
-
Tensão de limiar
)^2)
Tempo de saturação
Vai
Tempo de saturação
= -2*
Capacitância de Carga
/(
Parâmetro do Processo de Transcondutância
*(
Alta Tensão de Saída
-
Tensão de limiar
)^2)*
int
(1,x,
Alta Tensão de Saída
,
Alta Tensão de Saída
-
Tensão de limiar
)
Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS
Vai
Corrente de drenagem
= (
Largura de banda
/
Comprimento do canal
)*
Mobilidade Eletrônica
*
Capacitância de Óxido
*
int
((
Tensão da Fonte da Porta
-x-
Tensão de limiar
),x,0,
Tensão da fonte de drenagem
)
Densidade de Carga da Região de Esgotamento
Vai
Densidade de Carga da Camada de Esgotamento
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
*
modulus
(
Potencial de Superfície
-
Potencial de Fermi em massa
)))
Atraso de tempo quando o NMOS opera na região linear
Vai
Região Linear em Atraso de Tempo
= -2*
Capacitância de Junção
*
int
(1/(
Parâmetro do Processo de Transcondutância
*(2*(
Tensão de entrada
-
Tensão de limiar
)*x-x^2)),x,
Tensão Inicial
,
Tensão Final
)
Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno
Vai
Região de profundidade de esgotamento do dreno
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potencial de junção integrado
+
Tensão da fonte de drenagem
))/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS
Vai
Corrente de drenagem da região de saturação
=
Largura de banda
*
Velocidade de deriva de elétrons de saturação
*
int
(
Carregar
*
Parâmetro de canal curto
,x,0,
Comprimento Efetivo do Canal
)
Profundidade Máxima de Esgotamento
Vai
Profundidade Máxima de Esgotamento
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potencial de Fermi em massa
))/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Potencial de Fermi para tipo P
Vai
Potencial de Fermi para tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração Intrínseca de Portadores
/
Concentração de Dopagem do Aceitante
)
Potencial de Fermi para tipo N
Vai
Potencial de Fermi para tipo N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura absoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentração de dopante doador
/
Concentração Intrínseca de Portadores
)
Potencial integrado na região de esgotamento
Vai
Tensão embutida
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
*
modulus
(-2*
Potencial de Fermi em massa
)))
Capacitância equivalente de sinal grande
Vai
Capacitância equivalente de sinal grande
= (1/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
))*
int
(
Capacitância de Junção
*x,x,
Tensão Inicial
,
Tensão Final
)
Profundidade da região de esgotamento associada à fonte
Vai
Região de profundidade de esgotamento da fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Potencial de junção integrado
)/(
[Charge-e]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
))
Coeficiente de polarização do substrato
Vai
Coeficiente de polarização do substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentração de Dopagem do Aceitante
)/
Capacitância de Óxido
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
Vai
Capacitância equivalente de junção de sinal grande
=
Perímetro da parede lateral
*
Capacitância de Junção Lateral
*
Fator de equivalência de tensão na parede lateral
Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo
Vai
Potencia média
= (1/
Tempo total gasto
)*
int
(
Tensão
*
Atual
,x,0,
Tempo Total Levado
)
Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento
Vai
Capacitância de Junção Lateral
=
Potencial de junção da parede lateral com polarização zero
*
Profundidade da parede lateral
Função de trabalho no MOSFET
Vai
Função no trabalho
=
Nível de vácuo
+(
Nível de energia da banda de condução
-
Nível Fermi
)
Capacitância equivalente de sinal grande Fórmula
Capacitância equivalente de sinal grande
= (1/(
Tensão Final
-
Tensão Inicial
))*
int
(
Capacitância de Junção
*x,x,
Tensão Inicial
,
Tensão Final
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
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