Capacità equivalente di segnale grande calcolatrice

✖La tensione finale si riferisce al livello di tensione raggiunto o misurato al termine di un particolare processo o evento.ⓘ Voltaggio finale [V₂]			+10% -10%
✖La tensione iniziale si riferisce alla tensione presente in un punto specifico di un circuito all'inizio di una determinata operazione o in condizioni specifiche.ⓘ Tensione iniziale [V₁]			+10% -10%
✖La capacità di giunzione si riferisce alla capacità derivante dalla regione di svuotamento tra i terminali source/drain e il substrato.ⓘ Capacità di giunzione [C_j]			+10% -10%

✖La capacità equivalente di segnale grande è un modello semplificato utilizzato per rappresentare l'effetto combinato delle capacità di giunzione alle basse frequenze (regime di segnale grande).ⓘ Capacità equivalente di segnale grande [C_eq]

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Formula

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Capacità equivalente di segnale grande

Formula

`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`

Esempio

`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`

Calcolatrice

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Capacità equivalente di segnale grande Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità equivalente di segnale grande = (1/(Voltaggio finale-Tensione iniziale))*int(Capacità di giunzione*x,x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)
C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili

Funzioni utilizzate

int - L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, ovvero l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x., int(expr, arg, from, to)

Variabili utilizzate

Capacità equivalente di segnale grande - (Misurato in Farad) - La capacità equivalente di segnale grande è un modello semplificato utilizzato per rappresentare l'effetto combinato delle capacità di giunzione alle basse frequenze (regime di segnale grande).
Voltaggio finale - (Misurato in Volt) - La tensione finale si riferisce al livello di tensione raggiunto o misurato al termine di un particolare processo o evento.
Tensione iniziale - (Misurato in Volt) - La tensione iniziale si riferisce alla tensione presente in un punto specifico di un circuito all'inizio di una determinata operazione o in condizioni specifiche.
Capacità di giunzione - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione si riferisce alla capacità derivante dalla regione di svuotamento tra i terminali source/drain e il substrato.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Voltaggio finale: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Controlla la conversione qui)
Tensione iniziale: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Controlla la conversione qui)
Capacità di giunzione: 95009 Farad --> 95009 Farad Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂) --> (1/(6.135E-09-5.42E-09))*int(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)

Valutare ... ...

C_eq = 0.0005489144975

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0005489144975 Farad --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0005489144975 ≈ 0.000549 Farad <-- Capacità equivalente di segnale grande

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Vignesh Naidu

Vellore Istituto di Tecnologia (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 21 Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))

Abbassa la corrente nella regione lineare

Partire Corrente di abbassamento della regione lineare = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(2*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)*Tensione di uscita-Tensione di uscita^2))

Tensione del nodo in una determinata istanza

Partire Tensione del nodo in una determinata istanza = (Fattore di transconduttanza/Capacità del nodo)*int(exp(-(1/(Resistenza del nodo*Capacità del nodo))*(Periodo di tempo-x))*Corrente che scorre nel nodo*x,x,0,Periodo di tempo)

Abbassa la corrente nella regione di saturazione

Partire Regione di saturazione Abbassa corrente = sum(x,0,Numero di transistor del driver parallelo,(Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido/2)*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione della sorgente di gate-Soglia di voltaggio)^2)

Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS

Partire Assorbimento di corrente = (Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*int((Tensione della sorgente di gate-x-Soglia di voltaggio),x,0,Tensione della sorgente di drenaggio)

Tempo di saturazione

Partire Tempo di saturazione = -2*Capacità di carico/(Parametro del processo di transconduttanza*(Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)^2)*int(1,x,Alta tensione di uscita,Alta tensione di uscita-Soglia di voltaggio)

Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare

Partire Regione lineare nel ritardo temporale = -2*Capacità di giunzione*int(1/(Parametro del processo di transconduttanza*(2*(Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)*x-x^2)),x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)

Densità di carica della regione di esaurimento

Partire Densità della carica dello strato di esaurimento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(Potenziale di superficie-Potenziale di Fermi in massa)))

Profondità della regione di svuotamento associata allo scarico

Partire Regione della profondità di esaurimento del drenaggio = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potenziale di giunzione incorporato+Tensione della sorgente di drenaggio))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS

Partire Corrente di drenaggio della regione di saturazione = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*int(Carica*Parametro del canale corto,x,0,Lunghezza effettiva del canale)

Potenziale di Fermi per il tipo P

Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)

Potenziale di Fermi per il tipo N

Partire Potenziale di Fermi per il tipo N = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione del drogante del donatore/Concentrazione intrinseca del portatore)

Profondità massima di esaurimento

Partire Profondità massima di esaurimento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potenziale di Fermi in massa))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Potenziale incorporato nella regione di esaurimento

Partire Voltaggio integrato = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(-2*Potenziale di Fermi in massa)))

Profondità della regione di esaurimento associata alla sorgente

Partire Regione della profondità di esaurimento della fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potenziale di giunzione incorporato)/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore))

Capacità equivalente di segnale grande

Partire Capacità equivalente di segnale grande = (1/(Voltaggio finale-Tensione iniziale))*int(Capacità di giunzione*x,x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)

Coefficiente di polarizzazione del substrato

Partire Coefficiente di polarizzazione del substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore)/Capacità dell'ossido

Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Potenza media dissipata in un periodo di tempo

Partire Potenza media = (1/Tempo totale impiegato)*int(Voltaggio*Attuale,x,0,Tempo totale impiegato)

Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

Funzione di lavoro in MOSFET

Partire Funzione di lavoro = Livello di vuoto+(Livello energetico della banda di conduzione-Livello Fermi)

Capacità equivalente di segnale grande Formula

Capacità equivalente di segnale grande = (1/(Voltaggio finale-Tensione iniziale))*int(Capacità di giunzione*x,x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)
C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂)

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