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Äquivalente Großsignalkapazität Taschenrechner
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N-Kanal-Verbesserung
P-Kanal-Verbesserung
Steilheit
Stromspannung
Verstärkungsfaktor/Verstärkung
Voreingenommenheit
Widerstand
✖
Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.
ⓘ
Endspannung [V
2
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.
ⓘ
Anfangsspannung [V
1
]
Abvolt
Attovolt
Zentivolt
Dezivolt
Dekavolt
EMU des elektrischen Potentials
ESU des elektrischen Potenzials
Femtovolt
Gigavolt
Hektovolt
Kilovolt
Megavolt
Mikrovolt
Millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Spannung
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
Unter Übergangskapazität versteht man die Kapazität, die aus dem Verarmungsbereich zwischen den Source/Drain-Anschlüssen und dem Substrat entsteht.
ⓘ
Sperrschichtkapazität [C
j
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Dekafarad
Dezifarad
EMU der Kapazitanz
ESU der Kapazität
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
Pikofarad
Statfarad
Terrafarad
+10%
-10%
✖
Die äquivalente Großsignalkapazität ist ein vereinfachtes Modell, das zur Darstellung der kombinierten Wirkung der Sperrschichtkapazitäten bei niedrigen Frequenzen (Großsignalbereich) verwendet wird.
ⓘ
Äquivalente Großsignalkapazität [C
eq
]
Abfarad
Attofarad
Centifarad
Coulomb / Volt
Dekafarad
Dezifarad
EMU der Kapazitanz
ESU der Kapazität
Exafarad
Farad
Femtofarad
Gigafarad
Hektofarad
Kilofarad
Megafarad
Mikrofarad
Millifarad
Nanofarad
Petafarad
Pikofarad
Statfarad
Terrafarad
⎘ Kopie
Schritte
👎
Formel
✖
Äquivalente Großsignalkapazität
Formel
`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`
Beispiel
`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`
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Äquivalente Großsignalkapazität Lösung
SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Äquivalente Großsignalkapazität
= (1/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
))*
int
(
Sperrschichtkapazität
*x,x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
Diese formel verwendet
1
Funktionen
,
4
Variablen
Verwendete Funktionen
int
- Das bestimmte Integral kann zur Berechnung der vorzeichenbehafteten Nettofläche verwendet werden, d. h. der Fläche über der x-Achse minus der Fläche unter der x-Achse., int(expr, arg, from, to)
Verwendete Variablen
Äquivalente Großsignalkapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Die äquivalente Großsignalkapazität ist ein vereinfachtes Modell, das zur Darstellung der kombinierten Wirkung der Sperrschichtkapazitäten bei niedrigen Frequenzen (Großsignalbereich) verwendet wird.
Endspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.
Anfangsspannung
-
(Gemessen in Volt)
- Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.
Sperrschichtkapazität
-
(Gemessen in Farad)
- Unter Übergangskapazität versteht man die Kapazität, die aus dem Verarmungsbereich zwischen den Source/Drain-Anschlüssen und dem Substrat entsteht.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Endspannung:
6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Anfangsspannung:
5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt
(Überprüfen sie die konvertierung
hier
)
Sperrschichtkapazität:
95009 Farad --> 95009 Farad Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
C
eq
= (1/(V
2
-V
1
))*int(C
j
*x,x,V
1
,V
2
) -->
(1/(6.135E-09-5.42E-09))*
int
(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)
Auswerten ... ...
C
eq
= 0.0005489144975
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0005489144975 Farad --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0005489144975
≈
0.000549 Farad
<--
Äquivalente Großsignalkapazität
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)
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MOS-Transistor
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Äquivalente Großsignalkapazität
Credits
Erstellt von
Vignesh Naidu
Vellore Institut für Technologie
(VIT)
,
Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Geprüft von
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(HITK)
,
Kalkutta
Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!
<
21 MOS-Transistor Taschenrechner
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Gehen
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
= -(2*
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
)/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
)*(
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Endspannung
)-
sqrt
(
Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen
-
Anfangsspannung
)))
Ziehen Sie den Strom im linearen Bereich herunter
Gehen
Pulldown-Strom im linearen Bereich
=
sum
(x,0,
Anzahl paralleler Treibertransistoren
,(
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
/2)*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*(2*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)*
Ausgangsspannung
-
Ausgangsspannung
^2))
Knotenspannung bei gegebener Instanz
Gehen
Knotenspannung bei gegebener Instanz
= (
Transkonduktanzfaktor
/
Knotenkapazität
)*
int
(
exp
(-(1/(
Knotenwiderstand
*
Knotenkapazität
))*(
Zeitraum
-x))*
In den Knoten fließender Strom
*x,x,0,
Zeitraum
)
Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich
Gehen
Sättigungsbereich Pulldown-Strom
=
sum
(x,0,
Anzahl paralleler Treibertransistoren
,(
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
/2)*(
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*(
Gate-Source-Spannung
-
Grenzspannung
)^2)
Sättigungszeit
Gehen
Sättigungszeit
= -2*
Ladekapazität
/(
Transkonduktanz-Prozessparameter
*(
Hohe Ausgangsspannung
-
Grenzspannung
)^2)*
int
(1,x,
Hohe Ausgangsspannung
,
Hohe Ausgangsspannung
-
Grenzspannung
)
Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet
Gehen
Linearer Bereich in der Zeitverzögerung
= -2*
Sperrschichtkapazität
*
int
(1/(
Transkonduktanz-Prozessparameter
*(2*(
Eingangsspannung
-
Grenzspannung
)*x-x^2)),x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
Drainstrom fließt durch den MOS-Transistor
Gehen
Stromverbrauch
= (
Kanalbreite
/
Kanallänge
)*
Elektronenmobilität
*
Oxidkapazität
*
int
((
Gate-Source-Spannung
-x-
Grenzspannung
),x,0,
Drain-Quellenspannung
)
Ladungsdichte im Verarmungsbereich
Gehen
Dichte der Sperrschichtladung
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(
Oberflächenpotential
-
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Tiefe der mit dem Abfluss verbundenen Erschöpfungsregion
Gehen
Region der Erschöpfungstiefe von Drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Eingebautes Verbindungspotential
+
Drain-Quellenspannung
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Drainstrom im Sättigungsbereich im MOS-Transistor
Gehen
Drainstrom im Sättigungsbereich
=
Kanalbreite
*
Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit
*
int
(
Aufladen
*
Kurzkanalparameter
,x,0,
Effektive Kanallänge
)
Maximale Erschöpfungstiefe
Gehen
Maximale Erschöpfungstiefe
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Bulk-Fermi-Potenzial
))/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Fermipotential für P-Typ
Gehen
Fermipotential für P-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsische Trägerkonzentration
/
Dopingkonzentration des Akzeptors
)
Fermipotential für N-Typ
Gehen
Fermipotential für N-Typ
= (
[BoltZ]
*
Absolute Temperatur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Donator-Dotierstoffkonzentration
/
Intrinsische Trägerkonzentration
)
Eingebautes Potenzial in der Erschöpfungsregion
Gehen
Eingebaute Spannung
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
*
modulus
(-2*
Bulk-Fermi-Potenzial
)))
Mit der Quelle verbundene Tiefe der Erschöpfungsregion
Gehen
Region der Erschöpfungstiefe der Quelle
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Eingebautes Verbindungspotential
)/(
[Charge-e]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
))
Äquivalente Großsignalkapazität
Gehen
Äquivalente Großsignalkapazität
= (1/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
))*
int
(
Sperrschichtkapazität
*x,x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
Substrat-Vorspannungskoeffizient
Gehen
Substrat-Vorspannungskoeffizient
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingkonzentration des Akzeptors
)/
Oxidkapazität
Durchschnittliche Verlustleistung über einen bestimmten Zeitraum
Gehen
Durchschnittliche Kraft
= (1/
Gesamtzeitaufwand
)*
int
(
Stromspannung
*
Aktuell
,x,0,
Gesamtzeitaufwand
)
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
Gehen
Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität
=
Umfang der Seitenwand
*
Seitenwandübergangskapazität
*
Äquivalenzfaktor der Seitenwandspannung
Arbeitsfunktion im MOSFET
Gehen
Arbeitsfuntkion
=
Vakuumniveau
+(
Energieniveau des Leitungsbandes
-
Fermi-Level
)
Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit
Gehen
Seitenwandübergangskapazität
=
Null-Bias-Seitenwandübergangspotential
*
Tiefe der Seitenwand
Äquivalente Großsignalkapazität Formel
Äquivalente Großsignalkapazität
= (1/(
Endspannung
-
Anfangsspannung
))*
int
(
Sperrschichtkapazität
*x,x,
Anfangsspannung
,
Endspannung
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
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