Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke dragerconcentratie [n_i]			+10% -10%
✖Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.ⓘ Concentratie van minderheidsdragers [p₀]			+10% -10%

✖Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.ⓘ Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type [n₀]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Formule

`"n"_{"0"} = "n"_{"i"}^2/"p"_{"0"}`

Voorbeeld

`"1.6E^8/m³"=("1.2e8/m³")^2/"9.1e7/m³"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf PDF Image

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n₀ = n_i^2/p₀
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Meerderheid Carrier Concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Majority Carrier Concentration is het aantal dragers in de geleidingsband zonder extern toegepaste bias.
Intrinsieke dragerconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerconcentratie is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Concentratie van minderheidsdragers - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Minority Carrier Concentration is het aantal dragers in de valentieband zonder extern toegepaste bias.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Intrinsieke dragerconcentratie: 120000000 1 per kubieke meter --> 120000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Concentratie van minderheidsdragers: 91000000 1 per kubieke meter --> 91000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n₀ = n_i^2/p₀ --> 120000000^2/91000000

Evalueren ... ...

n₀ = 158241758.241758

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

158241758.241758 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

158241758.241758 ≈ 1.6E+8 1 per kubieke meter <-- Meerderheid Carrier Concentratie

(Berekening voltooid in 00.007 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Credits

Gemaakt door Akshada Kulkarni

Nationaal instituut voor informatietechnologie (NIT), Neemrana

Akshada Kulkarni heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 500+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), India

Team Softusvista heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1100+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type Formule

Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers
n₀ = n_i^2/p₀

Hoe wordt de concentratie van de meerderheid van de drager beïnvloed door de concentratie van onzuiverheden in de donor?

de concentratie van de meerderheids-dragerelektronen in thermisch evenwicht is in wezen gelijk aan de concentratie van de donoronzuiverheid. De thermisch-evenwichtsmeerderheids- en minderheidsdragersconcentraties kunnen vele ordes van grootte verschillen. Als de concentratie van de donoronzuiverheid niet te veel verschilt van de intrinsieke dragerconcentratie, wordt de thermisch-evenwichtsmeerderheid van de dragerelektronenconcentratie beïnvloed door de intrinsieke concentratie.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!