Maksymalna dopuszczalna moc Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Maksymalna dopuszczalna moc = 1/(Reaktancja*Częstotliwość graniczna czasu tranzytu^2)*(Maksymalne pole elektryczne*Maksymalna prędkość dryfu nasycenia/(2*pi))^2
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2
Ta formuła używa 1 Stałe, 5 Zmienne
Używane stałe
pi - Stała Archimedesa Wartość przyjęta jako 3.14159265358979323846264338327950288
Używane zmienne
Maksymalna dopuszczalna moc - (Mierzone w Wat) - Maksymalna dopuszczalna moc maksymalna ilość mocy, jaką może obsłużyć system lub komponent bez przekraczania ograniczeń projektowych i ryzyka uszkodzenia.
Reaktancja - (Mierzone w Om) - Reaktancja opisuje opór, jaki element (taki jak kondensator lub cewka indukcyjna) przedstawia przepływowi prądu przemiennego (AC).
Częstotliwość graniczna czasu tranzytu - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość graniczna czasu przejścia jest powiązana z czasem potrzebnym nośnikom ładunku (elektronom lub dziurom) na przejście przez urządzenie.
Maksymalne pole elektryczne - (Mierzone w Wolt na metr) - Maksymalne pole elektryczne pole wektorowe opisujące siłę, jakiej doświadcza naładowana cząstka w dowolnym punkcie przestrzeni.
Maksymalna prędkość dryfu nasycenia - (Mierzone w Metr na sekundę) - Maksymalna prędkość dryfu nasycenia odnosi się do największej osiągalnej prędkości dryfu nośników ładunku w materiale półprzewodnikowym pod wpływem pola elektrycznego, osiągającej nasycenie.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Reaktancja: 0.0056 Om --> 0.0056 Om Nie jest wymagana konwersja
Częstotliwość graniczna czasu tranzytu: 2.08 Herc --> 2.08 Herc Nie jest wymagana konwersja
Maksymalne pole elektryczne: 24 Wolt na metr --> 24 Wolt na metr Nie jest wymagana konwersja
Maksymalna prędkość dryfu nasycenia: 53 Metr na sekundę --> 53 Metr na sekundę Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2 --> 1/(0.0056*2.08^2)*(24*53/(2*pi))^2
Ocenianie ... ...
Pm = 1691608.22832704
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1691608.22832704 Wat --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1691608.22832704 1.7E+6 Wat <-- Maksymalna dopuszczalna moc
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick
Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta
Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

10+ Wzmacniacze tranzystorowe Kalkulatory

Zysk mocy konwertera obniżającego, biorąc pod uwagę współczynnik degradacji
​ Iść Wzmocnienie mocy konwertera obniżającego = Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)/(1+sqrt(1+(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)))^2
Uzyskaj współczynnik degradacji dla MESFET
​ Iść Zyskaj współczynnik degradacji = Częstotliwość wyjściowa/Częstotliwość sygnału*(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)/(1+sqrt(1+(Częstotliwość sygnału/Częstotliwość wyjściowa*(Figura Zasługi)^2)))^2
Współczynnik szumu GaAs MESFET
​ Iść Współczynnik hałasu = 1+2*Częstotliwość kątowa*Pojemność źródła bramki/Transkonduktancja MESFET-u*sqrt((Opór źródła-Opór bramy)/Rezystancja wejściowa)
Maksymalna częstotliwość robocza
​ Iść Maksymalna częstotliwość robocza = Częstotliwość odcięcia MESFET/2*sqrt(Odporność na drenaż/(Opór źródła+Rezystancja wejściowa+Odporność na metalizację bramy))
Maksymalna dopuszczalna moc
​ Iść Maksymalna dopuszczalna moc = 1/(Reaktancja*Częstotliwość graniczna czasu tranzytu^2)*(Maksymalne pole elektryczne*Maksymalna prędkość dryfu nasycenia/(2*pi))^2
Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego
​ Iść Maksymalne wzmocnienie mocy tranzystora mikrofalowego = (Częstotliwość graniczna czasu tranzytu/Częstotliwość wzmocnienia mocy)^2*Impedancja wyjściowa/Impedancja wejściowa
Transkonduktancja w obszarze nasycenia w MESFET
​ Iść Transkonduktancja MESFET-u = Przewodność wyjściowa*(1-sqrt((Napięcie wejściowe-Próg napięcia)/Napięcie odcięcia))
Częstotliwość odcięcia MESFET
​ Iść Częstotliwość odcięcia MESFET = Transkonduktancja MESFET-u/(2*pi*Pojemność źródła bramki)
Kąt przejścia
​ Iść Kąt przejścia = Częstotliwość kątowa*Długość przestrzeni dryfu/Prędkość dryfu przewoźnika
Maksymalna częstotliwość oscylacji
​ Iść Maksymalna częstotliwość oscylacji = Prędkość nasycenia/(2*pi*Długość kanału)

Maksymalna dopuszczalna moc Formułę

Maksymalna dopuszczalna moc = 1/(Reaktancja*Częstotliwość graniczna czasu tranzytu^2)*(Maksymalne pole elektryczne*Maksymalna prędkość dryfu nasycenia/(2*pi))^2
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!