Puissance maximale autorisée Calculatrice

✖La réactance décrit l'opposition qu'un élément (tel qu'un condensateur ou une inductance) présente au flux de courant alternatif (AC).ⓘ Réactance [Χ_c]			+10% -10%
✖La fréquence de coupure du temps de transit est liée au temps nécessaire aux porteurs de charge (électrons ou trous) pour transiter à travers l'appareil.ⓘ Fréquence limite du temps de transit [f_TC]			+10% -10%
✖Champ électrique maximum : un champ vectoriel qui décrit la force subie par une particule chargée en un point donné de l'espace.ⓘ Champ électrique maximal [E_m]			+10% -10%
✖La vitesse de dérive maximale de saturation fait référence à la vitesse de dérive la plus élevée possible des porteurs de charge dans un matériau semi-conducteur sous l'influence d'un champ électrique, atteignant la saturation.ⓘ Vitesse maximale de dérive de saturation [V_s]			+10% -10%

✖Puissance maximale autorisée : quantité maximale de puissance que le système ou le composant peut gérer sans dépasser ses limites de conception ni risquer de dommages.ⓘ Puissance maximale autorisée [P_m]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Puissance maximale autorisée

Formule

`"P"_{"m"} = 1/("Χ"_{"c"}*"f"_{"TC"}^2)*("E"_{"m"}*"V"_{"s"}/(2*pi))^2`

Exemple

`"1.7E^6W"=1/("0.0056Ω"*("2.08Hz")^2)*("24V/m"*"53m/s"/(2*pi))^2`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes Formule PDF PDF Image

Puissance maximale autorisée Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Puissance maximale autorisée = 1/(Réactance*Fréquence limite du temps de transit^2)*(Champ électrique maximal*Vitesse maximale de dérive de saturation/(2*pi))^2
P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2
Cette formule utilise 1 Constantes, 5 Variables

Constantes utilisées

pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilisées

Puissance maximale autorisée - (Mesuré en Watt) - Puissance maximale autorisée : quantité maximale de puissance que le système ou le composant peut gérer sans dépasser ses limites de conception ni risquer de dommages.
Réactance - (Mesuré en Ohm) - La réactance décrit l'opposition qu'un élément (tel qu'un condensateur ou une inductance) présente au flux de courant alternatif (AC).
Fréquence limite du temps de transit - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de coupure du temps de transit est liée au temps nécessaire aux porteurs de charge (électrons ou trous) pour transiter à travers l'appareil.
Champ électrique maximal - (Mesuré en Volt par mètre) - Champ électrique maximum : un champ vectoriel qui décrit la force subie par une particule chargée en un point donné de l'espace.
Vitesse maximale de dérive de saturation - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive maximale de saturation fait référence à la vitesse de dérive la plus élevée possible des porteurs de charge dans un matériau semi-conducteur sous l'influence d'un champ électrique, atteignant la saturation.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Réactance: 0.0056 Ohm --> 0.0056 Ohm Aucune conversion requise
Fréquence limite du temps de transit: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Aucune conversion requise
Champ électrique maximal: 24 Volt par mètre --> 24 Volt par mètre Aucune conversion requise
Vitesse maximale de dérive de saturation: 53 Mètre par seconde --> 53 Mètre par seconde Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2 --> 1/(0.0056*2.08^2)*(24*53/(2*pi))^2

Évaluer ... ...

P_m = 1691608.22832704

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1691608.22832704 Watt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1691608.22832704 ≈ 1.7E+6 Watt <-- Puissance maximale autorisée

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Théorie des micro-ondes » Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes » Amplificateurs à transistors » Puissance maximale autorisée

Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 10+ Amplificateurs à transistors Calculatrices

Gain de puissance du convertisseur abaisseur compte tenu du facteur de dégradation

Aller Gain de puissance du convertisseur abaisseur = Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Gain du facteur de dégradation pour MESFET

Aller Gain du facteur de dégradation = Fréquence de sortie/Fréquence du signal*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Facteur de bruit GaAs MESFET

Aller Facteur de bruit = 1+2*Fréquence angulaire*Capacité de la source de porte/Transconductance du MESFET*sqrt((Résistance à la source-Résistance de porte)/Résistance d'entrée)

Fréquence de fonctionnement maximale

Aller Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))

Puissance maximale autorisée

Aller Puissance maximale autorisée = 1/(Réactance*Fréquence limite du temps de transit^2)*(Champ électrique maximal*Vitesse maximale de dérive de saturation/(2*pi))^2

Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Aller Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée

Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

Aller Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))

Angle de transit

Aller Angle de transit = Fréquence angulaire*Longueur de l'espace de dérive/Vitesse de dérive du transporteur

Fréquence de coupure MESFET

Aller Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)

Fréquence maximale d'oscillation

Aller Fréquence maximale d'oscillation = Vitesse de saturation/(2*pi*Longueur du canal)

Puissance maximale autorisée Formule

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!