Maximal zulässige Leistung Taschenrechner

✖Die Reaktanz beschreibt den Widerstand, den ein Element (z. B. ein Kondensator oder eine Induktivität) dem Wechselstromfluss (AC) entgegensetzt.ⓘ Reaktanz [Χ_c]			+10% -10%
✖Die Transitzeit-Grenzfrequenz bezeichnet die Zeit, die Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) für den Durchgang durch das Gerät benötigen.ⓘ Transitzeit-Grenzfrequenz [f_TC]			+10% -10%
✖Maximales elektrisches Feld, ein Vektorfeld, das die Kraft beschreibt, die ein geladenes Teilchen an einem bestimmten Punkt im Raum erfährt.ⓘ Maximales elektrisches Feld [E_m]			+10% -10%
✖Die maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit bezeichnet die höchste erreichbare Driftgeschwindigkeit von Ladungsträgern in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Felds bis zum Erreichen der Sättigung.ⓘ Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit [V_s]			+10% -10%

✖Maximal zulässige Leistung: Die maximale Menge an Leistung, die das System oder die Komponente verarbeiten kann, ohne die Designgrenzen zu überschreiten oder Schäden zu riskieren.ⓘ Maximal zulässige Leistung [P_m]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Maximal zulässige Leistung

Formel

`"P"_{"m"} = 1/("Χ"_{"c"}*"f"_{"TC"}^2)*("E"_{"m"}*"V"_{"s"}/(2*pi))^2`

Beispiel

`"1.7E^6W"=1/("0.0056Ω"*("2.08Hz")^2)*("24V/m"*"53m/s"/(2*pi))^2`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen Mikrowellenhalbleiterbauelemente Formel Pdf PDF Image

Maximal zulässige Leistung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Maximal zulässige Leistung = 1/(Reaktanz*Transitzeit-Grenzfrequenz^2)*(Maximales elektrisches Feld*Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit/(2*pi))^2
P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 5 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Maximal zulässige Leistung - (Gemessen in Watt) - Maximal zulässige Leistung: Die maximale Menge an Leistung, die das System oder die Komponente verarbeiten kann, ohne die Designgrenzen zu überschreiten oder Schäden zu riskieren.
Reaktanz - (Gemessen in Ohm) - Die Reaktanz beschreibt den Widerstand, den ein Element (z. B. ein Kondensator oder eine Induktivität) dem Wechselstromfluss (AC) entgegensetzt.
Transitzeit-Grenzfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Transitzeit-Grenzfrequenz bezeichnet die Zeit, die Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) für den Durchgang durch das Gerät benötigen.
Maximales elektrisches Feld - (Gemessen in Volt pro Meter) - Maximales elektrisches Feld, ein Vektorfeld, das die Kraft beschreibt, die ein geladenes Teilchen an einem bestimmten Punkt im Raum erfährt.
Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit - (Gemessen in Meter pro Sekunde) - Die maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit bezeichnet die höchste erreichbare Driftgeschwindigkeit von Ladungsträgern in einem Halbleitermaterial unter dem Einfluss eines elektrischen Felds bis zum Erreichen der Sättigung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Reaktanz: 0.0056 Ohm --> 0.0056 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Transitzeit-Grenzfrequenz: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Maximales elektrisches Feld: 24 Volt pro Meter --> 24 Volt pro Meter Keine Konvertierung erforderlich
Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit: 53 Meter pro Sekunde --> 53 Meter pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2 --> 1/(0.0056*2.08^2)*(24*53/(2*pi))^2

Auswerten ... ...

P_m = 1691608.22832704

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1691608.22832704 Watt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1691608.22832704 ≈ 1.7E+6 Watt <-- Maximal zulässige Leistung

(Berechnung in 00.007 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » Mikrowellentheorie » Mikrowellenhalbleiterbauelemente » Transistorverstärker » Maximal zulässige Leistung

Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< 10+ Transistorverstärker Taschenrechner

Leistungsgewinn des Abwärtswandlers bei gegebenem Degradationsfaktor

Gehen Leistungsverstärkung des Abwärtswandlers = Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Verstärkungsdegradationsfaktor für MESFET

Gehen Degradationsfaktor gewinnen = Ausgangsfrequenz/Signalfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Rauschfaktor GaAs MESFET

Gehen Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)

Maximale Betriebsfrequenz

Gehen Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))

Maximal zulässige Leistung

Gehen Maximal zulässige Leistung = 1/(Reaktanz*Transitzeit-Grenzfrequenz^2)*(Maximales elektrisches Feld*Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit/(2*pi))^2

Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors

Gehen Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz

Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET

Gehen Transkonduktanz des MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung))

MESFET-Grenzfrequenz

Gehen MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Transitwinkel

Gehen Transitwinkel = Winkelfrequenz*Länge des Driftraums/Trägerdriftgeschwindigkeit

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Sättigungsgeschwindigkeit/(2*pi*Kanallänge)

Maximal zulässige Leistung Formel

Maximal zulässige Leistung = 1/(Reaktanz*Transitzeit-Grenzfrequenz^2)*(Maximales elektrisches Feld*Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit/(2*pi))^2
P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!