Calculadora Potencia máxima permitida

✖La reactancia describe la oposición que presenta un elemento (como un condensador o inductor) al flujo de corriente alterna (CA).ⓘ Resistencia reactiva [Χ_c]			+10% -10%
✖La frecuencia de corte del tiempo de tránsito se relaciona con el tiempo que tardan los portadores de carga (electrones o huecos) en transitar a través del dispositivo.ⓘ Frecuencia de corte del tiempo de tránsito [f_TC]			+10% -10%
✖Campo eléctrico máximo: campo vectorial que describe la fuerza experimentada por una partícula cargada en cualquier punto dado del espacio.ⓘ Campo eléctrico máximo [E_m]			+10% -10%
✖La velocidad máxima de deriva de saturación se refiere a la velocidad de deriva más alta alcanzable de los portadores de carga en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico, alcanzando la saturación.ⓘ Velocidad máxima de deriva de saturación [V_s]			+10% -10%

✖Potencia máxima permitida: la cantidad máxima de energía que el sistema o componente puede manejar sin exceder sus límites de diseño o correr el riesgo de sufrir daños.ⓘ Potencia máxima permitida [P_m]

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Potencia máxima permitida

Fórmula

`"P"_{"m"} = 1/("Χ"_{"c"}*"f"_{"TC"}^2)*("E"_{"m"}*"V"_{"s"}/(2*pi))^2`

Ejemplo

`"1.7E^6W"=1/("0.0056Ω"*("2.08Hz")^2)*("24V/m"*"53m/s"/(2*pi))^2`

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Potencia máxima permitida Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Potencia máxima permitida = 1/(Resistencia reactiva*Frecuencia de corte del tiempo de tránsito^2)*(Campo eléctrico máximo*Velocidad máxima de deriva de saturación/(2*pi))^2
P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variables

Constantes utilizadas

pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilizadas

Potencia máxima permitida - (Medido en Vatio) - Potencia máxima permitida: la cantidad máxima de energía que el sistema o componente puede manejar sin exceder sus límites de diseño o correr el riesgo de sufrir daños.
Resistencia reactiva - (Medido en Ohm) - La reactancia describe la oposición que presenta un elemento (como un condensador o inductor) al flujo de corriente alterna (CA).
Frecuencia de corte del tiempo de tránsito - (Medido en hercios) - La frecuencia de corte del tiempo de tránsito se relaciona con el tiempo que tardan los portadores de carga (electrones o huecos) en transitar a través del dispositivo.
Campo eléctrico máximo - (Medido en voltios por metro) - Campo eléctrico máximo: campo vectorial que describe la fuerza experimentada por una partícula cargada en cualquier punto dado del espacio.
Velocidad máxima de deriva de saturación - (Medido en Metro por Segundo) - La velocidad máxima de deriva de saturación se refiere a la velocidad de deriva más alta alcanzable de los portadores de carga en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico, alcanzando la saturación.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Resistencia reactiva: 0.0056 Ohm --> 0.0056 Ohm No se requiere conversión
Frecuencia de corte del tiempo de tránsito: 2.08 hercios --> 2.08 hercios No se requiere conversión
Campo eléctrico máximo: 24 voltios por metro --> 24 voltios por metro No se requiere conversión
Velocidad máxima de deriva de saturación: 53 Metro por Segundo --> 53 Metro por Segundo No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

P_m = 1/(Χ_c*f_TC^2)*(E_m*V_s/(2*pi))^2 --> 1/(0.0056*2.08^2)*(24*53/(2*pi))^2

Evaluar ... ...

P_m = 1691608.22832704

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1691608.22832704 Vatio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1691608.22832704 ≈ 1.7E+6 Vatio <-- Potencia máxima permitida

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Ganancia de potencia del convertidor reductor dado el factor de degradación

Vamos Ganancia de potencia del convertidor reductor = Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Ganar factor de degradación para MESFET

Vamos Ganar factor de degradación = Frecuencia de salida/Frecuencia de señal*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2

Factor de ruido GaAs MESFET

Vamos factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)

Frecuencia máxima de funcionamiento

Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))

Potencia máxima permitida

Vamos Potencia máxima permitida = 1/(Resistencia reactiva*Frecuencia de corte del tiempo de tránsito^2)*(Campo eléctrico máximo*Velocidad máxima de deriva de saturación/(2*pi))^2

Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas

Vamos Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada

Transconductancia en la región de saturación en MESFET

Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))

Ángulo de tránsito

Vamos Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador

Frecuencia de corte MESFET

Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)

Frecuencia máxima de oscilación

Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

Potencia máxima permitida Fórmula

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