Potência máxima permitida Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2
Esta fórmula usa 1 Constantes, 5 Variáveis
Constantes Usadas
pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288
Variáveis Usadas
Potência máxima permitida - (Medido em Watt) - Potência máxima permitida a quantidade máxima de energia que o sistema ou componente pode suportar sem exceder os limites de projeto ou correr o risco de danos.
Reatância - (Medido em Ohm) - A reatância descreve a oposição que um elemento (como um capacitor ou indutor) apresenta ao fluxo de corrente alternada (CA).
Frequência de corte do tempo de trânsito - (Medido em Hertz) - A frequência de corte do tempo de trânsito está relacionada ao tempo que os portadores de carga (elétrons ou lacunas) levam para transitar pelo dispositivo.
Campo Elétrico Máximo - (Medido em Volt por Metro) - Campo Elétrico Máximo um campo vetorial que descreve a força experimentada por uma partícula carregada em qualquer ponto do espaço.
Velocidade máxima de desvio de saturação - (Medido em Metro por segundo) - A velocidade máxima de deriva de saturação refere-se à velocidade de deriva mais alta alcançável de portadores de carga em um material semicondutor sob a influência de um campo elétrico, atingindo a saturação.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Reatância: 0.0056 Ohm --> 0.0056 Ohm Nenhuma conversão necessária
Frequência de corte do tempo de trânsito: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Nenhuma conversão necessária
Campo Elétrico Máximo: 24 Volt por Metro --> 24 Volt por Metro Nenhuma conversão necessária
Velocidade máxima de desvio de saturação: 53 Metro por segundo --> 53 Metro por segundo Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2 --> 1/(0.0056*2.08^2)*(24*53/(2*pi))^2
Avaliando ... ...
Pm = 1691608.22832704
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1691608.22832704 Watt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
1691608.22832704 1.7E+6 Watt <-- Potência máxima permitida
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

10+ Amplificadores transistorizados Calculadoras

Ganho de potência do conversor descendente dado o Fator de Degradação
​ Vai Ganho de potência do conversor descendente = Frequência do sinal/Frequência de saída*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2
Ganhe fator de degradação para MESFET
​ Vai Ganhe fator de degradação = Frequência de saída/Frequência do sinal*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2
Fator de Ruído GaAs MESFET
​ Vai Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)
Frequência máxima de operação
​ Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))
Potência máxima permitida
​ Vai Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2
Ganho máximo de potência do transistor de microondas
​ Vai Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada
Transcondutância na região de saturação no MESFET
​ Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))
Ângulo de Trânsito
​ Vai Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador
Frequência de corte MESFET
​ Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)
Frequência Máxima de Oscilação
​ Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

Potência máxima permitida Fórmula

Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2
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