Максимально допустимая мощность Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Максимально допустимая мощность = 1/(Реактивное сопротивление*Частота среза времени прохождения^2)*(Максимальное электрическое поле*Максимальная скорость дрейфа насыщения/(2*pi))^2
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные
Используемые константы
pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288
Используемые переменные
Максимально допустимая мощность - (Измеряется в Ватт) - Максимально допустимая мощность — максимальное количество энергии, которое система или компонент может выдержать без превышения расчетных пределов и риска повреждения.
Реактивное сопротивление - (Измеряется в ом) - Реактивное сопротивление описывает сопротивление, которое элемент (например, конденсатор или катушка индуктивности) представляет потоку переменного тока (AC).
Частота среза времени прохождения - (Измеряется в Герц) - Частота отсечки времени прохождения связана со временем, за которое носители заряда (электроны или дырки) проходят через устройство.
Максимальное электрическое поле - (Измеряется в Вольт на метр) - Максимальное электрическое поле — векторное поле, которое описывает силу, действующую на заряженную частицу в любой заданной точке пространства.
Максимальная скорость дрейфа насыщения - (Измеряется в метр в секунду) - Максимальная скорость дрейфа насыщения относится к максимально достижимой скорости дрейфа носителей заряда в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля, достигающей насыщения.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Реактивное сопротивление: 0.0056 ом --> 0.0056 ом Конверсия не требуется
Частота среза времени прохождения: 2.08 Герц --> 2.08 Герц Конверсия не требуется
Максимальное электрическое поле: 24 Вольт на метр --> 24 Вольт на метр Конверсия не требуется
Максимальная скорость дрейфа насыщения: 53 метр в секунду --> 53 метр в секунду Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2 --> 1/(0.0056*2.08^2)*(24*53/(2*pi))^2
Оценка ... ...
Pm = 1691608.22832704
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
1691608.22832704 Ватт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
1691608.22832704 1.7E+6 Ватт <-- Максимально допустимая мощность
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

10+ Транзисторные усилители Калькуляторы

Коэффициент усиления понижающего преобразователя с учетом коэффициента деградации
​ Идти Коэффициент усиления понижающего преобразователя = Частота сигнала/Выходная частота*(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)/(1+sqrt(1+(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)))^2
Коэффициент деградации усиления для MESFET
​ Идти Получите коэффициент деградации = Выходная частота/Частота сигнала*(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)/(1+sqrt(1+(Частота сигнала/Выходная частота*(Фигура заслуг)^2)))^2
Коэффициент шума GaAs MESFET
​ Идти Коэффициент шума = 1+2*Угловая частота*Емкость источника затвора/Крутизна транзистора MESFET*sqrt((Источник сопротивления-Сопротивление ворот)/Входное сопротивление)
Максимальная рабочая частота
​ Идти Максимальная рабочая частота = Частота среза MESFET/2*sqrt(Сопротивление дренажу/(Источник сопротивления+Входное сопротивление+Сопротивление металлизации ворот))
Максимально допустимая мощность
​ Идти Максимально допустимая мощность = 1/(Реактивное сопротивление*Частота среза времени прохождения^2)*(Максимальное электрическое поле*Максимальная скорость дрейфа насыщения/(2*pi))^2
Максимальный коэффициент усиления микроволнового транзистора
​ Идти Максимальный коэффициент усиления микроволнового транзистора = (Частота среза времени прохождения/Частота усиления мощности)^2*Выходное сопротивление/Входное сопротивление
Крутизна в области насыщения в MESFET
​ Идти Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))
Частота среза MESFET
​ Идти Частота среза MESFET = Крутизна транзистора MESFET/(2*pi*Емкость источника затвора)
Транзитный угол
​ Идти Транзитный угол = Угловая частота*Длина пространства дрейфа/Скорость дрейфа несущей
Максимальная частота колебаний
​ Идти Максимальная частота колебаний = Скорость насыщения/(2*pi*Длина канала)

Максимально допустимая мощность формула

Максимально допустимая мощность = 1/(Реактивное сопротивление*Частота среза времени прохождения^2)*(Максимальное электрическое поле*Максимальная скорость дрейфа насыщения/(2*pi))^2
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!