Potenza massima consentita Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2
Questa formula utilizza 1 Costanti, 5 Variabili
Costanti utilizzate
pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288
Variabili utilizzate
Potenza massima consentita - (Misurato in Watt) - Potenza massima consentita: la quantità massima di potenza che il sistema o il componente può gestire senza superare i limiti di progettazione o rischiare danni.
Reattanza - (Misurato in Ohm) - La reattanza descrive l'opposizione che un elemento (come un condensatore o un induttore) presenta al flusso di corrente alternata (CA).
Frequenza limite del tempo di transito - (Misurato in Hertz) - La frequenza di taglio del tempo di transito è correlata al tempo impiegato dai portatori di carica (elettroni o lacune) per transitare attraverso il dispositivo.
Campo elettrico massimo - (Misurato in Volt per metro) - Campo elettrico massimo un campo vettoriale che descrive la forza sperimentata da una particella carica in un dato punto dello spazio.
Massima velocità di deriva della saturazione - (Misurato in Metro al secondo) - La massima velocità di deriva della saturazione si riferisce alla massima velocità di deriva raggiungibile dei portatori di carica in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico, raggiungendo la saturazione.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Reattanza: 0.0056 Ohm --> 0.0056 Ohm Nessuna conversione richiesta
Frequenza limite del tempo di transito: 2.08 Hertz --> 2.08 Hertz Nessuna conversione richiesta
Campo elettrico massimo: 24 Volt per metro --> 24 Volt per metro Nessuna conversione richiesta
Massima velocità di deriva della saturazione: 53 Metro al secondo --> 53 Metro al secondo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2 --> 1/(0.0056*2.08^2)*(24*53/(2*pi))^2
Valutare ... ...
Pm = 1691608.22832704
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1691608.22832704 Watt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
1691608.22832704 1.7E+6 Watt <-- Potenza massima consentita
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

10+ Amplificatori a transistor Calcolatrici

Guadagno di potenza del convertitore in basso dato il fattore di degradazione
​ Partire Guadagno di potenza del down converter = Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2
Ottieni il fattore di degradazione per MESFET
​ Partire Guadagno fattore di degradazione = Frequenza di uscita/Frequenza del segnale*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2
Fattore di rumore GaAs MESFET
​ Partire Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)
Frequenza operativa massima
​ Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))
Potenza massima consentita
​ Partire Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2
Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde
​ Partire Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde = (Frequenza limite del tempo di transito/Frequenza del guadagno di potenza)^2*Impedenza di uscita/Impedenza di ingresso
Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET
​ Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))
Angolo di transito
​ Partire Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore
Frequenza di taglio MESFET
​ Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)
Frequenza massima di oscillazione
​ Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

Potenza massima consentita Formula

Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2
Pm = 1/(Χc*fTC^2)*(Em*Vs/(2*pi))^2
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