Condutância na Resistência Linear do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Condutância do Canal = 1/Resistência Linear
G = 1/Rds
Esta fórmula usa 2 Variáveis
Variáveis Usadas
Condutância do Canal - (Medido em Siemens) - A condutância do canal é normalmente definida como a razão entre a corrente que passa pelo canal e a tensão através dele.
Resistência Linear - (Medido em Ohm) - Resistência linear, a quantidade de oposição ou resistência é diretamente proporcional à quantidade de corrente que flui através dela, conforme descrito pela Lei de Ohm.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Resistência Linear: 0.166 Quilohm --> 166 Ohm (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
G = 1/Rds --> 1/166
Avaliando ... ...
G = 0.00602409638554217
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 Millisiemens (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
6.02409638554217 6.024096 Millisiemens <-- Condutância do Canal
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Prahalad Singh
Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh verificou esta calculadora e mais 10+ calculadoras!

14 Resistência Calculadoras

MOSFET como resistência linear dada relação de aspecto
​ Vai Resistência Linear = Comprimento do canal/(Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda*Tensão Efetiva)
Resistência de saída do amplificador diferencial
​ Vai Resistência de saída = ((Sinal de entrada de modo comum*Transcondutância)-Corrente Total)/(2*Transcondutância*Corrente Total)
Resistência de entrada do Mosfet
​ Vai Resistência de entrada = Tensão de entrada/(Corrente do coletor*Ganho de corrente de pequeno sinal)
Resistência finita entre dreno e fonte
​ Vai Resistência Finita = modulus(Tensão CC positiva)/Corrente de drenagem
Resistência de saída dada a modulação do comprimento do canal
​ Vai Resistência de saída = 1/(Modulação de comprimento de canal*Corrente de drenagem)
Caminho livre médio do elétron
​ Vai Caminho livre médio do elétron = 1/(Resistência de saída*Corrente de drenagem)
Resistência de Saída de Dreno
​ Vai Resistência de saída = 1/(Caminho livre médio do elétron*Corrente de drenagem)
Resistência de entrada dada a transcondutância
​ Vai Resistência de entrada = Ganho de corrente de pequeno sinal/Transcondutância
Resistência de saída dada a transcondutância
​ Vai Resistência de saída = 1/(Mobilidade de Transportadora*Transcondutância)
Resistência de entrada de sinal pequeno
​ Vai Resistência de entrada = Tensão de entrada/Corrente Básica
Resistência de saída do Mosfet
​ Vai Resistência de saída = Tensão inicial/Corrente do coletor
Resistência Dependente de Tensão no MOSFET
​ Vai Resistência Finita = Tensão Efetiva/Corrente de drenagem
Condutância na Resistência Linear do MOSFET
​ Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear
MOSFET como resistência linear
​ Vai Resistência Linear = 1/Condutância do Canal

15 Características MOSFET Calculadoras

Condutância do canal do MOSFET usando tensão Gate to Source
​ Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)
Ganho de tensão dado a resistência de carga do MOSFET
​ Vai Ganho de tensão = Transcondutância*(1/(1/Resistência de carga+1/Resistência de saída))/(1+Transcondutância*Resistência da fonte)
Frequência de Transição do MOSFET
​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Ganho de tensão máximo no ponto de polarização
​ Vai Ganho Máximo de Tensão = 2*(Tensão de alimentação-Tensão Efetiva)/(Tensão Efetiva)
Ganho de tensão usando sinal pequeno
​ Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)
Ganho de tensão dada tensão de dreno
​ Vai Ganho de tensão = (Corrente de drenagem*Resistência de carga*2)/Tensão Efetiva
Tensão de polarização do MOSFET
​ Vai Tensão de polarização instantânea total = Tensão de polarização CC+Voltagem de corrente contínua
Efeito Corporal na Transcondutância
​ Vai Transcondutância Corporal = Alteração no limite para a tensão de base*Transcondutância
Tensão de saturação do MOSFET
​ Vai Tensão de saturação de dreno e fonte = Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar
Ganho máximo de tensão considerando todas as tensões
​ Vai Ganho Máximo de Tensão = (Tensão de alimentação-0.3)/Tensão Térmica
Transcondutância em MOSFET
​ Vai Transcondutância = (2*Corrente de drenagem)/Tensão de ultrapassagem
Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno
​ Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída
Tensão limite do MOSFET
​ Vai Tensão de limiar = Tensão Gate-Fonte-Tensão Efetiva
Condutância na Resistência Linear do MOSFET
​ Vai Condutância do Canal = 1/Resistência Linear

Condutância na Resistência Linear do MOSFET Fórmula

Condutância do Canal = 1/Resistência Linear
G = 1/Rds

O MOSFET é um dispositivo simétrico?

O MOSFET é um dispositivo simétrico, portanto, a resposta é sim. entretanto, se em seu projeto de circuito você amarrou seu corpo a um dos terminais, você gostaria que esse terminal fosse a fonte.

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