Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET Calculatrice

✖Résistance linéaire, la quantité d'opposition ou de résistance est directement proportionnelle à la quantité de courant qui la traverse, comme décrit par la loi d'Ohm.ⓘ Résistance linéaire [R_ds]

+10%

-10%

✖La conductance du canal est généralement définie comme le rapport du courant traversant le canal à la tension à travers celui-ci.ⓘ Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET [G]

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Formule

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Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Formule

`"G" = 1/"R"_{"ds"}`

Exemple

`"6.024096mS"=1/"0.166kΩ"`

Calculatrice

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Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Conductance du canal = 1/Résistance linéaire
G = 1/R_ds
Cette formule utilise 2 Variables

Variables utilisées

Conductance du canal - (Mesuré en Siemens) - La conductance du canal est généralement définie comme le rapport du courant traversant le canal à la tension à travers celui-ci.
Résistance linéaire - (Mesuré en Ohm) - Résistance linéaire, la quantité d'opposition ou de résistance est directement proportionnelle à la quantité de courant qui la traverse, comme décrit par la loi d'Ohm.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Résistance linéaire: 0.166 Kilohm --> 166 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

G = 1/R_ds --> 1/166

Évaluer ... ...

G = 0.00602409638554217

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

6.02409638554217 ≈ 6.024096 millisiemens <-- Conductance du canal

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< 14 Résistance Calculatrices

MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Tension efficace)

Résistance de sortie de l'amplificateur différentiel

Aller Résistance de sortie = ((Signal d'entrée en mode commun*Transconductance)-Courant total)/(2*Transconductance*Courant total)

Résistance d'entrée du Mosfet

Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/(Courant du collecteur*Gain de courant de petit signal)

Résistance finie entre le drain et la source

Aller Résistance finie = modulus(Tension CC positive)/Courant de vidange

Libre parcours moyen des électrons

Aller Libre parcours moyen des électrons = 1/(Résistance de sortie*Courant de vidange)

Résistance de sortie de vidange

Aller Résistance de sortie = 1/(Libre parcours moyen des électrons*Courant de vidange)

Résistance de sortie étant donné la modulation de longueur de canal

Aller Résistance de sortie = 1/(Modulation de longueur de canal*Courant de vidange)

Résistance de sortie étant donné la transconductance

Aller Résistance de sortie = 1/(Mobilité des transporteurs*Transconductance)

Résistance d'entrée étant donné la transconductance

Aller Résistance d'entrée = Gain de courant de petit signal/Transconductance

Résistance de sortie du Mosfet

Aller Résistance de sortie = Tension précoce/Courant du collecteur

Résistance dépendante de la tension dans MOSFET

Aller Résistance finie = Tension efficace/Courant de vidange

Résistance d'entrée de petit signal

Aller Résistance d'entrée = Tension d'entrée/Courant de base

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

MOSFET comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = 1/Conductance du canal

< 15 Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension en utilisant un petit signal

Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

Tension de polarisation du MOSFET

Aller Tension de polarisation instantanée totale = Tension de polarisation CC+Tension continue

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET Formule

Conductance du canal = 1/Résistance linéaire
G = 1/R_ds

Le MOSFET est-il un appareil symétrique?

Le MOSFET est un appareil symétrique, donc la réponse est oui. cependant, si dans la conception de votre circuit vous avez lié votre corps à l'une des bornes, vous voudriez que cette borne soit la source.

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