Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u Kalkulator

✖Opór liniowy, wielkość oporu lub oporu jest wprost proporcjonalna do ilości przepływającego przez niego prądu, zgodnie z prawem Ohma.ⓘ Opór liniowy [R_ds]

+10%

-10%

✖Przewodność kanału jest zwykle definiowana jako stosunek prądu przepływającego przez kanał do napięcia na nim.ⓘ Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u [G]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Formuła

`"G" = 1/"R"_{"ds"}`

Przykład

`"6.024096mS"=1/"0.166kΩ"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy
G = 1/R_ds
Ta formuła używa 2 Zmienne

Używane zmienne

Przewodnictwo kanału - (Mierzone w Siemens) - Przewodność kanału jest zwykle definiowana jako stosunek prądu przepływającego przez kanał do napięcia na nim.
Opór liniowy - (Mierzone w Om) - Opór liniowy, wielkość oporu lub oporu jest wprost proporcjonalna do ilości przepływającego przez niego prądu, zgodnie z prawem Ohma.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Opór liniowy: 0.166 Kilohm --> 166 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

G = 1/R_ds --> 1/166

Ocenianie ... ...

G = 0.00602409638554217

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 Millisiemens (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

6.02409638554217 ≈ 6.024096 Millisiemens <-- Przewodnictwo kanału

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Opór » Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

< 14 Opór Kalkulatory

MOSFET jako rezystancja liniowa przy danym współczynniku kształtu

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Efektywne napięcie)

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza różnicowego

Iść Rezystancja wyjściowa = ((Sygnał wejściowy trybu wspólnego*Transkonduktancja)-Całkowity prąd)/(2*Transkonduktancja*Całkowity prąd)

Rezystancja wejściowa Mosfet

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie wejściowe/(Prąd kolektora*Wzmocnienie prądu małego sygnału)

Skończony opór między drenem a źródłem

Iść Skończony opór = modulus(Dodatnie napięcie prądu stałego)/Prąd spustowy

Rezystancja wejściowa przy danej transkonduktancji

Iść Rezystancja wejściowa = Wzmocnienie prądu małego sygnału/Transkonduktancja

Średnia droga swobodna elektronu

Iść Średnia droga swobodna elektronu = 1/(Rezystancja wyjściowa*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa przy danej transkonduktancji

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Mobilność przewoźników*Transkonduktancja)

Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Modulacja długości kanału*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa Mosfet

Iść Rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora

Rezystancja wejściowa małego sygnału

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie wejściowe/Prąd bazowy

Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie

Iść Skończony opór = Efektywne napięcie/Prąd spustowy

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

MOSFET jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = 1/Przewodnictwo kanału

< 15 Charakterystyka MOSFET-u Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Wzmocnienie napięcia przy danej rezystancji obciążenia MOSFET

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*(1/(1/Odporność na obciążenie+1/Rezystancja wyjściowa))/(1+Transkonduktancja*Opór źródła)

Częstotliwość przejścia MOSFET

Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Maksymalne wzmocnienie napięcia w punkcie polaryzacji

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = 2*(Napięcie zasilania-Efektywne napięcie)/(Efektywne napięcie)

Wzmocnienie napięcia za pomocą małego sygnału

Iść Wzmocnienie napięcia = Transkonduktancja*1/(1/Odporność na obciążenie+1/Skończony opór)

Wzmocnienie napięcia przy danym napięciu drenu

Iść Wzmocnienie napięcia = (Prąd spustowy*Odporność na obciążenie*2)/Efektywne napięcie

Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET

Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)

Wpływ ciała na transkonduktancję

Iść Transkonduktancja ciała = Zmiana wartości progowej na napięcie podstawowe*Transkonduktancja

Napięcie polaryzacji MOSFET-u

Iść Całkowite chwilowe napięcie polaryzacji = Napięcie polaryzacji DC+Napięcie prądu stałego

Maksymalne wzmocnienie napięcia przy wszystkich napięciach

Iść Maksymalne wzmocnienie napięcia = (Napięcie zasilania-0.3)/Napięcie termiczne

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Współczynnik wzmocnienia w modelu małego sygnału MOSFET

Iść Współczynnik wzmocnienia = Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa

Transprzewodnictwo w MOSFET-ie

Iść Transkonduktancja = (2*Prąd spustowy)/Napięcie przesterowania

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u Formułę

Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy
G = 1/R_ds

Czy MOSFET to urządzenie symetryczne?

MOSFET to urządzenie symetryczne, dlatego odpowiedź brzmi: tak. jednak jeśli w projekcie obwodu przywiązałeś swoje ciało do jednego z terminali, chciałbyś, aby ten terminal był źródłem.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!