Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET Taschenrechner

✖Linearer Widerstand, die Größe des Widerstands oder Widerstands ist direkt proportional zur Menge des durch ihn fließenden Stroms, wie durch das Ohmsche Gesetz beschrieben.ⓘ Linearer Widerstand [R_ds]

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✖Der Leitwert eines Kanals wird typischerweise als das Verhältnis des durch den Kanal fließenden Stroms zur Spannung an ihm definiert.ⓘ Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET [G]

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Formel

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Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Formel

`"G" = 1/"R"_{"ds"}`

Beispiel

`"6.024096mS"=1/"0.166kΩ"`

Taschenrechner

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Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand
G = 1/R_ds
Diese formel verwendet 2 Variablen

Verwendete Variablen

Leitfähigkeit des Kanals - (Gemessen in Siemens) - Der Leitwert eines Kanals wird typischerweise als das Verhältnis des durch den Kanal fließenden Stroms zur Spannung an ihm definiert.
Linearer Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Linearer Widerstand, die Größe des Widerstands oder Widerstands ist direkt proportional zur Menge des durch ihn fließenden Stroms, wie durch das Ohmsche Gesetz beschrieben.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Linearer Widerstand: 0.166 Kiloohm --> 166 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

G = 1/R_ds --> 1/166

Auswerten ... ...

G = 0.00602409638554217

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.00602409638554217 Siemens -->6.02409638554217 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

6.02409638554217 ≈ 6.024096 Millisiemens <-- Leitfähigkeit des Kanals

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Prahalad Singh

Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 Widerstand Taschenrechner

MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis

Gehen Linearer Widerstand = Kanallänge/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite*Effektive Spannung)

Ausgangswiderstand des Differenzverstärkers

Gehen Ausgangswiderstand = ((Gleichtakt-Eingangssignal*Steilheit)-Gesamtstrom)/(2*Steilheit*Gesamtstrom)

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Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/(Kollektorstrom*Kleinsignal-Stromverstärkung)

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Gehen Mittlerer freier Elektronenweg = 1/(Ausgangswiderstand*Stromverbrauch)

Ausgangswiderstand entleeren

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Stromverbrauch)

Ausgangswiderstand bei Kanallängenmodulation

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Kanallängenmodulation*Stromverbrauch)

Eingangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Eingangswiderstand = Kleinsignal-Stromverstärkung/Steilheit

Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET

Gehen Endlicher Widerstand = Effektive Spannung/Stromverbrauch

Ausgangswiderstand bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Ausgangswiderstand = 1/(Trägermobilität*Steilheit)

Ausgangswiderstand des Mosfet

Gehen Ausgangswiderstand = Frühe Spannung/Kollektorstrom

Kleinsignal-Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = Eingangsspannung/Basisstrom

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand

MOSFET als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = 1/Leitfähigkeit des Kanals

< 15 MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*(1/(1/Lastwiderstand+1/Ausgangswiderstand))/(1+Steilheit*Quellenwiderstand)

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung

Gehen Spannungsverstärkung = (Stromverbrauch*Lastwiderstand*2)/Effektive Spannung

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Body-Effekt auf die Transkonduktanz

Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit

Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Sättigungsspannung des MOSFET

Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Vorspannung des MOSFET

Gehen Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Transkonduktanz im MOSFET

Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET Formel

Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand
G = 1/R_ds

Ist MOSFET eine symmetrische Vorrichtung?

MOSFET ist eine symmetrische Vorrichtung, daher lautet die Antwort ja. Wenn Sie jedoch in Ihrem Schaltungsdesign Ihren Körper an einen der Anschlüsse gebunden haben, möchten Sie, dass dieser Anschluss die Quelle ist.

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