Глубина фокуса Калькулятор

✖Коэффициент пропорциональности — это константа, которая связывает два ключевых параметра: критический размер (CD) и экспозиционную дозу.ⓘ Коэффициент пропорциональности [k₂]			+10% -10%
✖Длина волны в фотолитографии относится к определенному диапазону электромагнитного излучения, используемого для формирования рисунка на полупроводниковых пластинах в процессе производства полупроводников.ⓘ Длина волны в фотолитографии [λ_l]			+10% -10%
✖Числовая апертура оптической системы — это параметр, используемый в оптике для описания возможностей оптической системы. В контексте производства полупроводников и фотолитографии.ⓘ Числовая апертура [NA]			+10% -10%

✖Глубина фокуса — критический параметр, влияющий на устойчивость к изменениям высоты полупроводниковой пластины.ⓘ Глубина фокуса [DOF]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Глубина фокуса

Формула

`"DOF" = "k"_{"2"}*"λ"_{"l"}/("NA"^2)`

Пример

`"1.301331μm"="3"*"223nm"/(("0.717")^2)`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Глубина фокуса Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Глубина фокуса - (Измеряется в метр) - Глубина фокуса — критический параметр, влияющий на устойчивость к изменениям высоты полупроводниковой пластины.
Коэффициент пропорциональности - Коэффициент пропорциональности — это константа, которая связывает два ключевых параметра: критический размер (CD) и экспозиционную дозу.
Длина волны в фотолитографии - (Измеряется в метр) - Длина волны в фотолитографии относится к определенному диапазону электромагнитного излучения, используемого для формирования рисунка на полупроводниковых пластинах в процессе производства полупроводников.
Числовая апертура - Числовая апертура оптической системы — это параметр, используемый в оптике для описания возможностей оптической системы. В контексте производства полупроводников и фотолитографии.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Коэффициент пропорциональности: 3 --> Конверсия не требуется
Длина волны в фотолитографии: 223 нанометр --> 2.23E-07 метр (Проверьте преобразование здесь)
Числовая апертура: 0.717 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Оценка ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.30133109247621E-06 метр -->1.30133109247621 микрометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.30133109247621 ≈ 1.301331 микрометр <-- Глубина фокуса

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Глубина фокуса

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Глубина фокуса формула

Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!