Profondeur de mise au point Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Profondeur de mise au point - (Mesuré en Mètre) - La profondeur de focalisation est un paramètre critique qui influence la tolérance aux variations de hauteur de la plaquette semi-conductrice.
Facteur de proportionnalité - Le facteur de proportionnalité est une constante qui relie deux paramètres clés : la dimension critique (CD) et la dose d'exposition.
Longueur d'onde en photolithographie - (Mesuré en Mètre) - La longueur d'onde en photolithographie fait référence à la plage spécifique de rayonnement électromagnétique utilisée pour modeler les tranches semi-conductrices pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs.
Ouverture numérique - L'ouverture numérique d'un système optique est un paramètre utilisé en optique pour décrire la capacité d'un système optique. Dans le contexte de la fabrication de semi-conducteurs et de la photolithographie.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Facteur de proportionnalité: 3 --> Aucune conversion requise
Longueur d'onde en photolithographie: 223 Nanomètre --> 2.23E-07 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Ouverture numérique: 0.717 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
DOF = k2l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)
Évaluer ... ...
DOF = 1.30133109247621E-06
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.30133109247621E-06 Mètre -->1.30133109247621 Micromètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
1.30133109247621 1.301331 Micromètre <-- Profondeur de mise au point
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Effet corporel dans MOSFET
​ Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))
Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
​ Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)
Résistance du canal
​ Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)
Fréquence de gain unitaire MOSFET
​ Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Profondeur de mise au point Formule

Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
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