Profondeur de mise au point Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés MOS

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖Le facteur de proportionnalité est une constante qui relie deux paramètres clés : la dimension critique (CD) et la dose d'exposition.ⓘ Facteur de proportionnalité [k₂]			+10% -10%
✖La longueur d'onde en photolithographie fait référence à la plage spécifique de rayonnement électromagnétique utilisée pour modeler les tranches semi-conductrices pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs.ⓘ Longueur d'onde en photolithographie [λ_l]			+10% -10%
✖L'ouverture numérique d'un système optique est un paramètre utilisé en optique pour décrire la capacité d'un système optique. Dans le contexte de la fabrication de semi-conducteurs et de la photolithographie.ⓘ Ouverture numérique [NA]			+10% -10%

✖La profondeur de focalisation est un paramètre critique qui influence la tolérance aux variations de hauteur de la plaquette semi-conductrice.ⓘ Profondeur de mise au point [DOF]

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Formule

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Profondeur de mise au point

Formule

`"DOF" = "k"_{"2"}*"λ"_{"l"}/("NA"^2)`

Exemple

`"1.301331μm"="3"*"223nm"/(("0.717")^2)`

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Profondeur de mise au point Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Profondeur de mise au point - (Mesuré en Mètre) - La profondeur de focalisation est un paramètre critique qui influence la tolérance aux variations de hauteur de la plaquette semi-conductrice.
Facteur de proportionnalité - Le facteur de proportionnalité est une constante qui relie deux paramètres clés : la dimension critique (CD) et la dose d'exposition.
Longueur d'onde en photolithographie - (Mesuré en Mètre) - La longueur d'onde en photolithographie fait référence à la plage spécifique de rayonnement électromagnétique utilisée pour modeler les tranches semi-conductrices pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs.
Ouverture numérique - L'ouverture numérique d'un système optique est un paramètre utilisé en optique pour décrire la capacité d'un système optique. Dans le contexte de la fabrication de semi-conducteurs et de la photolithographie.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Facteur de proportionnalité: 3 --> Aucune conversion requise
Longueur d'onde en photolithographie: 223 Nanomètre --> 2.23E-07 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Ouverture numérique: 0.717 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Évaluer ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.30133109247621E-06 Mètre -->1.30133109247621 Micromètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.30133109247621 ≈ 1.301331 Micromètre <-- Profondeur de mise au point

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 15 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Tension du point de commutation

Aller Tension du point de commutation = (Tension d'alimentation+Tension de seuil PMOS+Tension de seuil NMOS*sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))/(1+sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))

Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Concentration de dopant du donneur

Aller Concentration de dopant du donneur = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration de dopant accepteur

Aller Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration maximale de dopant

Aller Concentration maximale de dopant = Concentration de référence*exp(-Énergie d'activation pour la solubilité solide/([BoltZ]*Température absolue))

Densité de courant de dérive due aux électrons libres

Aller Densité de courant de dérive due aux électrons = [Charge-e]*Concentration d'électrons*Mobilité électronique*Intensité du champ électrique

Temps de propagation

Aller Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge

Densité du courant de dérive due aux trous

Aller Densité du courant de dérive due aux trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Profondeur de mise au point

Aller Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)

Dimension critique

Aller Dimension critique = Constante dépendante du processus*Longueur d'onde en photolithographie/Ouverture numérique

Matrice par tranche

Aller Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)

Épaisseur d'oxyde équivalente

Aller Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)

Profondeur de mise au point Formule

Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)

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