Profundidad de enfoque Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
Esta fórmula usa 4 Variables
Variables utilizadas
Profundidad de enfoque - (Medido en Metro) - La profundidad de enfoque es un parámetro crítico que influye en la tolerancia a las variaciones en la altura de la oblea semiconductora.
Factor de proporcionalidad - El factor de proporcionalidad es una constante que relaciona dos parámetros clave: la dimensión crítica (CD) y la dosis de exposición.
Longitud de onda en fotolitografía - (Medido en Metro) - La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.
Apertura numérica - La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Factor de proporcionalidad: 3 --> No se requiere conversión
Longitud de onda en fotolitografía: 223 nanómetro --> 2.23E-07 Metro (Verifique la conversión ​aquí)
Apertura numérica: 0.717 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
DOF = k2l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)
Evaluar ... ...
DOF = 1.30133109247621E-06
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.30133109247621E-06 Metro -->1.30133109247621 Micrómetro (Verifique la conversión ​aquí)
RESPUESTA FINAL
1.30133109247621 1.301331 Micrómetro <-- Profundidad de enfoque
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Efecto corporal en MOSFET
​ Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
​ Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
​ Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)
Resistencia del canal
​ Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Profundidad de enfoque Fórmula

Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
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