Calculadora Profundidad de enfoque

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Fabricación de circuitos integrados MOS

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✖El factor de proporcionalidad es una constante que relaciona dos parámetros clave: la dimensión crítica (CD) y la dosis de exposición.ⓘ Factor de proporcionalidad [k₂]			+10% -10%
✖La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.ⓘ Longitud de onda en fotolitografía [λ_l]			+10% -10%
✖La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.ⓘ Apertura numérica [NA]			+10% -10%

✖La profundidad de enfoque es un parámetro crítico que influye en la tolerancia a las variaciones en la altura de la oblea semiconductora.ⓘ Profundidad de enfoque [DOF]

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Fórmula

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Profundidad de enfoque

Fórmula

`"DOF" = "k"_{"2"}*"λ"_{"l"}/("NA"^2)`

Ejemplo

`"1.301331μm"="3"*"223nm"/(("0.717")^2)`

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Profundidad de enfoque Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Profundidad de enfoque - (Medido en Metro) - La profundidad de enfoque es un parámetro crítico que influye en la tolerancia a las variaciones en la altura de la oblea semiconductora.
Factor de proporcionalidad - El factor de proporcionalidad es una constante que relaciona dos parámetros clave: la dimensión crítica (CD) y la dosis de exposición.
Longitud de onda en fotolitografía - (Medido en Metro) - La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.
Apertura numérica - La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Factor de proporcionalidad: 3 --> No se requiere conversión
Longitud de onda en fotolitografía: 223 nanómetro --> 2.23E-07 Metro (Verifique la conversión aquí)
Apertura numérica: 0.717 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Evaluar ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.30133109247621E-06 Metro -->1.30133109247621 Micrómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

1.30133109247621 ≈ 1.301331 Micrómetro <-- Profundidad de enfoque

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Voltaje del punto de conmutación

Vamos Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))

Efecto corporal en MOSFET

Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Concentración de dopante del donante

Vamos Concentración de dopante del donante = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Concentración de dopante aceptor

Vamos Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Concentración máxima de dopante

Vamos Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico

Tiempo de propagación

Vamos Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Profundidad de enfoque

Vamos Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)

Dimensión crítica

Vamos Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica

Troquel por oblea

Vamos Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)

Espesor de óxido equivalente

Vamos Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)

Profundidad de enfoque Fórmula

Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)

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