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Fabricación de circuitos integrados MOS
Fabricación de circuitos integrados bipolares
Schmitt Trigger
✖
El factor de proporcionalidad es una constante que relaciona dos parámetros clave: la dimensión crítica (CD) y la dosis de exposición.
ⓘ
Factor de proporcionalidad [k
2
]
+10%
-10%
✖
La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.
ⓘ
Longitud de onda en fotolitografía [λ
l
]
Angstrom
Centímetro
Electron Compton Longitud de onda
Kilómetro
megámetro
Metro
Micrómetro
nanómetro
+10%
-10%
✖
La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.
ⓘ
Apertura numérica [NA]
+10%
-10%
✖
La profundidad de enfoque es un parámetro crítico que influye en la tolerancia a las variaciones en la altura de la oblea semiconductora.
ⓘ
Profundidad de enfoque [DOF]
Angstrom
Centímetro
Electron Compton Longitud de onda
Kilómetro
megámetro
Metro
Micrómetro
nanómetro
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Fórmula
✖
Profundidad de enfoque
Fórmula
DOF
=
k
2
⋅
λ
l
NA
2
Ejemplo
1.301331 μm
=
3
⋅
223 nm
0.717
2
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Profundidad de enfoque Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Profundidad de enfoque
=
Factor de proporcionalidad
*
Longitud de onda en fotolitografía
/(
Apertura numérica
^2)
DOF
=
k
2
*
λ
l
/(
NA
^2)
Esta fórmula usa
4
Variables
Variables utilizadas
Profundidad de enfoque
-
(Medido en Metro)
- La profundidad de enfoque es un parámetro crítico que influye en la tolerancia a las variaciones en la altura de la oblea semiconductora.
Factor de proporcionalidad
- El factor de proporcionalidad es una constante que relaciona dos parámetros clave: la dimensión crítica (CD) y la dosis de exposición.
Longitud de onda en fotolitografía
-
(Medido en Metro)
- La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.
Apertura numérica
- La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Factor de proporcionalidad:
3 --> No se requiere conversión
Longitud de onda en fotolitografía:
223 nanómetro --> 2.23E-07 Metro
(Verifique la conversión
aquí
)
Apertura numérica:
0.717 --> No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
DOF = k
2
*λ
l
/(NA^2) -->
3*2.23E-07/(0.717^2)
Evaluar ... ...
DOF
= 1.30133109247621E-06
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.30133109247621E-06 Metro -->1.30133109247621 Micrómetro
(Verifique la conversión
aquí
)
RESPUESTA FINAL
1.30133109247621
≈
1.301331 Micrómetro
<--
Profundidad de enfoque
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Profundidad de enfoque
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banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verificada por
Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
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Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras
Efecto corporal en MOSFET
Vamos
Voltaje umbral con sustrato
=
Voltaje umbral con polarización corporal cero
+
Parámetro de efecto corporal
*(
sqrt
(2*
Potencial de Fermi a granel
+
Voltaje aplicado al cuerpo
)-
sqrt
(2*
Potencial de Fermi a granel
))
Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación
Vamos
Corriente de drenaje
=
Parámetro de transconductancia
/2*(
Voltaje de fuente de puerta
-
Voltaje umbral con polarización corporal cero
)^2*(1+
Factor de modulación de longitud del canal
*
Voltaje de la fuente de drenaje
)
Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET
Vamos
Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET
=
Transconductancia en MOSFET
/(
Capacitancia de la fuente de puerta
+
Capacitancia de drenaje de compuerta
)
Resistencia del canal
Vamos
Resistencia del canal
=
Longitud del transistor
/
Ancho del transistor
*1/(
Movilidad electrónica
*
Densidad del portador
)
Ver más >>
Profundidad de enfoque Fórmula
Profundidad de enfoque
=
Factor de proporcionalidad
*
Longitud de onda en fotolitografía
/(
Apertura numérica
^2)
DOF
=
k
2
*
λ
l
/(
NA
^2)
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