Diepte van focus Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Proportionaliteitsfactor is een constante die twee sleutelparameters met elkaar in verband brengt: de kritische dimensie (CD) en de blootstellingsdosis.ⓘ Evenredigheidsfactor [k₂]			+10% -10%
✖Golflengte in fotolithografie verwijst naar het specifieke bereik van elektromagnetische straling dat wordt gebruikt om halfgeleiderwafels te patrooneren tijdens het fabricageproces van halfgeleiders.ⓘ Golflengte in fotolithografie [λ_l]			+10% -10%
✖Numerieke opening van een optisch systeem is een parameter die in de optica wordt gebruikt om het vermogen van een optisch systeem te beschrijven. In de context van halfgeleiderproductie en fotolithografie.ⓘ Numeriek diafragma [NA]			+10% -10%

✖Depth of Focus is een kritische parameter die de tolerantie voor variaties in de hoogte van de halfgeleiderwafel beïnvloedt.ⓘ Diepte van focus [DOF]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Diepte van focus

Formule

`"DOF" = "k"_{"2"}*"λ"_{"l"}/("NA"^2)`

Voorbeeld

`"1.301331μm"="3"*"223nm"/(("0.717")^2)`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Diepte van focus Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Diepte van focus - (Gemeten in Meter) - Depth of Focus is een kritische parameter die de tolerantie voor variaties in de hoogte van de halfgeleiderwafel beïnvloedt.
Evenredigheidsfactor - Proportionaliteitsfactor is een constante die twee sleutelparameters met elkaar in verband brengt: de kritische dimensie (CD) en de blootstellingsdosis.
Golflengte in fotolithografie - (Gemeten in Meter) - Golflengte in fotolithografie verwijst naar het specifieke bereik van elektromagnetische straling dat wordt gebruikt om halfgeleiderwafels te patrooneren tijdens het fabricageproces van halfgeleiders.
Numeriek diafragma - Numerieke opening van een optisch systeem is een parameter die in de optica wordt gebruikt om het vermogen van een optisch systeem te beschrijven. In de context van halfgeleiderproductie en fotolithografie.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Evenredigheidsfactor: 3 --> Geen conversie vereist
Golflengte in fotolithografie: 223 Nanometer --> 2.23E-07 Meter (Bekijk de conversie hier)
Numeriek diafragma: 0.717 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Evalueren ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.30133109247621E-06 Meter -->1.30133109247621 Micrometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.30133109247621 ≈ 1.301331 Micrometer <-- Diepte van focus

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Diepte van focus

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Diepte van focus Formule

Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!