Profundidade de foco Calculadora

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Fabricação de IC MOS

Fabricação de CI bipolar

Gatilho Schmitt

✖O Fator de Proporcionalidade é uma constante que relaciona dois parâmetros fundamentais: a dimensão crítica (CD) e a dose de exposição.ⓘ Fator de Proporcionalidade [k₂]			+10% -10%
✖Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.ⓘ Comprimento de onda em fotolitografia [λ_l]			+10% -10%
✖A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.ⓘ Abertura numerica [NA]			+10% -10%

✖A profundidade de foco é um parâmetro crítico que influencia a tolerância a variações na altura do wafer semicondutor.ⓘ Profundidade de foco [DOF]

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Fórmula

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Profundidade de foco

Fórmula

`"DOF" = "k"_{"2"}*"λ"_{"l"}/("NA"^2)`

Exemplo

`"1.301331μm"="3"*"223nm"/(("0.717")^2)`

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Profundidade de foco Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Profundidade de foco - (Medido em Metro) - A profundidade de foco é um parâmetro crítico que influencia a tolerância a variações na altura do wafer semicondutor.
Fator de Proporcionalidade - O Fator de Proporcionalidade é uma constante que relaciona dois parâmetros fundamentais: a dimensão crítica (CD) e a dose de exposição.
Comprimento de onda em fotolitografia - (Medido em Metro) - Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.
Abertura numerica - A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Fator de Proporcionalidade: 3 --> Nenhuma conversão necessária
Comprimento de onda em fotolitografia: 223 Nanômetro --> 2.23E-07 Metro (Verifique a conversão aqui)
Abertura numerica: 0.717 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

DOF = k₂*λ_l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)

Avaliando ... ...

DOF = 1.30133109247621E-06

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.30133109247621E-06 Metro -->1.30133109247621 Micrômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

1.30133109247621 ≈ 1.301331 Micrômetro <-- Profundidade de foco

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação

Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Concentração de dopante doador

Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Concentração de dopante aceitante

Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)

Concentração Máxima de Dopante

Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos

Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco

Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)

Dimensão crítica

Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica

Morrer por wafer

Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)

Espessura de Óxido Equivalente

Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Profundidade de foco Fórmula

Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)
DOF = k₂*λ_l/(NA^2)

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