Profondità di messa a fuoco Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Profondità di messa a fuoco - (Misurato in metro) - La profondità di fuoco è un parametro critico che influenza la tolleranza alle variazioni di altezza del wafer semiconduttore.
Fattore di proporzionalità - Il fattore di proporzionalità è una costante che mette in relazione due parametri chiave: la dimensione critica (CD) e la dose di esposizione.
Lunghezza d'onda nella fotolitografia - (Misurato in metro) - La lunghezza d'onda nella fotolitografia si riferisce alla gamma specifica di radiazione elettromagnetica impiegata per modellare i wafer semiconduttori durante il processo di fabbricazione del semiconduttore.
Apertura numerica - L'apertura numerica di un sistema ottico è un parametro utilizzato in ottica per descrivere la capacità di un sistema ottico. Nel contesto della produzione di semiconduttori e della fotolitografia.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Fattore di proporzionalità: 3 --> Nessuna conversione richiesta
Lunghezza d'onda nella fotolitografia: 223 Nanometro --> 2.23E-07 metro (Controlla la conversione ​qui)
Apertura numerica: 0.717 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
DOF = k2l/(NA^2) --> 3*2.23E-07/(0.717^2)
Valutare ... ...
DOF = 1.30133109247621E-06
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.30133109247621E-06 metro -->1.30133109247621 Micrometro (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
1.30133109247621 1.301331 Micrometro <-- Profondità di messa a fuoco
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Effetto corpo nel MOSFET
​ Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))
Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione
​ Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)
Resistenza del canale
​ Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)
Frequenza di guadagno unitario MOSFET
​ Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Profondità di messa a fuoco Formula

Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)
DOF = k2*λl/(NA^2)
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