Kollektorstrom mit Emitterstrom Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom
Ic = α*Ie
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Basisstromverstärkung - Die Stromverstärkung α in Basisschaltung steht in Beziehung zur Stromverstärkung β in Emitterschaltung und ihr Wert ist kleiner als 1, da der Kollektorstrom aufgrund der Rekombination von Elektronen immer kleiner als der Emitterstrom ist.
Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Basisstromverstärkung: 0.985 --> Keine Konvertierung erforderlich
Emitterstrom: 5.077 Milliampere --> 0.005077 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Ic = α*Ie --> 0.985*0.005077
Auswerten ... ...
Ic = 0.005000845
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.005000845 Ampere -->5.000845 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
5.000845 Milliampere <-- Kollektorstrom
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

9 Kollektorstrom Taschenrechner

Kollektorstrom bei Sättigungsstrom aufgrund von Gleichspannung
​ Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)-Sättigungsstrom für DC*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)
Kollektorstrom mit Frühspannung für NPN-Transistor
​ Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)*(1+Kollektor-Emitter-Spannung/Versorgungsspannung)
Kollektorstrom gegeben Frühspannung für PNP-Transistor
​ Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)*(1+Kollektor-Emitter-Spannung/Versorgungsspannung)
Kollektorstrom mit Sättigungsstrom
​ Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung*[Charge-e]/([BoltZ]*300))
Kollektorstrom mit Leckstrom
​ Gehen Kollektorstrom = (Basisstrom*Gemeinsame Emitterstromverstärkung)+Kollektor-Emitter-Leckstrom
Kollektorstrom des PNP-Transistors
​ Gehen Kollektorstrom = Sättigungsstrom*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))
Kollektorstrom des PNP-Transistors bei Emitterstromverstärkung
​ Gehen Kollektorstrom = Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung*Basisstrom
Kollektorstrom mit Emitterstrom
​ Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom
Kollektorstrom von BJT
​ Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms
​ Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)
Übergangsfrequenz von BJT
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))
Gesamtverlustleistung in BJT
​ Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom
Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)
Unity-Gain-Bandbreite von BJT
​ Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)
Referenzstrom des BJT-Spiegels
​ Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Ausgangswiderstand von BJT
​ Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom
Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers
​ Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base
Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers
​ Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand
Basisstromverstärkung
​ Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Gelieferte Gesamtleistung in BJT
​ Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)
Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung
​ Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung
Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom
​ Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)
Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom
​ Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung
Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain
​ Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom
Kollektorstrom mit Emitterstrom
​ Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom
Eigener Gewinn von BJT
​ Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung
Kurzschluss-Transkonduktanz
​ Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung
Kollektorstrom von BJT
​ Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom
Emitterstrom von BJT
​ Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom Formel

Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom
Ic = α*Ie

Von welchen Faktoren hängt der Kollektorstrom von BJT ab?

ich

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