Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET Taschenrechner

✖Die Eins-Verstärkungsfrequenz ist definiert als die Frequenz des Verstärkers, wenn die Leistungsverstärkung Eins beträgt.ⓘ Einheitsgewinnfrequenz [f_t]			+10% -10%
✖Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.ⓘ Abflusswiderstand [R_d]			+10% -10%
✖Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.ⓘ Gate-Metallisierungswiderstand [R_g]			+10% -10%

✖Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.ⓘ Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET [f_m]

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Formel

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Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

Formel

`"f"_{"m"} = ("f"_{"t"}/2)*sqrt("R"_{"d"}/"R"_{"g"})`

Beispiel

`"65.28817Hz"=("10.3Hz"/2)*sqrt("450Ω"/"2.8Ω")`

Taschenrechner

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Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Maximale Schwingungsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die maximale Schwingungsfrequenz ist als praktische Obergrenze für einen sinnvollen Schaltungsbetrieb mit MESFET definiert.
Einheitsgewinnfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Eins-Verstärkungsfrequenz ist definiert als die Frequenz des Verstärkers, wenn die Leistungsverstärkung Eins beträgt.
Abflusswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Drain-Widerstand ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Source-Spannung zur entsprechenden Änderung des Drain-Stroms bei konstanter Gate-Source-Spannung.
Gate-Metallisierungswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Metallisierungswiderstand ist definiert als der Widerstand der Metallisierung eines FET-Gate-Streifens, der dazu führt, dass ein nichtlinearer Widerstand in Reihe mit dem Gate-Übergang geschaltet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Einheitsgewinnfrequenz: 10.3 Hertz --> 10.3 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Abflusswiderstand: 450 Ohm --> 450 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Metallisierungswiderstand: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g) --> (10.3/2)*sqrt(450/2.8)

Auswerten ... ...

f_m = 65.2881661777779

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

65.2881661777779 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

65.2881661777779 ≈ 65.28817 Hertz <-- Maximale Schwingungsfrequenz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 MESFET-Eigenschaften Taschenrechner

Grenzfrequenz unter Verwendung der Maximalfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = (2*Maximale Schwingungsfrequenz)/(sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)))

Gate-Metallisierungswiderstand

Gehen Gate-Metallisierungswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand)

Eingangswiderstand

Gehen Eingangswiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Quellenwiderstand)

Quellenwiderstand

Gehen Quellenwiderstand = ((Abflusswiderstand*Grenzfrequenz^2)/(4*Maximale Schwingungsfrequenz^2))-(Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Drain-Widerstand des MESFET

Gehen Abflusswiderstand = ((4*Maximale Schwingungsfrequenz^2)/Grenzfrequenz^2)*(Quellenwiderstand+Gate-Metallisierungswiderstand+Eingangswiderstand)

Transkonduktanz im Sättigungsbereich

Gehen Transkonduktanz = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Schottky-Diodenpotentialbarriere-Gate-Spannung)/Spannung abklemmen))

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)

Maximale Schwingungsfrequenz bei gegebener Transkonduktanz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Transkonduktanz/(pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Länge des MESFET

Gehen Torlänge = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Grenzfrequenz)

Grenzfrequenz

Gehen Grenzfrequenz = Gesättigte Driftgeschwindigkeit/(4*pi*Torlänge)

Grenzfrequenz bei gegebener Transkonduktanz und Kapazität

Gehen Grenzfrequenz = Transkonduktanz/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Transkonduktanz/(2*pi*Grenzfrequenz)

Transkonduktanz im MESFET

Gehen Transkonduktanz = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz

Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET Formel

Maximale Schwingungsfrequenz = (Einheitsgewinnfrequenz/2)*sqrt(Abflusswiderstand/Gate-Metallisierungswiderstand)
f_m = (f_t/2)*sqrt(R_d/R_g)

Was ist MESFET?

Ein MESFET (Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist ein Feldeffekttransistor-Halbleiterbauelement ähnlich einem JFET mit einem Schottky-Übergang (Metall-Halbleiter) anstelle eines AP-Übergangs für ein Gate.

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