Tensión de ruptura de polarización directa de IGBT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Tensión de ruptura en el área de operación segura = (5.34*10^13)/((Cargo neto positivo)^(3/4))
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4))
Esta fórmula usa 2 Variables
Variables utilizadas
Tensión de ruptura en el área de operación segura - (Medido en Voltio) - El voltaje de ruptura en el área de operación segura (SOA) de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es el voltaje máximo que se puede aplicar a través del dispositivo sin provocar que falle.
Cargo neto positivo - (Medido en Culombio) - La carga positiva neta de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es la cantidad total de carga positiva en el dispositivo.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Cargo neto positivo: 1.6E+16 Culombio --> 1.6E+16 Culombio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))
Evaluar ... ...
BVsoa = 37.5362834564558
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
37.5362834564558 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
37.5362834564558 37.53628 Voltio <-- Tensión de ruptura en el área de operación segura
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por Mohamed Fazil V
instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore
¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verifier Image
Verificada por parminder singh
Universidad de Chandigarh (CU), Punjab
¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

8 IGBT Calculadoras

Corriente nominal de colector continuo de IGBT
​ Vamos Corriente directa = (-Voltaje total del colector y emisor+sqrt((Voltaje total del colector y emisor)^2+4*Resistencia del colector y del emisor.*((Unión máxima de funcionamiento-Temperatura de la caja)/Resistencia termica)))/(2*Resistencia del colector y del emisor.)
Caída de voltaje en IGBT en estado ON
​ Vamos Caída de voltaje en el escenario = Corriente directa*Resistencia del canal N+Corriente directa*Resistencia a la deriva+Tensión Pn Unión 1
Voltaje de saturación de IGBT
​ Vamos Voltaje de saturación de colector a emisor = Voltaje base del emisor del transistor PNP+Corriente de drenaje*(Resistencia a la conductividad+Resistencia del canal N)
Tiempo de apagado del IGBT
​ Vamos Hora de apagado = Tiempo de retardo+Tiempo de caída inicial+Tiempo de caída final
Capacitancia de entrada de IGBT
​ Vamos Capacitancia de entrada = Capacitancia de puerta a emisor+Capacitancia de puerta a colector
Máxima disipación de potencia en IGBT
​ Vamos Disipación de potencia máxima = Unión máxima de funcionamiento/Ángulo de unión a caja
Corriente del emisor de IGBT
​ Vamos Corriente del emisor = Corriente del agujero+Corriente Electrónica
Tensión de ruptura de polarización directa de IGBT
​ Vamos Tensión de ruptura en el área de operación segura = (5.34*10^13)/((Cargo neto positivo)^(3/4))

Tensión de ruptura de polarización directa de IGBT Fórmula

Tensión de ruptura en el área de operación segura = (5.34*10^13)/((Cargo neto positivo)^(3/4))
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4))
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