Tension de claquage de la polarisation directe de l'IGBT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = (5.34*10^13)/((Charge positive nette)^(3/4))
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4))
Cette formule utilise 2 Variables
Variables utilisées
Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre - (Mesuré en Volt) - La tension de claquage sur la zone de fonctionnement sûre (SOA) d'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est la tension maximale qui peut être appliquée aux bornes de l'appareil sans provoquer sa défaillance.
Charge positive nette - (Mesuré en Coulomb) - La charge positive nette d'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est la quantité totale de charge positive dans l'appareil.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Charge positive nette: 16 Coulomb --> 16 Coulomb Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((16)^(3/4))
Évaluer ... ...
BVsoa = 6675000000000
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
6675000000000 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
6675000000000 6.7E+12 Volt <-- Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Mohamed Fazil V
Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore
Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Parminder Singh
Université de Chandigarh (UC), Pendjab
Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

10+ IGBT Calculatrices

Courant nominal continu du collecteur de l'IGBT
​ Aller Courant direct = (-Tension totale du collecteur et de l'émetteur+sqrt((Tension totale du collecteur et de l'émetteur)^2+4*Résistance du collecteur et de l'émetteur*((Jonction de fonctionnement maximale-Température du boîtier)/Résistance thermique)))/(2*Résistance du collecteur et de l'émetteur)
Tension de saturation de l'IGBT
​ Aller Tension de saturation du collecteur à l'émetteur = Tension de l'émetteur de base du transistor PNP+Courant de vidange*(Résistance à la conductivité+Résistance du canal N)
Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON
​ Aller Chute de tension sur scène = Courant direct*Résistance du canal N+Courant direct*Résistance à la dérive+Tension Pn Jonction 1
Tension de claquage de la polarisation inverse de l'IGBT
​ Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = 5.34*10^13*((Courant total du collecteur)/(Charge électrique*Tension de saturation P Base))
Temps d'arrêt de l'IGBT
​ Aller Heure d'arrêt = Temporisation+Temps de chute initial+Dernière heure d'automne
Dissipation de puissance maximale dans l'IGBT
​ Aller Dissipation de puissance maximale = Jonction de fonctionnement maximale/Jonction à l'angle du boîtier
Capacité de sortie de l'IGBT
​ Aller Capacité de sortie = Capacité du collecteur à l’émetteur+Capacité porte à collecteur
Tension de claquage de la polarisation directe de l'IGBT
​ Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = (5.34*10^13)/((Charge positive nette)^(3/4))
Capacité d'entrée de l'IGBT
​ Aller Capacité d'entrée = Capacité porte à émetteur+Capacité porte à collecteur
Courant émetteur de l'IGBT
​ Aller Courant de l'émetteur = Courant de trou+Courant électronique

Tension de claquage de la polarisation directe de l'IGBT Formule

Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = (5.34*10^13)/((Charge positive nette)^(3/4))
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4))
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