Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT Калькулятор

✖Чистый положительный заряд биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) — это общее количество положительного заряда в устройстве.ⓘ Чистый положительный заряд [N⁺]

+10%

-10%

✖Напряжение пробоя в безопасной рабочей зоне (SOA) биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) — это максимальное напряжение, которое можно приложить к устройству, не вызывая его выхода из строя.ⓘ Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT [BV_soa]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT

Формула

`"BV"_{"soa"} = (5.34*10^13)/(("N"^{"+"})^(3/4))`

Пример

`"37.53628V"=(5.34*10^13)/(("16e15C")^(3/4))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Силовая электроника формула PDF PDF Image

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд)^(3/4))
BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4))
В этой формуле используются 2 Переменные

Используемые переменные

Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне - (Измеряется в вольт) - Напряжение пробоя в безопасной рабочей зоне (SOA) биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) — это максимальное напряжение, которое можно приложить к устройству, не вызывая его выхода из строя.
Чистый положительный заряд - (Измеряется в Кулон) - Чистый положительный заряд биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) — это общее количество положительного заряда в устройстве.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Чистый положительный заряд: 1.6E+16 Кулон --> 1.6E+16 Кулон Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))

Оценка ... ...

BV_soa = 37.5362834564558

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

37.5362834564558 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

37.5362834564558 ≈ 37.53628 вольт <-- Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » БТИЗ » Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

Идти Прямой ток = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера)^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера*((Максимальный рабочий переход-Температура корпуса)/Термическое сопротивление)))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера)

Напряжение насыщения IGBT

Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора+Ток стока*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала)

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Идти Падение напряжения на этапе = Прямой ток*Сопротивление N-канала+Прямой ток*Сопротивление дрейфу+Напряжение Pn-перехода 1

Время выключения IGBT

Идти Время выключения = Время задержки+Начальное время падения+Время последней осени

Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT

Идти Максимальная рассеиваемая мощность = Максимальный рабочий переход/Угол соединения с корпусом

Входная емкость IGBT

Идти Входная емкость = Емкость от затвора до эмиттера+Ворота к емкости коллектора

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT

Идти Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд)^(3/4))

Ток эмиттера IGBT

Идти Ток эмиттера = Ток отверстия+Электронный ток

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT формула

Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд)^(3/4))
BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4))

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!