Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung Taschenrechner

✖Die Netto-positive Ladung eines Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist die Gesamtmenge an positiver Ladung im Gerät.ⓘ Positive Nettoladung [N⁺]

+10%

-10%

✖Die Durchbruchspannung im sicheren Betriebsbereich (SOA) eines Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist die maximale Spannung, die an das Gerät angelegt werden kann, ohne dass es ausfällt.ⓘ Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung [BV_soa]

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Formel

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Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Formel

`"BV"_{"soa"} = (5.34*10^13)/(("N"^{"+"})^(3/4))`

Beispiel

`"37.53628V"=(5.34*10^13)/(("16e15C")^(3/4))`

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Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung)^(3/4))
BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4))
Diese formel verwendet 2 Variablen

Verwendete Variablen

Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich - (Gemessen in Volt) - Die Durchbruchspannung im sicheren Betriebsbereich (SOA) eines Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist die maximale Spannung, die an das Gerät angelegt werden kann, ohne dass es ausfällt.
Positive Nettoladung - (Gemessen in Coulomb) - Die Netto-positive Ladung eines Bipolartransistors mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist die Gesamtmenge an positiver Ladung im Gerät.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Positive Nettoladung: 1.6E+16 Coulomb --> 1.6E+16 Coulomb Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))

Auswerten ... ...

BV_soa = 37.5362834564558

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

37.5362834564558 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

37.5362834564558 ≈ 37.53628 Volt <-- Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Gehen Vorwärtsstrom = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter)^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter*((Maximaler Betriebsknotenpunkt-Gehäusetemperatur)/Wärmewiderstand)))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter)

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Gehen Spannungsabfall auf der Stufe = Vorwärtsstrom*N-Kanal-Widerstand+Vorwärtsstrom*Driftwiderstand+Spannung PN-Anschluss 1

Sättigungsspannung des IGBT

Gehen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung = Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors+Stromverbrauch*(Leitfähigkeitswiderstand+N-Kanal-Widerstand)

IGBT-Ausschaltzeit

Gehen Schalten Sie die Ausschaltzeit aus = Verzögerungszeit+Anfängliche Herbstzeit+Letzte Herbstzeit

Maximale Verlustleistung im IGBT

Gehen Maximale Verlustleistung = Maximaler Betriebsknotenpunkt/Kreuzung zum Case Angle

Eingangskapazität des IGBT

Gehen Eingangskapazität = Gate-Emitter-Kapazität+Gate-Kollektor-Kapazität

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Gehen Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung)^(3/4))

Emitterstrom des IGBT

Gehen Emitterstrom = Lochstrom+Elektronischer Strom

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung Formel

Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung)^(3/4))
BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4))

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