Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT Calculadora

✖Carga positiva líquida de um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é a quantidade total de carga positiva no dispositivo.ⓘ Carga Positiva Líquida [N⁺]

+10%

-10%

✖A tensão de ruptura na área operacional segura (SOA) de um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é a tensão máxima que pode ser aplicada ao dispositivo sem causar sua falha.ⓘ Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT [BV_soa]

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Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT

Fórmula

`"BV"_{"soa"} = (5.34*10^13)/(("N"^{"+"})^(3/4))`

Exemplo

`"37.53628V"=(5.34*10^13)/(("16e15C")^(3/4))`

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Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Tensão de ruptura na área operacional segura = (5.34*10^13)/((Carga Positiva Líquida)^(3/4))
BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4))
Esta fórmula usa 2 Variáveis

Variáveis Usadas

Tensão de ruptura na área operacional segura - (Medido em Volt) - A tensão de ruptura na área operacional segura (SOA) de um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é a tensão máxima que pode ser aplicada ao dispositivo sem causar sua falha.
Carga Positiva Líquida - (Medido em Coulomb) - Carga positiva líquida de um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) é a quantidade total de carga positiva no dispositivo.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Carga Positiva Líquida: 1.6E+16 Coulomb --> 1.6E+16 Coulomb Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))

Avaliando ... ...

BV_soa = 37.5362834564558

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

37.5362834564558 Volt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

37.5362834564558 ≈ 37.53628 Volt <-- Tensão de ruptura na área operacional segura

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Mohamed Fazil V

Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 8 IGBT Calculadoras

Corrente Nominal Contínua do Coletor do IGBT

Vai Atual para a frente = (-Tensão Total do Coletor e Emissor+sqrt((Tensão Total do Coletor e Emissor)^2+4*Resistência do Coletor e Emissor*((Junção operacional máxima-Temperatura da caixa)/Resistência térmica)))/(2*Resistência do Coletor e Emissor)

Queda de tensão no IGBT no estado ON

Vai Queda de tensão no estágio = Atual para a frente*Resistência do Canal N+Atual para a frente*Resistência à deriva+Junção Pn de Tensão 1

Tensão de saturação do IGBT

Vai Tensão de saturação do coletor para o emissor = Tensão base do emissor do transistor PNP+Corrente de drenagem*(Resistência à Condutividade+Resistência do Canal N)

Tempo de desligamento do IGBT

Vai Desligue o tempo = Tempo de atraso+Tempo inicial de outono+Hora final do outono

Capacitância de entrada do IGBT

Vai Capacitância de entrada = Porta para capacitância do emissor+Porta para capacitância do coletor

Dissipação Máxima de Potência em IGBT

Vai Dissipação Máxima de Potência = Junção operacional máxima/Junção ao Ângulo da Caixa

Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT

Vai Tensão de ruptura na área operacional segura = (5.34*10^13)/((Carga Positiva Líquida)^(3/4))

Corrente do Emissor do IGBT

Vai Corrente do Emissor = Corrente do furo+Corrente Eletrônica

Tensão de ruptura de polarização direta do IGBT Fórmula

Tensão de ruptura na área operacional segura = (5.34*10^13)/((Carga Positiva Líquida)^(3/4))
BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4))

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