Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT Kalkulator

✖Dodatni ładunek netto tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT) to całkowita ilość ładunku dodatniego w urządzeniu.ⓘ Dodatni ładunek netto [N⁺]

+10%

-10%

✖Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze działania (SOA) tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT) to maksymalne napięcie, które można przyłożyć do urządzenia, nie powodując jego awarii.ⓘ Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT [BV_soa]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT

Formuła

`"BV"_{"soa"} = (5.34*10^13)/(("N"^{"+"})^(3/4))`

Przykład

`"37.53628V"=(5.34*10^13)/(("16e15C")^(3/4))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika mocy Formułę PDF PDF Image

Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym = (5.34*10^13)/((Dodatni ładunek netto)^(3/4))
BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4))
Ta formuła używa 2 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym - (Mierzone w Wolt) - Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze działania (SOA) tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT) to maksymalne napięcie, które można przyłożyć do urządzenia, nie powodując jego awarii.
Dodatni ładunek netto - (Mierzone w Kulomb) - Dodatni ładunek netto tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT) to całkowita ilość ładunku dodatniego w urządzeniu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Dodatni ładunek netto: 1.6E+16 Kulomb --> 1.6E+16 Kulomb Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))

Ocenianie ... ...

BV_soa = 37.5362834564558

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

37.5362834564558 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

37.5362834564558 ≈ 37.53628 Wolt <-- Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektryczny » Elektronika mocy » Zaawansowane urządzenia tranzystorowe » IGBT » Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT

Kredyty

Stworzone przez Mohamed Fazil W

Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru

Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 8 IGBT Kalkulatory

Nominalny ciągły prąd kolektora IGBT

Iść Prąd przewodzenia = (-Całkowite napięcie kolektora i emitera+sqrt((Całkowite napięcie kolektora i emitera)^2+4*Rezystancja kolektora i emitera*((Maksymalne złącze operacyjne-Temperatura obudowy)/Odporność termiczna)))/(2*Rezystancja kolektora i emitera)

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

Iść Spadek napięcia na stopniu = Prąd przewodzenia*Rezystancja kanału N+Prąd przewodzenia*Odporność na dryf+Złącze napięciowe Pn 1

Napięcie nasycenia IGBT

Iść Napięcie nasycenia kolektora-emitera = Napięcie emitera bazy tranzystora PNP+Prąd spustowy*(Odporność na przewodnictwo IGBT+Rezystancja kanału N)

Czas wyłączenia IGBT

Iść Wyłącz czas = Czas zwłoki+Początkowy czas opadania+Ostatni czas upadku

Maksymalne rozproszenie mocy w IGBT

Iść Maksymalne rozproszenie mocy = Maksymalne złącze operacyjne/Połączenie z kątem obudowy

Pojemność wejściowa IGBT

Iść Pojemność wejściowa = Bramka do pojemności emitera+Brama do pojemności kolektora

Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT

Iść Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym = (5.34*10^13)/((Dodatni ładunek netto)^(3/4))

Prąd emitera IGBT

Iść Prąd emitera = Prąd dziury+Prąd elektroniczny

Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT Formułę

Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym = (5.34*10^13)/((Dodatni ładunek netto)^(3/4))
BV_soa = (5.34*10^13)/((N⁺)^(3/4))

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!