Tensione di rottura della polarizzazione diretta dell'IGBT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione di guasto in un'area operativa sicura = (5.34*10^13)/((Commissione positiva netta)^(3/4))
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4))
Questa formula utilizza 2 Variabili
Variabili utilizzate
Tensione di guasto in un'area operativa sicura - (Misurato in Volt) - La tensione di rottura nell'area operativa sicura (SOA) di un transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è la tensione massima che può essere applicata al dispositivo senza provocarne il guasto.
Commissione positiva netta - (Misurato in Coulomb) - La carica positiva netta di un transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è la quantità totale di carica positiva nel dispositivo.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Commissione positiva netta: 1.6E+16 Coulomb --> 1.6E+16 Coulomb Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))
Valutare ... ...
BVsoa = 37.5362834564558
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
37.5362834564558 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
37.5362834564558 37.53628 Volt <-- Tensione di guasto in un'area operativa sicura
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Mohamed Fazil V
Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore
Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

8 IGBT Calcolatrici

Corrente di collettore continua nominale dell'IGBT
​ Partire Corrente diretta = (-Tensione totale del collettore e dell'emettitore+sqrt((Tensione totale del collettore e dell'emettitore)^2+4*Resistenza del collettore e dell'emettitore*((Giunzione operativa massima-Temperatura della custodia)/Resistenza termica)))/(2*Resistenza del collettore e dell'emettitore)
Tensione di saturazione dell'IGBT
​ Partire Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore = Tensione dell'emettitore base del transistor PNP+Assorbimento di corrente*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza del canale N)
Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON
​ Partire Caduta di tensione sul palco = Corrente diretta*Resistenza del canale N+Corrente diretta*Resistenza alla deriva+Giunzione Pn di tensione 1
Orario di spegnimento dell'IGBT
​ Partire Spegnimento ora = Ritardo+Tempo di caduta iniziale+Tempo di caduta finale
Massima dissipazione di potenza negli IGBT
​ Partire Massima dissipazione di potenza = Giunzione operativa massima/Giunzione all'angolo della cassa
Capacità di ingresso dell'IGBT
​ Partire Capacità di ingresso = Capacità dal gate all'emettitore+Capacità da gate a collettore
Tensione di rottura della polarizzazione diretta dell'IGBT
​ Partire Tensione di guasto in un'area operativa sicura = (5.34*10^13)/((Commissione positiva netta)^(3/4))
Corrente dell'emettitore dell'IGBT
​ Partire Corrente dell'emettitore = Corrente del buco+Corrente elettronica

Tensione di rottura della polarizzazione diretta dell'IGBT Formula

Tensione di guasto in un'area operativa sicura = (5.34*10^13)/((Commissione positiva netta)^(3/4))
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4))
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