Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4))
Deze formule gebruikt 2 Variabelen
Variabelen gebruikt
Doorslagspanning op veilig werkgebied - (Gemeten in Volt) - Doorslagspanning op het veilige bedieningsgebied (SOA) van een bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT) is de maximale spanning die over het apparaat kan worden toegepast zonder dat het defect raakt.
Netto positieve lading - (Gemeten in Coulomb) - De netto positieve lading van een bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT) is de totale hoeveelheid positieve lading in het apparaat.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Netto positieve lading: 1.6E+16 Coulomb --> 1.6E+16 Coulomb Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))
Evalueren ... ...
BVsoa = 37.5362834564558
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
37.5362834564558 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
37.5362834564558 37.53628 Volt <-- Doorslagspanning op veilig werkgebied
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Mohammed Fazil V
Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru
Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT
​ Gaan Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)
Spanningsdaling in IGBT in AAN-status
​ Gaan Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1
Verzadigingsspanning van IGBT
​ Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)
IGBT-uitschakeltijd
​ Gaan Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd
Maximale vermogensdissipatie in IGBT
​ Gaan Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing
Ingangscapaciteit van IGBT
​ Gaan Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit
Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT
​ Gaan Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))
Emitterstroom van IGBT
​ Gaan Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT Formule

Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))
BVsoa = (5.34*10^13)/((N+)^(3/4))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!