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Calculadora Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje
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Fabricación de circuitos integrados bipolares
Fabricación de circuitos integrados MOS
Schmitt Trigger
✖
El dopaje en el lado N se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo N de un dispositivo semiconductor.
ⓘ
Dopaje en el lado N [N
dn
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
+10%
-10%
✖
El dopaje en el lado P se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo P de un dispositivo semiconductor.
ⓘ
Dopaje en el lado P [N
dp
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
+10%
-10%
✖
La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.
ⓘ
Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje [γ]
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Fórmula
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Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje
Fórmula
`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`
Ejemplo
`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`
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Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Eficiencia de inyección del emisor
=
Dopaje en el lado N
/(
Dopaje en el lado N
+
Dopaje en el lado P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Esta fórmula usa
3
Variables
Variables utilizadas
Eficiencia de inyección del emisor
- La eficiencia de inyección del emisor es la relación entre la corriente de electrones que fluye en el emisor y la corriente total a través de la unión de la base del emisor.
Dopaje en el lado N
-
(Medido en 1 por metro cúbico)
- El dopaje en el lado N se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo N de un dispositivo semiconductor.
Dopaje en el lado P
-
(Medido en 1 por metro cúbico)
- El dopaje en el lado P se refiere al proceso de introducir tipos específicos de impurezas en la región semiconductora de tipo P de un dispositivo semiconductor.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Dopaje en el lado N:
4.8 1 por centímetro cúbico --> 4800000 1 por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
Dopaje en el lado P:
1.8 1 por centímetro cúbico --> 1800000 1 por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
γ = N
dn
/(N
dn
+N
dp
) -->
4800000/(4800000+1800000)
Evaluar ... ...
γ
= 0.727272727272727
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.727272727272727 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.727272727272727
≈
0.727273
<--
Eficiencia de inyección del emisor
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
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Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje
Créditos
Creado por
banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
Verificada por
Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
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19 Fabricación de circuitos integrados bipolares Calculadoras
Resistencia del paralelepípedo rectangular
Vamos
Resistencia
= ((
Resistividad
*
Grosor de la capa
)/(
Ancho de la capa difundida
*
Longitud de la capa difundida
))*(
ln
(
Ancho del rectángulo inferior
/
Longitud del rectángulo inferior
)/(
Ancho del rectángulo inferior
-
Longitud del rectángulo inferior
))
Átomos de impureza por unidad de área
Vamos
Impureza total
=
Difusión efectiva
*(
Área de unión de la base del emisor
*((
Cargar
*
Concentración intrínseca
^2)/
Colector actual
)*
exp
(
Emisor de base de voltaje
/
Voltaje térmico
))
Conductividad del tipo P
Vamos
Conductividad óhmica
=
Cargar
*(
Movilidad del silicio con dopaje electrónico
*(
Concentración intrínseca
^2/
Concentración de equilibrio del tipo P
)+
Movilidad de silicio con dopaje de orificios
*
Concentración de equilibrio del tipo P
)
Conductividad de tipo N
Vamos
Conductividad óhmica
=
Cargar
*(
Movilidad del silicio con dopaje electrónico
*
Concentración de equilibrio de tipo N
+
Movilidad de silicio con dopaje de orificios
*(
Concentración intrínseca
^2/
Concentración de equilibrio de tipo N
))
Conductividad óhmica de la impureza
Vamos
Conductividad óhmica
=
Cargar
*(
Movilidad del silicio con dopaje electrónico
*
Concentración de electrones
+
Movilidad de silicio con dopaje de orificios
*
Concentración de agujeros
)
Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición
Vamos
Capacitancia de la fuente de puerta
= (2/3*
Ancho del transistor
*
Longitud del transistor
*
Capacitancia de óxido
)+(
Ancho del transistor
*
Capacitancia de superposición
)
Corriente de colector del transistor PNP
Vamos
Colector actual
= (
Cargar
*
Área de unión de la base del emisor
*
Concentración de equilibrio de tipo N
*
Constante de difusión para PNP
)/
Ancho de la base
Corriente de saturación en transistor
Vamos
Corriente de saturación
= (
Cargar
*
Área de unión de la base del emisor
*
Difusión efectiva
*
Concentración intrínseca
^2)/
Impureza total
Consumo de energía de carga capacitiva dado el voltaje de suministro
Vamos
Consumo de energía de carga capacitiva
=
Capacitancia de carga
*
Tensión de alimentación
^2*
Frecuencia de señal de salida
*
Número total de salidas conmutadas
Resistencia laminar de la capa
Vamos
Resistencia de la hoja
= 1/(
Cargar
*
Movilidad del silicio con dopaje electrónico
*
Concentración de equilibrio de tipo N
*
Grosor de la capa
)
Agujero de densidad actual
Vamos
Densidad de corriente del agujero
=
Cargar
*
Constante de difusión para PNP
*(
Concentración de equilibrio del agujero
/
Ancho de la base
)
Eficiencia de inyección del emisor
Vamos
Eficiencia de inyección del emisor
=
Corriente del emisor
/(
Corriente del emisor debida a los electrones.
+
Corriente del emisor debido a los agujeros
)
Resistencia de la capa difusa
Vamos
Resistencia
= (1/
Conductividad óhmica
)*(
Longitud de la capa difundida
/(
Ancho de la capa difundida
*
Grosor de la capa
))
Impureza con concentración intrínseca
Vamos
Concentración intrínseca
=
sqrt
((
Concentración de electrones
*
Concentración de agujeros
)/
Impureza de temperatura
)
Voltaje de ruptura del emisor colector
Vamos
Voltaje de ruptura del emisor del colector
=
Voltaje de ruptura de la base del colector
/(
Ganancia actual de BJT
)^(1/
Número raíz
)
Corriente que fluye en el diodo Zener
Vamos
Corriente de diodo
= (
Voltaje de referencia de entrada
-
Voltaje de salida estable
)/
Resistencia Zener
Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje
Vamos
Eficiencia de inyección del emisor
=
Dopaje en el lado N
/(
Dopaje en el lado N
+
Dopaje en el lado P
)
Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados
Vamos
Factor de conversión de voltaje a frecuencia en circuitos integrados
=
Frecuencia de señal de salida
/
Voltaje de entrada
Factor de transporte base dado el ancho de la base
Vamos
Factor de transporte básico
= 1-(1/2*(
Ancho físico
/
Longitud de difusión de electrones
)^2)
Eficiencia de inyección del emisor dadas las constantes de dopaje Fórmula
Eficiencia de inyección del emisor
=
Dopaje en el lado N
/(
Dopaje en el lado N
+
Dopaje en el lado P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
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