Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten Taschenrechner

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✖Unter Dotierung auf der N-Seite versteht man den Vorgang des Einbringens spezifischer Arten von Verunreinigungen in den N-Typ-Halbleiterbereich eines Halbleiterbauelements.ⓘ Dotierung auf der N-Seite [N_dn]			+10% -10%
✖Unter Dotierung auf der P-Seite versteht man den Vorgang des Einbringens spezifischer Arten von Verunreinigungen in den P-Typ-Halbleiterbereich eines Halbleiterbauelements.ⓘ Dotierung auf der P-Seite [N_dp]			+10% -10%

✖Die Emitter-Injektionseffizienz ist das Verhältnis des im Emitter fließenden Elektronenstroms zum Gesamtstrom über die Emitter-Basis-Verbindung.ⓘ Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten [γ]

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Formel

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Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Formel

`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`

Beispiel

`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`

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Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Emitter-Einspritzeffizienz - Die Emitter-Injektionseffizienz ist das Verhältnis des im Emitter fließenden Elektronenstroms zum Gesamtstrom über die Emitter-Basis-Verbindung.
Dotierung auf der N-Seite - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Dotierung auf der N-Seite versteht man den Vorgang des Einbringens spezifischer Arten von Verunreinigungen in den N-Typ-Halbleiterbereich eines Halbleiterbauelements.
Dotierung auf der P-Seite - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Dotierung auf der P-Seite versteht man den Vorgang des Einbringens spezifischer Arten von Verunreinigungen in den P-Typ-Halbleiterbereich eines Halbleiterbauelements.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Dotierung auf der N-Seite: 4.8 1 pro Kubikzentimeter --> 4800000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Dotierung auf der P-Seite: 1.8 1 pro Kubikzentimeter --> 1800000 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Auswerten ... ...

γ = 0.727272727272727

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.727272727272727 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Emitter-Einspritzeffizienz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

< 19 Bipolare IC-Herstellung Taschenrechner

Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten Formel

Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)

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