Calculadora A a Z
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Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem Calculadora
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Fabricação de CI bipolar
Fabricação de IC MOS
Gatilho Schmitt
✖
A dopagem no lado N refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo N de um dispositivo semicondutor.
ⓘ
Doping no lado N [N
dn
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
+10%
-10%
✖
Dopagem no lado P refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo P de um dispositivo semicondutor.
ⓘ
Doping no lado P [N
dp
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
+10%
-10%
✖
A eficiência de injeção do emissor é a razão entre a corrente de elétrons que flui no emissor e a corrente total através da junção da base do emissor.
ⓘ
Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem [γ]
⎘ Cópia De
Degraus
👎
Fórmula
✖
Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem
Fórmula
`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`
Exemplo
`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`
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Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Eficiência de injeção de emissor
=
Doping no lado N
/(
Doping no lado N
+
Doping no lado P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Esta fórmula usa
3
Variáveis
Variáveis Usadas
Eficiência de injeção de emissor
- A eficiência de injeção do emissor é a razão entre a corrente de elétrons que flui no emissor e a corrente total através da junção da base do emissor.
Doping no lado N
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- A dopagem no lado N refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo N de um dispositivo semicondutor.
Doping no lado P
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- Dopagem no lado P refere-se ao processo de introdução de tipos específicos de impurezas na região semicondutora do tipo P de um dispositivo semicondutor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Doping no lado N:
4.8 1 por centímetro cúbico --> 4800000 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Doping no lado P:
1.8 1 por centímetro cúbico --> 1800000 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
γ = N
dn
/(N
dn
+N
dp
) -->
4800000/(4800000+1800000)
Avaliando ... ...
γ
= 0.727272727272727
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.727272727272727 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.727272727272727
≈
0.727273
<--
Eficiência de injeção de emissor
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)
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Fabricação de CI bipolar
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Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem
Créditos
Criado por
banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
19 Fabricação de CI bipolar Calculadoras
Resistência do Paralelepípedo Retangular
Vai
Resistência
= ((
Resistividade
*
Espessura da Camada
)/(
Largura da camada difusa
*
Comprimento da camada difusa
))*(
ln
(
Largura do retângulo inferior
/
Comprimento do retângulo inferior
)/(
Largura do retângulo inferior
-
Comprimento do retângulo inferior
))
Átomos de Impureza por Unidade de Área
Vai
Impureza total
=
Difusão Eficaz
*(
Área de junção da base do emissor
*((
Cobrar
*
Concentração Intrínseca
^2)/
Corrente do coletor
)*
exp
(
Emissor de base de tensão
/
Tensão Térmica
))
Condutividade do Tipo N
Vai
Condutividade Ohmica
=
Cobrar
*(
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica
*
Concentração de equilíbrio do tipo N
+
Dopagem de furos Mobilidade de silício
*(
Concentração Intrínseca
^2/
Concentração de equilíbrio do tipo N
))
Condutividade do tipo P
Vai
Condutividade Ohmica
=
Cobrar
*(
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica
*(
Concentração Intrínseca
^2/
Concentração de equilíbrio do tipo P
)+
Dopagem de furos Mobilidade de silício
*
Concentração de equilíbrio do tipo P
)
Condutividade ôhmica da impureza
Vai
Condutividade Ohmica
=
Cobrar
*(
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica
*
Concentração de Elétrons
+
Dopagem de furos Mobilidade de silício
*
Concentração de Buraco
)
Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição
Vai
Capacitância da Fonte da Porta
= (2/3*
Largura do transistor
*
Comprimento do transistor
*
Capacitância de Óxido
)+(
Largura do transistor
*
Capacitância de sobreposição
)
Corrente de Coletor do Transistor PNP
Vai
Corrente do coletor
= (
Cobrar
*
Área de junção da base do emissor
*
Concentração de equilíbrio do tipo N
*
Constante de difusão para PNP
)/
Largura básica
Corrente de saturação no transistor
Vai
Corrente de saturação
= (
Cobrar
*
Área de junção da base do emissor
*
Difusão Eficaz
*
Concentração Intrínseca
^2)/
Impureza total
Consumo de energia de carga capacitiva dada a tensão de alimentação
Vai
Consumo de energia de carga capacitiva
=
Capacitância de Carga
*
Tensão de alimentação
^2*
Frequência do sinal de saída
*
Número total de comutação de saídas
Resistência da Folha da Camada
Vai
Resistência da folha
= 1/(
Cobrar
*
Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica
*
Concentração de equilíbrio do tipo N
*
Espessura da Camada
)
Resistência da Camada Difusa
Vai
Resistência
= (1/
Condutividade Ohmica
)*(
Comprimento da camada difusa
/(
Largura da camada difusa
*
Espessura da Camada
))
Buraco de densidade atual
Vai
Densidade atual do furo
=
Cobrar
*
Constante de difusão para PNP
*(
Concentração de Equilíbrio do Buraco
/
Largura básica
)
Impureza com Concentração Intrínseca
Vai
Concentração Intrínseca
=
sqrt
((
Concentração de Elétrons
*
Concentração de Buraco
)/
Impureza de temperatura
)
Eficiência de injeção de emissor
Vai
Eficiência de injeção de emissor
=
Corrente do Emissor
/(
Corrente do emissor devido aos elétrons
+
Corrente do Emissor devido a Buracos
)
Tensão de ruptura do emissor coletor
Vai
Tensão de ruptura do emissor do coletor
=
Tensão de ruptura da base do coletor
/(
Ganho atual do BJT
)^(1/
Número raiz
)
Corrente fluindo no diodo Zener
Vai
Corrente de Diodo
= (
Tensão de referência de entrada
-
Tensão de saída estável
)/
Resistência Zener
Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem
Vai
Eficiência de injeção de emissor
=
Doping no lado N
/(
Doping no lado N
+
Doping no lado P
)
Fator de conversão de tensão em frequência em CIs
Vai
Fator de conversão de tensão em frequência em CIs
=
Frequência do sinal de saída
/
Tensão de entrada
Fator de transporte base dada a largura base
Vai
Fator de Transporte Básico
= 1-(1/2*(
Largura Física
/
Comprimento de difusão eletrônica
)^2)
Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem Fórmula
Eficiência de injeção de emissor
=
Doping no lado N
/(
Doping no lado N
+
Doping no lado P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
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