Kalkulator A do Z
🔍
Pobierać PDF
Chemia
Inżynieria
Budżetowy
Zdrowie
Matematyka
Fizyka
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Kalkulator
Inżynieria
Budżetowy
Chemia
Fizyka
Matematyka
Plac zabaw
Zdrowie
↳
Elektronika
Cywilny
Elektronika i oprzyrządowanie
Elektryczny
Inżynieria chemiczna
Inżynieria materiałowa
Inżynieria produkcji
Mechaniczny
⤿
Układy scalone (IC)
Antena
Cyfrowe przetwarzanie obrazu
EDC
Elektronika analogowa
Elektronika mocy
Inżynieria telewizyjna
Komunikacja analogowa
Komunikacja bezprzewodowa
Komunikacja cyfrowa
Komunikacja satelitarna
Linia transmisyjna i antena
Mikroelektronika RF
Produkcja VLSI
Projekt światłowodu
Projektowanie i zastosowania CMOS
Sygnał i systemy
System radarowy
System sterowania
Telekomunikacyjne systemy przełączające
Teoria informacji i kodowanie
Teoria mikrofalowa
Teoria pola elektromagnetycznego
Transmisja światłowodowa
Urządzenia optoelektroniczne
Urządzenia półprzewodnikowe
Wbudowany system
Wzmacniacze
⤿
Produkcja bipolarnych układów scalonych
Produkcja układów scalonych MOS
Wyzwalacz Schmitta
✖
Domieszkowanie strony N odnosi się do procesu wprowadzania określonych rodzajów zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu N urządzenia półprzewodnikowego.
ⓘ
Doping po stronie N [N
dn
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
+10%
-10%
✖
Doping po stronie P odnosi się do procesu wprowadzania określonego rodzaju zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu P urządzenia półprzewodnikowego.
ⓘ
Doping po stronie P [N
dp
]
1 na centymetr sześcienny
1 na metr sześcienny
+10%
-10%
✖
Efektywność wtrysku emitera to stosunek prądu elektronów przepływających w emiterze do całkowitego prądu w złączu bazowym emitera.
ⓘ
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania [γ]
⎘ Kopiuj
Kroki
👎
Formuła
✖
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania
Formuła
`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`
Przykład
`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`
Kalkulator
LaTeX
Resetowanie
👍
Pobierać Elektronika Formułę PDF
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Rozwiązanie
KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Wydajność wtrysku emitera
=
Doping po stronie N
/(
Doping po stronie N
+
Doping po stronie P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Ta formuła używa
3
Zmienne
Używane zmienne
Wydajność wtrysku emitera
- Efektywność wtrysku emitera to stosunek prądu elektronów przepływających w emiterze do całkowitego prądu w złączu bazowym emitera.
Doping po stronie N
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Domieszkowanie strony N odnosi się do procesu wprowadzania określonych rodzajów zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu N urządzenia półprzewodnikowego.
Doping po stronie P
-
(Mierzone w 1 na metr sześcienny)
- Doping po stronie P odnosi się do procesu wprowadzania określonego rodzaju zanieczyszczeń do obszaru półprzewodnika typu P urządzenia półprzewodnikowego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Doping po stronie N:
4.8 1 na centymetr sześcienny --> 4800000 1 na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
Doping po stronie P:
1.8 1 na centymetr sześcienny --> 1800000 1 na metr sześcienny
(Sprawdź konwersję
tutaj
)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
γ = N
dn
/(N
dn
+N
dp
) -->
4800000/(4800000+1800000)
Ocenianie ... ...
γ
= 0.727272727272727
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.727272727272727 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.727272727272727
≈
0.727273
<--
Wydajność wtrysku emitera
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)
Jesteś tutaj
-
Dom
»
Inżynieria
»
Elektronika
»
Układy scalone (IC)
»
Produkcja bipolarnych układów scalonych
»
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania
Kredyty
Stworzone przez
banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez
Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
<
19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory
Opór równoległościanu prostokątnego
Iść
Opór
= ((
Oporność
*
Grubość warstwy
)/(
Szerokość rozproszonej warstwy
*
Długość warstwy rozproszonej
))*(
ln
(
Szerokość dolnego prostokąta
/
Długość dolnego prostokąta
)/(
Szerokość dolnego prostokąta
-
Długość dolnego prostokąta
))
Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni
Iść
Całkowita nieczystość
=
Efektywna dyfuzja
*(
Obszar połączenia podstawy emitera
*((
Opłata
*
Wewnętrzna koncentracja
^2)/
Prąd kolektora
)*
exp
(
Emiter podstawy napięcia
/
Napięcie termiczne
))
Przewodność typu N
Iść
Przewodność omowa
=
Opłata
*(
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*
Stężenie równowagowe typu N
+
Hole Doping Mobilność krzemu
*(
Wewnętrzna koncentracja
^2/
Stężenie równowagowe typu N
))
Przewodność typu P
Iść
Przewodność omowa
=
Opłata
*(
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*(
Wewnętrzna koncentracja
^2/
Stężenie równowagowe typu P
)+
Hole Doping Mobilność krzemu
*
Stężenie równowagowe typu P
)
Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się
Iść
Pojemność źródła bramki
= (2/3*
Szerokość tranzystora
*
Długość tranzystora
*
Pojemność tlenkowa
)+(
Szerokość tranzystora
*
Pojemność nakładania
)
Przewodność omowa zanieczyszczeń
Iść
Przewodność omowa
=
Opłata
*(
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*
Stężenie elektronów
+
Hole Doping Mobilność krzemu
*
Zagęszczenie dziur
)
Prąd kolektora tranzystora PNP
Iść
Prąd kolektora
= (
Opłata
*
Obszar połączenia podstawy emitera
*
Stężenie równowagowe typu N
*
Stała dyfuzji dla PNP
)/
Szerokość podstawy
Prąd nasycenia w tranzystorze
Iść
Prąd nasycenia
= (
Opłata
*
Obszar połączenia podstawy emitera
*
Efektywna dyfuzja
*
Wewnętrzna koncentracja
^2)/
Całkowita nieczystość
Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania
Iść
Pobór mocy obciążenia pojemnościowego
=
Pojemność obciążenia
*
Napięcie zasilania
^2*
Częstotliwość sygnału wyjściowego
*
Całkowita liczba przełączanych wyjść
Opór arkusza warstwy
Iść
Odporność arkusza
= 1/(
Opłata
*
Mobilność krzemu z domieszką elektronów
*
Stężenie równowagowe typu N
*
Grubość warstwy
)
Opór warstwy rozproszonej
Iść
Opór
= (1/
Przewodność omowa
)*(
Długość warstwy rozproszonej
/(
Szerokość rozproszonej warstwy
*
Grubość warstwy
))
Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu
Iść
Wewnętrzna koncentracja
=
sqrt
((
Stężenie elektronów
*
Zagęszczenie dziur
)/
Zanieczyszczenie temperaturowe
)
Dziura gęstości prądu
Iść
Gęstość prądu otworu
=
Opłata
*
Stała dyfuzji dla PNP
*(
Stężenie równowagi w otworze
/
Szerokość podstawy
)
Napięcie przebicia emitera kolektora
Iść
Napięcie przebicia emitera kolektora
=
Napięcie przebicia podstawy kolektora
/(
Obecny zysk BJT
)^(1/
Numer główny
)
Wydajność wtrysku emitera
Iść
Wydajność wtrysku emitera
=
Prąd emitera
/(
Prąd emitera powodowany przez elektrony
+
Prąd emitera z powodu dziur
)
Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych
Iść
Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych
=
Częstotliwość sygnału wyjściowego
/
Napięcie wejściowe
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania
Iść
Wydajność wtrysku emitera
=
Doping po stronie N
/(
Doping po stronie N
+
Doping po stronie P
)
Prąd płynący w diodzie Zenera
Iść
Prąd diody
= (
Wejściowe napięcie odniesienia
-
Stabilne napięcie wyjściowe
)/
Opór Zenera
Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej
Iść
Podstawowy współczynnik transportu
= 1-(1/2*(
Szerokość fizyczna
/
Długość dyfuzji elektronów
)^2)
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania Formułę
Wydajność wtrysku emitera
=
Doping po stronie N
/(
Doping po stronie N
+
Doping po stronie P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Dom
BEZPŁATNY pliki PDF
🔍
Szukaj
Kategorie
Dzielić
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!