Calculatrice A à Z
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Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage Calculatrice
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Fabrication de circuits intégrés bipolaires
Déclencheur Schmitt
Fabrication de circuits intégrés MOS
✖
Le dopage côté N fait référence au processus d'introduction de types spécifiques d'impuretés dans la région semi-conductrice de type N d'un dispositif semi-conducteur.
ⓘ
Dopage côté N [N
dn
]
1 par centimètre cube
1 par mètre cube
+10%
-10%
✖
Le dopage côté P fait référence au processus d'introduction de types spécifiques d'impuretés dans la région semi-conductrice de type P d'un dispositif semi-conducteur.
ⓘ
Dopage côté P [N
dp
]
1 par centimètre cube
1 par mètre cube
+10%
-10%
✖
L'efficacité d'injection de l'émetteur est le rapport entre le courant électronique circulant dans l'émetteur et le courant total à travers la jonction de base de l'émetteur.
ⓘ
Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage [γ]
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage
Formule
`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`
Exemple
`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`
Calculatrice
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Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Efficacité d'injection de l'émetteur
=
Dopage côté N
/(
Dopage côté N
+
Dopage côté P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Cette formule utilise
3
Variables
Variables utilisées
Efficacité d'injection de l'émetteur
- L'efficacité d'injection de l'émetteur est le rapport entre le courant électronique circulant dans l'émetteur et le courant total à travers la jonction de base de l'émetteur.
Dopage côté N
-
(Mesuré en 1 par mètre cube)
- Le dopage côté N fait référence au processus d'introduction de types spécifiques d'impuretés dans la région semi-conductrice de type N d'un dispositif semi-conducteur.
Dopage côté P
-
(Mesuré en 1 par mètre cube)
- Le dopage côté P fait référence au processus d'introduction de types spécifiques d'impuretés dans la région semi-conductrice de type P d'un dispositif semi-conducteur.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Dopage côté N:
4.8 1 par centimètre cube --> 4800000 1 par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
Dopage côté P:
1.8 1 par centimètre cube --> 1800000 1 par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
γ = N
dn
/(N
dn
+N
dp
) -->
4800000/(4800000+1800000)
Évaluer ... ...
γ
= 0.727272727272727
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.727272727272727 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.727272727272727
≈
0.727273
<--
Efficacité d'injection de l'émetteur
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage
Crédits
Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
19 Fabrication de circuits intégrés bipolaires Calculatrices
Résistance du parallélépipède rectangulaire
Aller
Résistance
= ((
Résistivité
*
Épaisseur de couche
)/(
Largeur de la couche diffusée
*
Longueur de la couche diffusée
))*(
ln
(
Largeur du rectangle inférieur
/
Longueur du rectangle inférieur
)/(
Largeur du rectangle inférieur
-
Longueur du rectangle inférieur
))
Atomes d'impuretés par unité de surface
Aller
Impureté totale
=
Diffusion efficace
*(
Zone de jonction de la base de l'émetteur
*((
Charge
*
Concentration intrinsèque
^2)/
Courant du collecteur
)*
exp
(
Émetteur de base de tension
/
Tension thermique
))
Conductivité de type P
Aller
Conductivité Ohmique
=
Charge
*(
Mobilité du silicium dopé électroniquement
*(
Concentration intrinsèque
^2/
Concentration à l'équilibre de type P
)+
Mobilité du silicium dopé par trous
*
Concentration à l'équilibre de type P
)
Conductivité de type N
Aller
Conductivité Ohmique
=
Charge
*(
Mobilité du silicium dopé électroniquement
*
Concentration d'équilibre de type N
+
Mobilité du silicium dopé par trous
*(
Concentration intrinsèque
^2/
Concentration d'équilibre de type N
))
Conductivité ohmique des impuretés
Aller
Conductivité Ohmique
=
Charge
*(
Mobilité du silicium dopé électroniquement
*
Concentration d'électrons
+
Mobilité du silicium dopé par trous
*
Concentration des trous
)
Courant collecteur du transistor PNP
Aller
Courant du collecteur
= (
Charge
*
Zone de jonction de la base de l'émetteur
*
Concentration d'équilibre de type N
*
Constante de diffusion pour PNP
)/
Largeur de base
Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement
Aller
Capacité de la source de porte
= (2/3*
Largeur du transistor
*
Longueur du transistor
*
Capacité d'oxyde
)+(
Largeur du transistor
*
Capacité de chevauchement
)
Courant de saturation dans le transistor
Aller
Courant de saturation
= (
Charge
*
Zone de jonction de la base de l'émetteur
*
Diffusion efficace
*
Concentration intrinsèque
^2)/
Impureté totale
Consommation électrique de charge capacitive compte tenu de la tension d'alimentation
Aller
Consommation d'énergie de charge capacitive
=
Capacité de charge
*
Tension d'alimentation
^2*
Fréquence du signal de sortie
*
Nombre total de sorties de commutation
Résistance de la feuille de couche
Aller
Résistance de feuille
= 1/(
Charge
*
Mobilité du silicium dopé électroniquement
*
Concentration d'équilibre de type N
*
Épaisseur de couche
)
Résistance de la couche diffusée
Aller
Résistance
= (1/
Conductivité Ohmique
)*(
Longueur de la couche diffusée
/(
Largeur de la couche diffusée
*
Épaisseur de couche
))
Trou de densité actuelle
Aller
Densité de courant de trou
=
Charge
*
Constante de diffusion pour PNP
*(
Concentration d'équilibre du trou
/
Largeur de base
)
Impureté à concentration intrinsèque
Aller
Concentration intrinsèque
=
sqrt
((
Concentration d'électrons
*
Concentration des trous
)/
Impureté de température
)
Tension de rupture de l'émetteur collecteur
Aller
Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur
=
Tension de rupture de la base du collecteur
/(
Gain actuel du BJT
)^(1/
Numéro racine
)
Efficacité d'injection de l'émetteur
Aller
Efficacité d'injection de l'émetteur
=
Courant de l'émetteur
/(
Courant d'émetteur dû aux électrons
+
Courant de l'émetteur dû aux trous
)
Courant circulant dans la diode Zener
Aller
Courant de diode
= (
Tension de référence d'entrée
-
Tension de sortie stable
)/
Résistance Zener
Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés
Aller
Facteur de conversion tension-fréquence dans les circuits intégrés
=
Fréquence du signal de sortie
/
Tension d'entrée
Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage
Aller
Efficacité d'injection de l'émetteur
=
Dopage côté N
/(
Dopage côté N
+
Dopage côté P
)
Facteur de transport de base étant donné la largeur de base
Aller
Facteur de transport de base
= 1-(1/2*(
Largeur physique
/
Longueur de diffusion électronique
)^2)
Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage Formule
Efficacité d'injection de l'émetteur
=
Dopage côté N
/(
Dopage côté N
+
Dopage côté P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
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