Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage Calculatrice

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✖Le dopage côté N fait référence au processus d'introduction de types spécifiques d'impuretés dans la région semi-conductrice de type N d'un dispositif semi-conducteur.ⓘ Dopage côté N [N_dn]			+10% -10%
✖Le dopage côté P fait référence au processus d'introduction de types spécifiques d'impuretés dans la région semi-conductrice de type P d'un dispositif semi-conducteur.ⓘ Dopage côté P [N_dp]			+10% -10%

✖L'efficacité d'injection de l'émetteur est le rapport entre le courant électronique circulant dans l'émetteur et le courant total à travers la jonction de base de l'émetteur.ⓘ Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage [γ]

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Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Efficacité d'injection de l'émetteur = Dopage côté N/(Dopage côté N+Dopage côté P)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Efficacité d'injection de l'émetteur - L'efficacité d'injection de l'émetteur est le rapport entre le courant électronique circulant dans l'émetteur et le courant total à travers la jonction de base de l'émetteur.
Dopage côté N - (Mesuré en 1 par mètre cube) - Le dopage côté N fait référence au processus d'introduction de types spécifiques d'impuretés dans la région semi-conductrice de type N d'un dispositif semi-conducteur.
Dopage côté P - (Mesuré en 1 par mètre cube) - Le dopage côté P fait référence au processus d'introduction de types spécifiques d'impuretés dans la région semi-conductrice de type P d'un dispositif semi-conducteur.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Dopage côté N: 4.8 1 par centimètre cube --> 4800000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Dopage côté P: 1.8 1 par centimètre cube --> 1800000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Évaluer ... ...

γ = 0.727272727272727

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.727272727272727 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Efficacité d'injection de l'émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Banu Prakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

Banu Prakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Efficacité d’injection de l’émetteur compte tenu des constantes de dopage Formule

LaTeX Aller

Efficacité d'injection de l'émetteur = Dopage côté N/(Dopage côté N+Dopage côté P)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)

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