Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio calcolatrice

Ingegneria Chimica Finanziario Fisica Di Più >>

↳

Elettronica Civile Elettrico Elettronica e strumentazione Di Più >>

⤿

Circuiti integrati (IC)Amplificatori Antenna e propagazione delle onde Comunicazione digitale Di Più >>

⤿

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Fabbricazione di circuiti integrati MOS Trigger di Schmitt

✖Il drogaggio sul lato N si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo N di un dispositivo a semiconduttore.ⓘ Doping sul lato N [N_dn]			+10% -10%
✖Il drogaggio sul lato P si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo P di un dispositivo a semiconduttore.ⓘ Doping sul lato P [N_dp]			+10% -10%

✖L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.ⓘ Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio [γ]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Circuiti integrati (IC) Formula PDF PDF Image

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Efficienza dell'iniezione dell'emettitore - L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.
Doping sul lato N - (Misurato in 1 per metro cubo) - Il drogaggio sul lato N si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo N di un dispositivo a semiconduttore.
Doping sul lato P - (Misurato in 1 per metro cubo) - Il drogaggio sul lato P si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo P di un dispositivo a semiconduttore.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Doping sul lato N: 4.8 1 per centimetro cubo --> 4800000 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Doping sul lato P: 1.8 1 per centimetro cubo --> 1800000 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Valutare ... ...

γ = 0.727272727272727

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.727272727272727 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Efficienza dell'iniezione dell'emettitore

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Circuiti integrati (IC) » Fabbricazione di circuiti integrati bipolari » Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Titoli di coda

Creato da Banu Prakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

Banu Prakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Conduttività ohmica delle impurità

LaTeX Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

LaTeX Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

LaTeX Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Vedi altro >>