Calcolatrice da A a Z
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Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio calcolatrice
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✖
Il drogaggio sul lato N si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo N di un dispositivo a semiconduttore.
ⓘ
Doping sul lato N [N
dn
]
1 per centimetro cubo
1 per metro cubo
+10%
-10%
✖
Il drogaggio sul lato P si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo P di un dispositivo a semiconduttore.
ⓘ
Doping sul lato P [N
dp
]
1 per centimetro cubo
1 per metro cubo
+10%
-10%
✖
L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.
ⓘ
Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio [γ]
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Passi
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Formula
✖
Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio
Formula
`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`
Esempio
`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`
Calcolatrice
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Scaricamento Elettronica Formula PDF
Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
=
Doping sul lato N
/(
Doping sul lato N
+
Doping sul lato P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
Questa formula utilizza
3
Variabili
Variabili utilizzate
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
- L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.
Doping sul lato N
-
(Misurato in 1 per metro cubo)
- Il drogaggio sul lato N si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo N di un dispositivo a semiconduttore.
Doping sul lato P
-
(Misurato in 1 per metro cubo)
- Il drogaggio sul lato P si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo P di un dispositivo a semiconduttore.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Doping sul lato N:
4.8 1 per centimetro cubo --> 4800000 1 per metro cubo
(Controlla la conversione
qui
)
Doping sul lato P:
1.8 1 per centimetro cubo --> 1800000 1 per metro cubo
(Controlla la conversione
qui
)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
γ = N
dn
/(N
dn
+N
dp
) -->
4800000/(4800000+1800000)
Valutare ... ...
γ
= 0.727272727272727
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.727272727272727 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.727272727272727
≈
0.727273
<--
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio
Titoli di coda
Creato da
banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verificato da
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici
Resistenza del parallelepipedo rettangolare
Partire
Resistenza
= ((
Resistività
*
Spessore dello strato
)/(
Larghezza dello strato diffuso
*
Lunghezza dello strato diffuso
))*(
ln
(
Larghezza del rettangolo inferiore
/
Lunghezza del rettangolo inferiore
)/(
Larghezza del rettangolo inferiore
-
Lunghezza del rettangolo inferiore
))
Atomi di impurità per unità di area
Partire
Impurità totale
=
Diffusione efficace
*(
Area di giunzione della base dell'emettitore
*((
Carica
*
Concentrazione intrinseca
^2)/
Corrente del collettore
)*
exp
(
Emettitore di base di tensione
/
Tensione termica
))
Conduttività di tipo P
Partire
Conduttività ohmica
=
Carica
*(
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico
*(
Concentrazione intrinseca
^2/
Concentrazione di equilibrio del tipo P
)+
Mobilità del silicio drogato con fori
*
Concentrazione di equilibrio del tipo P
)
Conduttività di tipo N
Partire
Conduttività ohmica
=
Carica
*(
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico
*
Concentrazione di equilibrio di tipo N
+
Mobilità del silicio drogato con fori
*(
Concentrazione intrinseca
^2/
Concentrazione di equilibrio di tipo N
))
Corrente di collettore del transistor PNP
Partire
Corrente del collettore
= (
Carica
*
Area di giunzione della base dell'emettitore
*
Concentrazione di equilibrio di tipo N
*
Costante di diffusione per PNP
)/
Larghezza della base
Conduttività ohmica delle impurità
Partire
Conduttività ohmica
=
Carica
*(
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico
*
Concentrazione di elettroni
+
Mobilità del silicio drogato con fori
*
Concentrazione dei fori
)
Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione
Partire
Capacità della sorgente di gate
= (2/3*
Larghezza del transistor
*
Lunghezza del transistor
*
Capacità dell'ossido
)+(
Larghezza del transistor
*
Capacità di sovrapposizione
)
Corrente di saturazione nel transistor
Partire
Corrente di saturazione
= (
Carica
*
Area di giunzione della base dell'emettitore
*
Diffusione efficace
*
Concentrazione intrinseca
^2)/
Impurità totale
Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione
Partire
Consumo energetico del carico capacitivo
=
Capacità di carico
*
Tensione di alimentazione
^2*
Frequenza del segnale di uscita
*
Numero totale di uscite commutate
Resistenza del foglio dello strato
Partire
Resistenza del foglio
= 1/(
Carica
*
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico
*
Concentrazione di equilibrio di tipo N
*
Spessore dello strato
)
Buco di densità di corrente
Partire
Densità di corrente del foro
=
Carica
*
Costante di diffusione per PNP
*(
Concentrazione di equilibrio dei fori
/
Larghezza della base
)
Efficienza di iniezione dell'emettitore
Partire
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
=
Corrente dell'emettitore
/(
Corrente di emettitore dovuta agli elettroni
+
Corrente dell'emettitore dovuta ai fori
)
Resistenza dello strato diffuso
Partire
Resistenza
= (1/
Conduttività ohmica
)*(
Lunghezza dello strato diffuso
/(
Larghezza dello strato diffuso
*
Spessore dello strato
))
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
Partire
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
=
Tensione di interruzione della base del collettore
/(
Guadagno attuale di BJT
)^(1/
Numero di radice
)
Impurezza con concentrazione intrinseca
Partire
Concentrazione intrinseca
=
sqrt
((
Concentrazione di elettroni
*
Concentrazione dei fori
)/
Impurità della temperatura
)
Corrente che scorre nel diodo Zener
Partire
Corrente del diodo
= (
Tensione di riferimento in ingresso
-
Tensione di uscita stabile
)/
Resistenza Zener
Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio
Partire
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
=
Doping sul lato N
/(
Doping sul lato N
+
Doping sul lato P
)
Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati
Partire
Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati
=
Frequenza del segnale di uscita
/
Tensione di ingresso
Fattore di trasporto della base data la larghezza della base
Partire
Fattore di trasporto di base
= 1-(1/2*(
Larghezza fisica
/
Lunghezza di diffusione degli elettroni
)^2)
Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio Formula
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
=
Doping sul lato N
/(
Doping sul lato N
+
Doping sul lato P
)
γ
=
N
dn
/(
N
dn
+
N
dp
)
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