Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Dotering aan de N-zijde verwijst naar het proces waarbij specifieke soorten onzuiverheden in het N-type halfgeleidergebied van een halfgeleiderapparaat worden geïntroduceerd.ⓘ Doping aan de N-kant [N_dn]			+10% -10%
✖Doping aan de P-zijde verwijst naar het proces waarbij specifieke soorten onzuiverheden in het P-type halfgeleidergebied van een halfgeleiderapparaat worden geïntroduceerd.ⓘ Doping aan de P-kant [N_dp]			+10% -10%

✖Emitter-injectie-efficiëntie is de verhouding tussen de elektronenstroom die in de emitter vloeit en de totale stroom over de basisovergang van de emitter.ⓘ Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten [γ]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Formule

`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`

Voorbeeld

`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Efficiëntie van de emitterinjectie - Emitter-injectie-efficiëntie is de verhouding tussen de elektronenstroom die in de emitter vloeit en de totale stroom over de basisovergang van de emitter.
Doping aan de N-kant - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Dotering aan de N-zijde verwijst naar het proces waarbij specifieke soorten onzuiverheden in het N-type halfgeleidergebied van een halfgeleiderapparaat worden geïntroduceerd.
Doping aan de P-kant - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Doping aan de P-zijde verwijst naar het proces waarbij specifieke soorten onzuiverheden in het P-type halfgeleidergebied van een halfgeleiderapparaat worden geïntroduceerd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Doping aan de N-kant: 4.8 1 per kubieke centimeter --> 4800000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Doping aan de P-kant: 1.8 1 per kubieke centimeter --> 1800000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Evalueren ... ...

γ = 0.727272727272727

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.727272727272727 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Efficiëntie van de emitterinjectie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten Formule

Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!