KGV van twee getallen

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖Dotering aan de N-zijde verwijst naar het proces waarbij specifieke soorten onzuiverheden in het N-type halfgeleidergebied van een halfgeleiderapparaat worden geïntroduceerd.ⓘ Doping aan de N-kant [N_dn]			+10% -10%
✖Doping aan de P-zijde verwijst naar het proces waarbij specifieke soorten onzuiverheden in het P-type halfgeleidergebied van een halfgeleiderapparaat worden geïntroduceerd.ⓘ Doping aan de P-kant [N_dp]			+10% -10%

✖Emitter-injectie-efficiëntie is de verhouding tussen de elektronenstroom die in de emitter vloeit en de totale stroom over de basisovergang van de emitter.ⓘ Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten [γ]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Efficiëntie van de emitterinjectie - Emitter-injectie-efficiëntie is de verhouding tussen de elektronenstroom die in de emitter vloeit en de totale stroom over de basisovergang van de emitter.
Doping aan de N-kant - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Dotering aan de N-zijde verwijst naar het proces waarbij specifieke soorten onzuiverheden in het N-type halfgeleidergebied van een halfgeleiderapparaat worden geïntroduceerd.
Doping aan de P-kant - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Doping aan de P-zijde verwijst naar het proces waarbij specifieke soorten onzuiverheden in het P-type halfgeleidergebied van een halfgeleiderapparaat worden geïntroduceerd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Doping aan de N-kant: 4.8 1 per kubieke centimeter --> 4800000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Doping aan de P-kant: 1.8 1 per kubieke centimeter --> 1800000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Evalueren ... ...

γ = 0.727272727272727

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.727272727272727 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Efficiëntie van de emitterinjectie

(Berekening voltooid in 00.008 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Credits

Gemaakt door Banu Prakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banu Prakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

LaTeX Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

LaTeX Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>