Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования Калькулятор

✖Легирование на N-стороне относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область N-типа полупроводникового устройства.ⓘ Допинг на N-стороне [N_dn]			+10% -10%
✖Легирование на стороне P относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область P-типа полупроводникового устройства.ⓘ Допинг на стороне P [N_dp]			+10% -10%

✖Эффективность инжекции эмиттера — это отношение электронного тока, протекающего в эмиттере, к общему току через базовый переход эмиттера.ⓘ Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования [γ]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Формула

`"γ" = "N"_{"dn"}/("N"_{"dn"}+"N"_{"dp"})`

Пример

`"0.727273"="4.8/cm³"/("4.8/cm³"+"1.8/cm³")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Эффективность ввода эмиттера - Эффективность инжекции эмиттера — это отношение электронного тока, протекающего в эмиттере, к общему току через базовый переход эмиттера.
Допинг на N-стороне - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Легирование на N-стороне относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область N-типа полупроводникового устройства.
Допинг на стороне P - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Легирование на стороне P относится к процессу введения определенных типов примесей в полупроводниковую область P-типа полупроводникового устройства.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Допинг на N-стороне: 4.8 1 на кубический сантиметр --> 4800000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Допинг на стороне P: 1.8 1 на кубический сантиметр --> 1800000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

γ = N_dn/(N_dn+N_dp) --> 4800000/(4800000+1800000)

Оценка ... ...

γ = 0.727272727272727

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.727272727272727 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Эффективность ввода эмиттера

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования формула

Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)
γ = N_dn/(N_dn+N_dp)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!