समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता कैलकुलेटर

✖अंतिम वोल्टेज किसी विशेष प्रक्रिया या घटना के समापन पर प्राप्त या मापा गया वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है।ⓘ अंतिम वोल्टेज [V₂]			+10% -10%
✖प्रारंभिक वोल्टेज एक निश्चित ऑपरेशन की शुरुआत में या विशिष्ट परिस्थितियों में सर्किट में एक विशिष्ट बिंदु पर मौजूद वोल्टेज को संदर्भित करता है।ⓘ प्रारंभिक वोल्टेज [V₁]			+10% -10%
✖जंक्शन कैपेसिटेंस स्रोत/ड्रेन टर्मिनलों और सब्सट्रेट के बीच कमी क्षेत्र से उत्पन्न होने वाली कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है।ⓘ जंक्शन कैपेसिटेंस [C_j]			+10% -10%

✖समतुल्य बड़े सिग्नल कैपेसिटेंस एक सरलीकृत मॉडल है जिसका उपयोग कम आवृत्तियों (बड़े सिग्नल शासन) पर जंक्शन कैपेसिटेंस के संयुक्त प्रभाव को दर्शाने के लिए किया जाता है।ⓘ समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता [C_eq]

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सूत्र

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समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता

सूत्र

`"C"_{"eq"} = (1/("V"_{"2"}-"V"_{"1"}))*int("C"_{"j"}*x,x,"V"_{"1"},"V"_{"2"})`

उदाहरण

`"0.000549F"=(1/("6.135nV"-"5.42nV"))*int("95009F"*x,x,"5.42nV","6.135nV")`

कैलकुलेटर

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समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता = (1/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज))*int(जंक्शन कैपेसिटेंस*x,x,प्रारंभिक वोल्टेज,अंतिम वोल्टेज)
C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂)
यह सूत्र 1 कार्यों, 4 वेरिएबल का उपयोग करता है

उपयोग किए गए कार्य

int - निश्चित इंटीग्रल का उपयोग शुद्ध हस्ताक्षरित क्षेत्र की गणना के लिए किया जा सकता है, जो कि x-अक्ष के ऊपर का क्षेत्र घटाकर x-अक्ष के नीचे का क्षेत्र है।, int(expr, arg, from, to)

चर

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता - (में मापा गया फैरड) - समतुल्य बड़े सिग्नल कैपेसिटेंस एक सरलीकृत मॉडल है जिसका उपयोग कम आवृत्तियों (बड़े सिग्नल शासन) पर जंक्शन कैपेसिटेंस के संयुक्त प्रभाव को दर्शाने के लिए किया जाता है।
अंतिम वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - अंतिम वोल्टेज किसी विशेष प्रक्रिया या घटना के समापन पर प्राप्त या मापा गया वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है।
प्रारंभिक वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - प्रारंभिक वोल्टेज एक निश्चित ऑपरेशन की शुरुआत में या विशिष्ट परिस्थितियों में सर्किट में एक विशिष्ट बिंदु पर मौजूद वोल्टेज को संदर्भित करता है।
जंक्शन कैपेसिटेंस - (में मापा गया फैरड) - जंक्शन कैपेसिटेंस स्रोत/ड्रेन टर्मिनलों और सब्सट्रेट के बीच कमी क्षेत्र से उत्पन्न होने वाली कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

अंतिम वोल्टेज: 6.135 नैनोवोल्ट --> 6.135E-09 वोल्ट (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
प्रारंभिक वोल्टेज: 5.42 नैनोवोल्ट --> 5.42E-09 वोल्ट (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
जंक्शन कैपेसिटेंस: 95009 फैरड --> 95009 फैरड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂) --> (1/(6.135E-09-5.42E-09))*int(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

C_eq = 0.0005489144975

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.0005489144975 फैरड --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

0.0005489144975 ≈ 0.000549 फैरड <-- समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » MOSFET » एनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » एमओएस ट्रांजिस्टर » समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई विग्नेश नायडू

वेल्लोर इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (विटामिन), वेल्लोर, तमिलनाडु

विग्नेश नायडू ने इस कैलकुलेटर और 25+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित दीपांजोना मलिक

हेरिटेज इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी (हिटके), कोलकाता

दीपांजोना मलिक ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 21 एमओएस ट्रांजिस्टर कैलक्युलेटर्स

साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक

जाओ साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक = -(2*sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित)/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज)*(sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित-अंतिम वोल्टेज)-sqrt(साइडवॉल जंक्शनों की क्षमता में निर्मित-प्रारंभिक वोल्टेज)))

रैखिक क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें

जाओ रैखिक क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(2*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*आउटपुट वोल्टेज-आउटपुट वोल्टेज^2))

दिए गए उदाहरण पर नोड वोल्टेज

जाओ दिए गए उदाहरण पर नोड वोल्टेज = (ट्रांसकंडक्टन्स फैक्टर/नोड कैपेसिटेंस)*int(exp(-(1/(नोड प्रतिरोध*नोड कैपेसिटेंस))*(समय सीमा-x))*नोड में प्रवाहित धारा*x,x,0,समय सीमा)

संतृप्ति क्षेत्र में धारा को नीचे खींचें

जाओ संतृप्ति क्षेत्र धारा को नीचे खींचता है = sum(x,0,समानांतर चालक ट्रांजिस्टर की संख्या,(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता/2)*(चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*(गेट स्रोत वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2)

संतृप्ति समय

जाओ संतृप्ति समय = -2*भार क्षमता/(ट्रांसकंडक्टेंस प्रक्रिया पैरामीटर*(उच्च आउटपुट वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)^2)*int(1,x,उच्च आउटपुट वोल्टेज,उच्च आउटपुट वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

एमओएस ट्रांजिस्टर के माध्यम से बहने वाला ड्रेन करंट

जाओ जल निकासी धारा = (चैनल की चौड़ाई/चैनल की लंबाई)*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड धारिता*int((गेट स्रोत वोल्टेज-x-सीमा वोल्टेज),x,0,नाली स्रोत वोल्टेज)

जब एनएमओएस रैखिक क्षेत्र में संचालित होता है तो समय विलंब

जाओ समय विलंब में रैखिक क्षेत्र = -2*जंक्शन कैपेसिटेंस*int(1/(ट्रांसकंडक्टेंस प्रक्रिया पैरामीटर*(2*(इनपुट वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)*x-x^2)),x,प्रारंभिक वोल्टेज,अंतिम वोल्टेज)

ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व

जाओ ह्रास परत आवेश का घनत्व = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता*modulus(सतही क्षमता-थोक फर्मी क्षमता)))

अपवाह क्षेत्र से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई

जाओ अपक्षय क्षेत्र की नाली की गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(जंक्शन क्षमता में निर्मित+नाली स्रोत वोल्टेज))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता))

डिप्लेशन क्षेत्र में निर्मित क्षमता

जाओ वोल्टेज में निर्मित = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता*modulus(-2*थोक फर्मी क्षमता)))

पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता

जाओ पी प्रकार के लिए फर्मी क्षमता = ([BoltZ]*निरपेक्ष तापमान)/[Charge-e]*ln(आंतरिक वाहक एकाग्रता/स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)

एमओएस ट्रांजिस्टर में संतृप्ति क्षेत्र में ड्रेन करंट

जाओ संतृप्ति क्षेत्र अपवाह धारा = चैनल की चौड़ाई*संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव वेग*int(शुल्क*लघु चैनल पैरामीटर,x,0,प्रभावी चैनल लंबाई)

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता

जाओ समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता = (1/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज))*int(जंक्शन कैपेसिटेंस*x,x,प्रारंभिक वोल्टेज,अंतिम वोल्टेज)

अधिकतम क्षय गहराई

जाओ अधिकतम क्षय गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*थोक फर्मी क्षमता))/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता))

एन प्रकार के लिए फर्मी क्षमता

जाओ एन प्रकार के लिए फर्मी क्षमता = ([BoltZ]*निरपेक्ष तापमान)/[Charge-e]*ln(दाता डोपेंट एकाग्रता/आंतरिक वाहक एकाग्रता)

स्रोत से संबद्ध अवक्षय क्षेत्र की गहराई

जाओ स्रोत की कमी क्षेत्र की गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*जंक्शन क्षमता में निर्मित)/([Charge-e]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता))

सब्सट्रेट पूर्वाग्रह गुणांक

जाओ सब्सट्रेट पूर्वाग्रह गुणांक = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*स्वीकर्ता की डोपिंग एकाग्रता)/ऑक्साइड धारिता

समय की अवधि में औसत बिजली व्यय

जाओ औसत शक्ति = (1/कुल लिया गया समय)*int(वोल्टेज*मौजूदा,x,0,कुल समय लिया गया)

समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता

जाओ समतुल्य बड़े सिग्नल जंक्शन क्षमता = साइडवॉल की परिधि*साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस*साइडवॉल वोल्टेज तुल्यता कारक

MOSFET में कार्य फ़ंक्शन

जाओ समारोह का कार्य = निर्वात स्तर+(चालन बैंड ऊर्जा स्तर-फर्मी स्तर)

प्रति यूनिट लंबाई शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस

जाओ साइडवॉल जंक्शन कैपेसिटेंस = शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन क्षमता*साइडवॉल की गहराई

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता सूत्र

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता की गणना कैसे करें?

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया अंतिम वोल्टेज (V₂), अंतिम वोल्टेज किसी विशेष प्रक्रिया या घटना के समापन पर प्राप्त या मापा गया वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है। के रूप में, प्रारंभिक वोल्टेज (V₁), प्रारंभिक वोल्टेज एक निश्चित ऑपरेशन की शुरुआत में या विशिष्ट परिस्थितियों में सर्किट में एक विशिष्ट बिंदु पर मौजूद वोल्टेज को संदर्भित करता है। के रूप में & जंक्शन कैपेसिटेंस (C_j), जंक्शन कैपेसिटेंस स्रोत/ड्रेन टर्मिनलों और सब्सट्रेट के बीच कमी क्षेत्र से उत्पन्न होने वाली कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है। के रूप में डालें। कृपया समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता गणना

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता कैलकुलेटर, समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता की गणना करने के लिए Equivalent Large Signal Capacitance = (1/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज))*int(जंक्शन कैपेसिटेंस*x,x,प्रारंभिक वोल्टेज,अंतिम वोल्टेज) का उपयोग करता है। समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता C_eq को समतुल्य बड़े सिग्नल कैपेसिटेंस फॉर्मूला को कम आवृत्तियों (बड़े सिग्नल शासन) पर जंक्शन कैपेसिटेंस के संयुक्त प्रभाव का प्रतिनिधित्व करने के लिए उपयोग किए जाने वाले सरलीकृत मॉडल के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.000549 = (1/(6.135E-09-5.42E-09))*int(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09). आप और अधिक समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता क्या है?

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता समतुल्य बड़े सिग्नल कैपेसिटेंस फॉर्मूला को कम आवृत्तियों (बड़े सिग्नल शासन) पर जंक्शन कैपेसिटेंस के संयुक्त प्रभाव का प्रतिनिधित्व करने के लिए उपयोग किए जाने वाले सरलीकृत मॉडल के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂) या Equivalent Large Signal Capacitance = (1/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज))*int(जंक्शन कैपेसिटेंस*x,x,प्रारंभिक वोल्टेज,अंतिम वोल्टेज) के रूप में दर्शाया जाता है।

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता की गणना कैसे करें?

समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता को समतुल्य बड़े सिग्नल कैपेसिटेंस फॉर्मूला को कम आवृत्तियों (बड़े सिग्नल शासन) पर जंक्शन कैपेसिटेंस के संयुक्त प्रभाव का प्रतिनिधित्व करने के लिए उपयोग किए जाने वाले सरलीकृत मॉडल के रूप में परिभाषित किया गया है। Equivalent Large Signal Capacitance = (1/(अंतिम वोल्टेज-प्रारंभिक वोल्टेज))*int(जंक्शन कैपेसिटेंस*x,x,प्रारंभिक वोल्टेज,अंतिम वोल्टेज) C_eq = (1/(V₂-V₁))*int(C_j*x,x,V₁,V₂) के रूप में परिभाषित किया गया है। समतुल्य बड़ी सिग्नल क्षमता की गणना करने के लिए, आपको अंतिम वोल्टेज (V₂), प्रारंभिक वोल्टेज (V₁) & जंक्शन कैपेसिटेंस (C_j) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको अंतिम वोल्टेज किसी विशेष प्रक्रिया या घटना के समापन पर प्राप्त या मापा गया वोल्टेज स्तर को संदर्भित करता है।, प्रारंभिक वोल्टेज एक निश्चित ऑपरेशन की शुरुआत में या विशिष्ट परिस्थितियों में सर्किट में एक विशिष्ट बिंदु पर मौजूद वोल्टेज को संदर्भित करता है। & जंक्शन कैपेसिटेंस स्रोत/ड्रेन टर्मिनलों और सब्सट्रेट के बीच कमी क्षेत्र से उत्पन्न होने वाली कैपेसिटेंस को संदर्भित करता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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