PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव कॅल्क्युलेटर

✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_T]			+10% -10%
✖फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर ही प्रक्रिया आहे जी सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या ऑक्सिडेशनपासून सुरू होते ज्यामध्ये पृष्ठभागावर तुलनेने जाड ऑक्साईड थर जमा होतो.ⓘ फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर [γ]			+10% -10%
✖भौतिक पॅरामीटर्सचा उपयोग एखाद्या भौतिक प्रणालीच्या स्थितीचे किंवा स्थितीचे वर्णन करण्यासाठी किंवा प्रणाली विविध उत्तेजनांना किंवा इनपुटला प्रतिसाद देण्याच्या पद्धतीचे वर्णन करण्यासाठी केली जाऊ शकते.ⓘ भौतिक मापदंड [φ_f]			+10% -10%
✖शरीर आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेज महत्त्वपूर्ण आहे कारण त्याचा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या सुरक्षित ऑपरेशनवर परिणाम होऊ शकतो.ⓘ शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज [V_SB]			+10% -10%

✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमधील बदल तापमानातील बदल, रेडिएशन एक्सपोजर आणि वृद्धत्व यासह विविध कारणांमुळे होऊ शकतो.ⓘ PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव [ΔV_t]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

सुत्र

`"ΔV"_{"t"} = "V"_{"T"}+"γ"*(sqrt(2*"φ"_{"f"}+"V"_{"SB"})-sqrt(2*"φ"_{"f"}))`

उदाहरण

`"1.600478V"="0.7V"+"0.4"*(sqrt(2*"0.6V"+"10V")-sqrt(2*"0.6V"))`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
हे सूत्र 1 कार्ये, 5 व्हेरिएबल्स वापरते

कार्ये वापरली

sqrt - स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)

व्हेरिएबल्स वापरलेले

थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमधील बदल तापमानातील बदल, रेडिएशन एक्सपोजर आणि वृद्धत्व यासह विविध कारणांमुळे होऊ शकतो.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.
फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर - फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर ही प्रक्रिया आहे जी सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या ऑक्सिडेशनपासून सुरू होते ज्यामध्ये पृष्ठभागावर तुलनेने जाड ऑक्साईड थर जमा होतो.
भौतिक मापदंड - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - भौतिक पॅरामीटर्सचा उपयोग एखाद्या भौतिक प्रणालीच्या स्थितीचे किंवा स्थितीचे वर्णन करण्यासाठी किंवा प्रणाली विविध उत्तेजनांना किंवा इनपुटला प्रतिसाद देण्याच्या पद्धतीचे वर्णन करण्यासाठी केली जाऊ शकते.
शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - शरीर आणि स्त्रोत यांच्यातील व्होल्टेज महत्त्वपूर्ण आहे कारण त्याचा इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या सुरक्षित ऑपरेशनवर परिणाम होऊ शकतो.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 0.7 व्होल्ट --> 0.7 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर: 0.4 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
भौतिक मापदंड: 0.6 व्होल्ट --> 0.6 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज: 10 व्होल्ट --> 10 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

मूल्यांकन करत आहे ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

1.60047799645039 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

1.60047799645039 ≈ 1.600478 व्होल्ट <-- थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » पी-चॅनल सुधारणा » PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 पी-चॅनल सुधारणा कॅल्क्युलेटर

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरचा एकूण ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))^2*(1+ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज/modulus(लवकर व्होल्टेज))

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड प्रदेशात प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*((गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)^2)

PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड क्षेत्रामध्ये ड्रेन करंट दिलेला Vsd

जा ड्रेन करंट = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(modulus(प्रभावी व्होल्टेज)-1/2*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या संतृप्ति क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवाह

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))^2

PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर

जा बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*दात्याची एकाग्रता)/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज

जा इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)

स्त्रोतापासून नाल्याकडे प्रवाह काढा

जा ड्रेन करंट = (जंक्शनची रुंदी*इन्व्हर्जन लेयर चार्ज*चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक)

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(प्रभावी व्होल्टेज)^2

पीएमओएसमध्ये इनव्हर्शन लेयर चार्ज

जा इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पीएमओएसचा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

जा प्रभावी व्होल्टेज = गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पीएमओएसच्या इनव्हर्जन चॅनेलमधील वर्तमान

जा ड्रेन करंट = (जंक्शनची रुंदी*इन्व्हर्जन लेयर चार्ज*उलट्याचा प्रवाह वेग)

PMOS चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

जा PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

PMOS च्या इनव्हर्शन चॅनेलमध्ये वर्तमान दिलेली गतिशीलता

जा उलट्याचा प्रवाह वेग = चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ

जा संक्रमण वेळ = पाया रुंदी^2/(2*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)

PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव सुत्र

पीएमओएसमध्ये शरीरावर होण्याचे कारण काय आहे? शरीराचा पक्षपात म्हणजे काय?

शरीरावर परिणाम होतो कारण स्त्रोत आणि शरीरातील व्होल्टेज फरक व्हीवर परिणाम करते

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!