MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज कॅल्क्युलेटर

✖गेट-स्रोत व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते आणि ते सहसा डिव्हाइसचे वर्तन नियंत्रित करण्यासाठी वापरले जाते.ⓘ गेट-स्रोत व्होल्टेज [V_gs]			+10% -10%
✖थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.ⓘ थ्रेशोल्ड व्होल्टेज [V_th]			+10% -10%

✖ड्रेन आणि सोर्स सॅच्युरेशन व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे ज्यावर FET यापुढे अॅम्प्लीफायर म्हणून काम करू शकत नाही आणि त्याचे आउटपुट व्होल्टेज कमाल मूल्यावर निश्चित केले जाते.ⓘ MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज [V_ds(s)]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज

सुत्र

`"V"_{"ds(s)"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"th"}`

उदाहरण

`"1.7V"="4V"-"2.3V"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
V_ds(s) = V_gs-V_th
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ड्रेन आणि सोर्स सॅच्युरेशन व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे ज्यावर FET यापुढे अॅम्प्लीफायर म्हणून काम करू शकत नाही आणि त्याचे आउटपुट व्होल्टेज कमाल मूल्यावर निश्चित केले जाते.
गेट-स्रोत व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट-स्रोत व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते आणि ते सहसा डिव्हाइसचे वर्तन नियंत्रित करण्यासाठी वापरले जाते.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, ज्याला गेट थ्रेशोल्ड व्होल्टेज किंवा फक्त Vth असेही म्हटले जाते, हे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या ऑपरेशनमध्ये एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे, जे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्समधील मूलभूत घटक आहेत.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

गेट-स्रोत व्होल्टेज: 4 व्होल्ट --> 4 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 2.3 व्होल्ट --> 2.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

मूल्यांकन करत आहे ... ...

V_ds(s) = 1.7

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

1.7 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

1.7 व्होल्ट <-- ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » विद्युतदाब » MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज

जमा

ने निर्मित पायल प्रिया

बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी

पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 20 विद्युतदाब कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

सामान्य गेट आउटपुट व्होल्टेज

जा आउटपुट व्होल्टेज = -(Transconductance*गंभीर व्होल्टेज)*((लोड प्रतिकार*गेट प्रतिकार)/(गेट प्रतिकार+लोड प्रतिकार))

डिफरेंशियल इनपुट व्होल्टेजसह ऑपरेशनवर MOSFET चे गेट आणि स्त्रोत ओलांडून व्होल्टेज

जा गेट-स्रोत व्होल्टेज = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+sqrt((2*डीसी बायस वर्तमान)/(प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर))

कॉमन-मोड सिग्नल दिलेला MOSFET च्या ड्रेन Q1 वर आउटपुट व्होल्टेज

जा ड्रेन व्होल्टेज Q1 = -आउटपुट प्रतिकार*(Transconductance*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल)/(1+(2*Transconductance*आउटपुट प्रतिकार))

स्रोत इनपुट व्होल्टेज

जा स्रोत इनपुट व्होल्टेज = इनपुट व्होल्टेज*(इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध/(इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध+समतुल्य स्रोत प्रतिकार))

इनपुट गेट-टू-सोर्स व्होल्टेज

जा गंभीर व्होल्टेज = (इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध/(इनपुट अॅम्प्लीफायर प्रतिरोध+समतुल्य स्रोत प्रतिकार))*इनपुट व्होल्टेज

कॉमन-मोड सिग्नल दिलेला MOSFET च्या ड्रेन Q2 वर आउटपुट व्होल्टेज

जा ड्रेन व्होल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिकार/((1/Transconductance)+2*आउटपुट प्रतिकार))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

MOSFET मध्ये पॉझिटिव्ह व्होल्टेज दिलेला डिव्हाइस पॅरामीटर

जा इनपुट वर्तमान = गेट-स्रोत व्होल्टेज*(कोनीय वारंवारता*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))

MOSFET चा स्रोत आणि गेटवर व्होल्टेज दिलेला इनपुट करंट

जा गेट-स्रोत व्होल्टेज = इनपुट वर्तमान/(कोनीय वारंवारता*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज जेव्हा MOSFET लोड रेझिस्टन्ससह अॅम्प्लीफायर म्हणून कार्य करते

जा Transconductance = एकूण वर्तमान/(सामान्य मोड इनपुट सिग्नल-(2*एकूण वर्तमान*आउटपुट प्रतिकार))

विभेदक अॅम्प्लीफायरचे वाढीव व्होल्टेज सिग्नल

जा सामान्य मोड इनपुट सिग्नल = (एकूण वर्तमान/Transconductance)+(2*एकूण वर्तमान*आउटपुट प्रतिकार)

MOSFET मध्ये ड्रेन Q2 वर व्होल्टेज

जा आउटपुट व्होल्टेज = -(MOSFET चे एकूण लोड प्रतिरोध/(2*आउटपुट प्रतिकार))*सामान्य मोड इनपुट सिग्नल

MOSFET च्या ड्रेन Q1 वर व्होल्टेज

MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज

जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेल्या विभेदक इनपुट व्होल्टेजवर MOSFET च्या स्त्रोतापासून गेटपर्यंत व्होल्टेज

जा गेट-स्रोत व्होल्टेज = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+1.4*प्रभावी व्होल्टेज

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा MOSFET एम्पलीफायर म्हणून कार्य करते

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज

ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

जा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज = (2*ड्रेन करंट)/Transconductance

MOSFET च्या ड्रेन Q1 वर आउटपुट व्होल्टेज

जा ड्रेन व्होल्टेज Q1 = -(आउटपुट प्रतिकार*एकूण वर्तमान)

MOSFET च्या ड्रेन Q2 वर आउटपुट व्होल्टेज

जा ड्रेन व्होल्टेज Q2 = -(आउटपुट प्रतिकार*एकूण वर्तमान)

< 16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण

MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)

MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)

MOSFET ची संक्रमण वारंवारता

जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))

बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)

लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे

जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)

MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट

जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)

ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन

जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज

Transconductance वर शरीर प्रभाव

जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance

MOSFET चे बायस व्होल्टेज

जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज

सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ

जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज

MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स

जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक

जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार

MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण

जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज सुत्र

ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
V_ds(s) = V_gs-V_th

एमओएसएफईटीचे संतृप्ति क्षेत्र काय आहे?

संतृप्ति किंवा रेखीय प्रदेशात, ट्रान्झिस्टर पक्षपाती असेल जेणेकरुन गेट व्होल्टेजची जास्तीत जास्त रक्कम डिव्हाइसवर लागू केली जाईल ज्याचा परिणाम चॅनेल प्रतिरोध आरडीएस (एमओएसएफईटी स्विचद्वारे वाहणार्‍या जास्तीत जास्त नाल्याच्या प्रवाहात शक्य तितक्या लहान असण्यावर) होतो.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!