Ohmscher Bereich Drainstrom des FET Taschenrechner

✖Die Kanalleitfähigkeit FET ist das Maß dafür, wie gut der Kanal eines FET Strom leitet. Sie wird durch die Mobilität der Ladungsträger im Kanal bestimmt.ⓘ Kanalleitfähigkeits-FET [G_o(fet)]			+10% -10%
✖Die Drain-Source-Spannung des FET ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss eines FET.ⓘ Drain-Source-Spannung FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Oberflächenpotential-FETs arbeiten auf Basis des Oberflächenpotentials des Halbleiterkanals und steuern den Stromfluss durch eine Gate-Spannung, ohne Inversionsschichten zu erzeugen.ⓘ Oberflächenpotential-FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%
✖Die Pinch-OFF-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so eng wird, dass er sich effektiv schließt und jeden weiteren Stromfluss verhindert.ⓘ Pinch-OFF-Spannung [V_off(fet)]			+10% -10%

✖Drainstrom des FET ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung des FET fließt.ⓘ Ohmscher Bereich Drainstrom des FET [I_d(fet)]

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Formel

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Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Formel

`"I"_{"d(fet)"} = "G"_{"o(fet)"}*("V"_{"ds(fet)"}+3/2*(("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"ds(fet)"}-"V"_{"ds(fet)"})^(3/2)-("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"ds(fet)"})^(3/2))/(("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"off(fet)"})^(1/2)))`

Beispiel

`"0.305501mA"="0.24mS"*("4.8V"+3/2*(("4.976V"+"4.8V"-"4.8V")^(3/2)-("4.976V"+"4.8V")^(3/2))/(("4.976V"+"63.56V")^(1/2)))`

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Ohmscher Bereich Drainstrom des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Drain-Strom-FET = Kanalleitfähigkeits-FET*(Drain-Source-Spannung FET+3/2*((Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET)^(3/2)-(Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET)^(3/2))/((Oberflächenpotential-FET+Pinch-OFF-Spannung)^(1/2)))
I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2)))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Drain-Strom-FET - (Gemessen in Ampere) - Drainstrom des FET ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung des FET fließt.
Kanalleitfähigkeits-FET - (Gemessen in Siemens) - Die Kanalleitfähigkeit FET ist das Maß dafür, wie gut der Kanal eines FET Strom leitet. Sie wird durch die Mobilität der Ladungsträger im Kanal bestimmt.
Drain-Source-Spannung FET - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung des FET ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss eines FET.
Oberflächenpotential-FET - (Gemessen in Volt) - Oberflächenpotential-FETs arbeiten auf Basis des Oberflächenpotentials des Halbleiterkanals und steuern den Stromfluss durch eine Gate-Spannung, ohne Inversionsschichten zu erzeugen.
Pinch-OFF-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-OFF-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so eng wird, dass er sich effektiv schließt und jeden weiteren Stromfluss verhindert.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kanalleitfähigkeits-FET: 0.24 Millisiemens --> 0.00024 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Drain-Source-Spannung FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Oberflächenpotential-FET: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Pinch-OFF-Spannung: 63.56 Volt --> 63.56 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2))) --> 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2)))

Auswerten ... ...

I_d(fet) = 0.000305501451597179

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.000305501451597179 Ampere -->0.305501451597179 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.305501451597179 ≈ 0.305501 Milliampere <-- Drain-Strom-FET

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 500+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 FET Taschenrechner

Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Drain-Strom-FET = Kanalleitfähigkeits-FET*(Drain-Source-Spannung FET+3/2*((Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET)^(3/2)-(Oberflächenpotential-FET+Drain-Source-Spannung FET)^(3/2))/((Oberflächenpotential-FET+Pinch-OFF-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärts-Transkonduktanz-FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung FET = Versorgungsspannung am Drain-FET-Drain-Strom-FET*(Drain-Widerstand FET+Quellwiderstand FET)

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität FET = Gate-Source-Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-(Drain-Source-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET))^(1/3)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-Drain-Kapazität FET = Gate Drain Kapazität Ausschaltzeit FET/(1-Gate-Drain-Spannung FET/Oberflächenpotential-FET)^(1/3)

Drainstrom des FET

Gehen Drain-Strom-FET = Null-Vorspannungs-Drainstrom*(1-Drain-Source-Spannung FET/Abschaltspannung FET)^2

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-OFF-Spannung = Pinch-OFF-Drain-Source-Spannung FET-Drain-Source-Spannung FET

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkungs-FET = -Vorwärts-Transkonduktanz-FET*Drain-Widerstand FET

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