छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते कॅल्क्युलेटर

✖छिद्र एकाग्रता म्हणजे सामग्रीमध्ये प्रति युनिट व्हॉल्यूम इलेक्ट्रॉनची संख्या.ⓘ भोक एकाग्रता [p]			+10% -10%
✖होल मोबिलिटी या चार्ज वाहकांची विद्युत क्षेत्राच्या प्रतिसादात हालचाल करण्याची क्षमता दर्शवते.ⓘ भोक गतिशीलता [μ_p]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रिक फील्ड इंटेन्सिटी ही एक वेक्टर मात्रा आहे जी इतर शुल्कांच्या उपस्थितीमुळे स्पेसमधील दिलेल्या बिंदूवर सकारात्मक चाचणी चार्जद्वारे अनुभवलेल्या शक्तीचे प्रतिनिधित्व करते.ⓘ इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता [E_i]			+10% -10%

✖छिद्रांमुळे प्रवाही प्रवाह घनता म्हणजे विद्युत क्षेत्राच्या प्रभावाखाली अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये चार्ज वाहक (छिद्र) च्या हालचालीचा संदर्भ देते.ⓘ छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते [J_p]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

सुत्र

`"J"_{"p"} = "[Charge-e]"*"p"*"μ"_{"p"}*"E"_{"i"}`

उदाहरण

`"0.071778A/mm²"="[Charge-e]"*"1E^20electrons/m³"*"400m²/V*s"*"11.2V/m"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन सूत्रे PDF PDF Image

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i
हे सूत्र 1 स्थिर, 4 व्हेरिएबल्स वापरते

सतत वापरलेले

[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19

व्हेरिएबल्स वापरलेले

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते - (मध्ये मोजली अँपिअर प्रति चौरस मीटर) - छिद्रांमुळे प्रवाही प्रवाह घनता म्हणजे विद्युत क्षेत्राच्या प्रभावाखाली अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये चार्ज वाहक (छिद्र) च्या हालचालीचा संदर्भ देते.
भोक एकाग्रता - (मध्ये मोजली इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर) - छिद्र एकाग्रता म्हणजे सामग्रीमध्ये प्रति युनिट व्हॉल्यूम इलेक्ट्रॉनची संख्या.
भोक गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - होल मोबिलिटी या चार्ज वाहकांची विद्युत क्षेत्राच्या प्रतिसादात हालचाल करण्याची क्षमता दर्शवते.
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता - (मध्ये मोजली व्होल्ट प्रति मीटर) - इलेक्ट्रिक फील्ड इंटेन्सिटी ही एक वेक्टर मात्रा आहे जी इतर शुल्कांच्या उपस्थितीमुळे स्पेसमधील दिलेल्या बिंदूवर सकारात्मक चाचणी चार्जद्वारे अनुभवलेल्या शक्तीचे प्रतिनिधित्व करते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

भोक एकाग्रता: 1E+20 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर --> 1E+20 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
भोक गतिशीलता: 400 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 400 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता: 11.2 व्होल्ट प्रति मीटर --> 11.2 व्होल्ट प्रति मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2

मूल्यांकन करत आहे ... ...

J_p = 71777.512576

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

71777.512576 अँपिअर प्रति चौरस मीटर -->0.071777512576 अँपिअर प्रति चौरस मिलिमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

0.071777512576 ≈ 0.071778 अँपिअर प्रति चौरस मिलिमीटर <-- छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

(गणना 00.005 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन » छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

जमा

ने निर्मित बानुप्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज

जा स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))

दाता डोपंट एकाग्रता

जा दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता

जा स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*[Charge-e]*भोक गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता

जा जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता = संदर्भ एकाग्रता*exp(-घन विद्राव्यतेसाठी सक्रियता ऊर्जा/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))

प्रसार वेळ

जा प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स

मुक्त इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता

जा इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

जा छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

चॅनेल प्रतिकार

जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

गंभीर परिमाण

जा गंभीर परिमाण = प्रक्रिया अवलंबित स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/संख्यात्मक छिद्र

फोकसची खोली

जा फोकसची खोली = आनुपातिकता घटक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/(संख्यात्मक छिद्र^2)

प्रति वेफर मरणे

जा डाई प्रति वेफर = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक डाईचा आकार)

समतुल्य ऑक्साईड जाडी

जा समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते सुत्र

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!