छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei
हे सूत्र 1 स्थिर, 4 व्हेरिएबल्स वापरते
सतत वापरलेले
[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19
व्हेरिएबल्स वापरलेले
छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते - (मध्ये मोजली अँपिअर प्रति चौरस मीटर) - छिद्रांमुळे प्रवाही प्रवाह घनता म्हणजे विद्युत क्षेत्राच्या प्रभावाखाली अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये चार्ज वाहक (छिद्र) च्या हालचालीचा संदर्भ देते.
भोक एकाग्रता - (मध्ये मोजली इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर) - छिद्र एकाग्रता म्हणजे सामग्रीमध्ये प्रति युनिट व्हॉल्यूम इलेक्ट्रॉनची संख्या.
भोक गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - होल मोबिलिटी या चार्ज वाहकांची विद्युत क्षेत्राच्या प्रतिसादात हालचाल करण्याची क्षमता दर्शवते.
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता - (मध्ये मोजली व्होल्ट प्रति मीटर) - इलेक्ट्रिक फील्ड इंटेन्सिटी ही एक वेक्टर मात्रा आहे जी इतर शुल्कांच्या उपस्थितीमुळे स्पेसमधील दिलेल्या बिंदूवर सकारात्मक चाचणी चार्जद्वारे अनुभवलेल्या शक्तीचे प्रतिनिधित्व करते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
भोक एकाग्रता: 1E+20 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर --> 1E+20 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
भोक गतिशीलता: 400 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 400 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता: 11.2 व्होल्ट प्रति मीटर --> 11.2 व्होल्ट प्रति मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Jp = 71777.512576
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
71777.512576 अँपिअर प्रति चौरस मीटर -->0.071777512576 अँपिअर प्रति चौरस मिलिमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
0.071777512576 0.071778 अँपिअर प्रति चौरस मिलिमीटर <-- छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते
(गणना 00.035 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित बानू प्रकाश LinkedIn Logo
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
बानू प्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित संतोष यादव LinkedIn Logo
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव
​ LaTeX ​ जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह
​ LaTeX ​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)
चॅनेल प्रतिकार
​ LaTeX ​ जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता
​ LaTeX ​ जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते सुत्र

​LaTeX ​जा
छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!