प्रसार वेळ कॅल्क्युलेटर

✖पास ट्रान्झिस्टरची संख्या म्हणजे सर्किटच्या एका भागातून दुसऱ्या भागात सिग्नल हस्तांतरित करण्यासाठी वापरल्या जाणाऱ्या ट्रान्झिस्टरची संख्या.ⓘ पास ट्रान्झिस्टरची संख्या [N]			+10% -10%
✖MOSFET मधील प्रतिरोध म्हणजे सर्किटमधील विद्युत् प्रवाहाच्या विरोधाचा संदर्भ.ⓘ MOSFET मध्ये प्रतिकार [R_m]			+10% -10%
✖लोड कॅपेसिटन्स म्हणजे डिव्हाइसला त्याच्या आउटपुटवर दिसणारी एकूण कॅपॅसिटन्स, विशेषत: कनेक्ट केलेल्या लोड्सच्या कॅपेसिटन्समुळे आणि प्रिंटेड सर्किट बोर्ड (PCB) वरील ट्रेसमुळे.ⓘ लोड कॅपेसिटन्स [C_l]			+10% -10%

✖प्रसार वेळ ट्रान्झिस्टरद्वारे इनपुटपासून आउटपुटपर्यंत सिग्नलला प्रसारित होण्यासाठी लागणारा वेळ दर्शवितो.ⓘ प्रसार वेळ [T_p]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

प्रसार वेळ

सुत्र

`"T"_{"p"} = 0.7*"N"*(("N"+1)/2)*"R"_{"m"}*"C"_{"l"}`

उदाहरण

`"0.778203s"=0.7*"13"*(("13"+1)/2)*"542Ω"*"22.54μF"`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन सूत्रे PDF PDF Image

प्रसार वेळ उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
हे सूत्र 4 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

प्रसार वेळ - (मध्ये मोजली दुसरा) - प्रसार वेळ ट्रान्झिस्टरद्वारे इनपुटपासून आउटपुटपर्यंत सिग्नलला प्रसारित होण्यासाठी लागणारा वेळ दर्शवितो.
पास ट्रान्झिस्टरची संख्या - पास ट्रान्झिस्टरची संख्या म्हणजे सर्किटच्या एका भागातून दुसऱ्या भागात सिग्नल हस्तांतरित करण्यासाठी वापरल्या जाणाऱ्या ट्रान्झिस्टरची संख्या.
MOSFET मध्ये प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - MOSFET मधील प्रतिरोध म्हणजे सर्किटमधील विद्युत् प्रवाहाच्या विरोधाचा संदर्भ.
लोड कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - लोड कॅपेसिटन्स म्हणजे डिव्हाइसला त्याच्या आउटपुटवर दिसणारी एकूण कॅपॅसिटन्स, विशेषत: कनेक्ट केलेल्या लोड्सच्या कॅपेसिटन्समुळे आणि प्रिंटेड सर्किट बोर्ड (PCB) वरील ट्रेसमुळे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

पास ट्रान्झिस्टरची संख्या: 13 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
MOSFET मध्ये प्रतिकार: 542 ओहम --> 542 ओहम कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
लोड कॅपेसिटन्स: 22.54 मायक्रोफरॅड --> 2.254E-05 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

मूल्यांकन करत आहे ... ...

T_p = 0.778202516

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.778202516 दुसरा --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.778202516 ≈ 0.778203 दुसरा <-- प्रसार वेळ

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन » प्रसार वेळ

जमा

ने निर्मित बानुप्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज

जा स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))

दाता डोपंट एकाग्रता

जा दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता

जा स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*[Charge-e]*भोक गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता

जा जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता = संदर्भ एकाग्रता*exp(-घन विद्राव्यतेसाठी सक्रियता ऊर्जा/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))

प्रसार वेळ

जा प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स

मुक्त इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता

जा इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

जा छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

चॅनेल प्रतिकार

जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

गंभीर परिमाण

जा गंभीर परिमाण = प्रक्रिया अवलंबित स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/संख्यात्मक छिद्र

फोकसची खोली

जा फोकसची खोली = आनुपातिकता घटक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/(संख्यात्मक छिद्र^2)

प्रति वेफर मरणे

जा डाई प्रति वेफर = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक डाईचा आकार)

समतुल्य ऑक्साईड जाडी

जा समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)

प्रसार वेळ सुत्र

प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!