MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
gm = (2*id)/Vov
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
ड्रेन करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट म्हणजे ड्रेन आणि फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या स्रोत टर्मिनल्समध्ये वाहणारा प्रवाह, जो सामान्यतः इलेक्ट्रॉनिक सर्किट्समध्ये वापरला जाणारा एक प्रकारचा ट्रान्झिस्टर आहे.
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज हा इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये वापरला जाणारा एक शब्द आहे आणि तो त्याच्या सामान्य ऑपरेटिंग व्होल्टेजपेक्षा जास्त असलेल्या डिव्हाइस किंवा घटकाला लागू केलेल्या व्होल्टेज पातळीचा संदर्भ देतो.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
ड्रेन करंट: 0.08 मिलीअँपिअर --> 8E-05 अँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज: 0.32 व्होल्ट --> 0.32 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
gm = (2*id)/Vov --> (2*8E-05)/0.32
मूल्यांकन करत आहे ... ...
gm = 0.0005
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.0005 सीमेन्स -->0.5 मिलिसीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
0.5 मिलिसीमेन्स <-- Transconductance
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

16 Transconductance कॅल्क्युलेटर

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर वापरून
​ जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/(प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))
Transconductance दिलेला प्रक्रिया Transconductance पॅरामीटर
​ जा Transconductance = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
ड्रेन करंट दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*ड्रेन करंट)
प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/(प्रसर गुणोत्तर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)
प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
निचरा वर्तमान दिलेली प्रक्रिया transconductance आणि transconductance
​ जा ड्रेन करंट = Transconductance^2/(2*प्रसर गुणोत्तर*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर)
ट्रान्सकंडक्टन्स आणि ड्रेन करंट दिलेली प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance^2/(2*प्रसर गुणोत्तर*ड्रेन करंट)
MOSFET Transconductance दिलेले Transconductance पॅरामीटर
​ जा Transconductance = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स वापरून
​ जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर
Transconductance वर शरीर प्रभाव
​ जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेला MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
​ जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
बॅक गेट ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा बॅक गेट ट्रान्सकंडक्टन्स = Transconductance*व्होल्टेज कार्यक्षमता
MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज
Transconductance वापरून प्रवाह काढून टाका
​ जा ड्रेन करंट = (ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)*Transconductance/2
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

16 MOSFET वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

गेट टू सोर्स व्होल्टेज वापरून MOSFET च्या चॅनेलचे आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेल रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
MOSFET Transconductance दिलेला ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स = sqrt(2*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(ट्रान्झिस्टरची रुंदी/ट्रान्झिस्टरची लांबी)*ड्रेन करंट)
MOSFET च्या लोड रेझिस्टन्समुळे व्होल्टेज वाढणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*(1/(1/लोड प्रतिकार+1/आउटपुट प्रतिकार))/(1+Transconductance*स्रोत प्रतिकार)
MOSFET ची संक्रमण वारंवारता
​ जा संक्रमण वारंवारता = Transconductance/(2*pi*(स्त्रोत गेट कॅपेसिटन्स+गेट-ड्रेन कॅपेसिटन्स))
बायस पॉइंटवर कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = 2*(पुरवठा व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज)/(प्रभावी व्होल्टेज)
लहान सिग्नल वापरून व्होल्टेज वाढवणे
​ जा व्होल्टेज वाढणे = Transconductance*1/(1/लोड प्रतिकार+1/मर्यादित प्रतिकार)
MOSFET च्या स्त्रोत चॅनेल रुंदीचे गेट
​ जा चॅनेल रुंदी = ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/(ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*ओव्हरलॅप लांबी)
ड्रेन व्होल्टेज दिलेला व्होल्टेज गेन
​ जा व्होल्टेज वाढणे = (ड्रेन करंट*लोड प्रतिकार*2)/प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET चे संपृक्तता व्होल्टेज
​ जा ड्रेन आणि स्त्रोत संपृक्तता व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
Transconductance वर शरीर प्रभाव
​ जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
MOSFET चे बायस व्होल्टेज
​ जा एकूण तात्काळ बायस व्होल्टेज = डीसी बायस व्होल्टेज+डीसी व्होल्टेज
सर्व व्होल्टेज दिलेला कमाल व्होल्टेज वाढ
​ जा कमाल व्होल्टेज वाढ = (पुरवठा व्होल्टेज-0.3)/थर्मल व्होल्टेज
MOSFET चे ट्रेशोल्ड व्होल्टेज
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट-स्रोत व्होल्टेज-प्रभावी व्होल्टेज
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
लहान सिग्नल MOSFET मॉडेलमध्ये प्रवर्धन घटक
​ जा प्रवर्धन घटक = Transconductance*आउटपुट प्रतिकार
MOSFET च्या लिनियर रेझिस्टन्स मध्ये आचरण
​ जा चॅनेलचे संचालन = 1/रेखीय प्रतिकार

MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स सुत्र

Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
gm = (2*id)/Vov

बायस व्होल्टेज म्हणजे काय?

बायस व्होल्टेज विद्युत चालू आणि कार्य करण्यासाठी इलेक्ट्रॉनिक डिव्हाइसची आवश्यक व्होल्टेजची मात्रा आहे. डिव्हाइस ऑपरेट करण्यासाठी बायस व्होल्टेज काळजीपूर्वक निवडणे आवश्यक आहे, म्हणजे डिव्हाइस ऑपरेट करण्याची शक्ती विशिष्ट स्तरावर असणे आवश्यक आहे. अगदी कमी बायस व्होल्टेजसह, डिव्हाइसला पाठविलेली उर्जा चालू करण्यास अपुरी असू शकते आणि अशा प्रकारे, डिव्हाइस चालू होणार नाही. बर्‍याच बायस व्होल्टेजसह, डिव्हाइसला जास्त वर्तमान प्राप्त होऊ शकते आणि नष्ट होऊ शकते. ते किती बायस व्होल्टेज प्राप्त करेल हे तपासण्यासाठी वापरात असलेल्या डिव्हाइसच्या निर्मात्याकडे जा.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!